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公开(公告)号：KR1019980005316A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960024017
申请日：1996-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정림
IPC: H01L21/027
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公开(公告)号：KR1019970063466A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960004469
申请日：1996-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/31
Abstract: 포토레지스트의 경화 처리를 통하여 공정을 단순화시킨 스페이서 형성방법이 개시된다. 본 발명은 레지스트 도포 및 노광/현상 공정을 통하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 경화시켜 레지스트 막질의 열적 안정성을 증가시키는 단계, 및 결과물 전면에 스페이서 물질을 도포한 후 에치-백하여 상기 레지스트 패턴의 양측벽에 스페이서를 형성하는 단계를 구비하여, 공정을 단순화시킴과 아울러 레지스터의 Flow Rate 조절하고 공정 마아진을 향상시키는 효과를 발휘한다.
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公开(公告)号：KR1019970049004A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950059242
申请日：1995-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정림
IPC: G03F7/00
Abstract: 본 발명은 포토레지스트 패턴을 다단 포토레지스트 플로우하여 에지부분이 수직적으로 형성된 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 반도체 장치의 미세 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 하부막과 포토레지스트를 순차적으로 형성하고, 반도체 장치의 미세 콘택 패턴이 형성될 영역을 정의하여 상기 포토레지스트를 패터닝하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴에 열을 가해 1차 포토레지스트 플로우하는 공정과; 상기 반도체 기판, 하부막, 그리고 포토레지스트 패턴을 포함하는 반도체 장치를 거꾸로 뒤집어서 열판상에 로딩시킨 후, 상기 포토레지스트 패턴을 2차 포토레지스트 플로우하는 공정을 포함하고 있다. 이 방법에 의해서, 반도체 장치의 미세 패턴을 형성하는 공정에서 사용되는 미세한 포토레지스트 패턴을 수직적인 구조로 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970048932A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950059244
申请日：1995-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F1/72
Abstract: 본 발명은 적은 노광에너지를 사용하여 더욱 미세한 콘택트형성용 감광막패턴을 얻을 수 있도록 하는 콘택형성용 포토마스크에 관한 것으로서, 그 구성은 한계해상도 이하의 라인으로 형성된 사각형의 마스크패턴(14a,14b)을 포함하여, 상기 마스크패턴의 중앙부에 대응하여 각 라인으로부터 회절된 빛이 서로 보강간섭되어 감광막상에 전사되게 한다. 상술한 포토마스크를 사용하면, 적은 에너지를 갖는 광원을 사용할 수 있을 뿐만아니라 상기 마스크패턴의 중앙부에 대응하여 전사된 미세한 콘택형성용 감광막패턴이 형성될 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970023944A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950037286
申请日：1995-10-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체소자의 사진공정에 사용되어서 웨이퍼로부터 반사되어 오는 마스크 얼라이먼트신호를 시각적으로 검출하여 얼라이먼트-키(alignment key)를 용이하게 판독할 수 있는 얼라이먼트-키 검사장치에 관한 것으로서, 그 구성은 여러 파장을 갖는 빛을 조사하는 광원(1)과; 상기 광원(1)에서 제공되는 빛중 얼라인먼트신호원과 동일한 파장은 갖는 빛만을 투과하는 필터(2)와; 상기 필터(2)에서 제공된 신호를 입력하여 웨이퍼(10)상으로 전사시키는 현미경광학계(3)를 포함한다. 상기 검사장치를 이용하면, 반도체소자의 제조공정중, 짧은 시간에 여러 종류의 얼라인먼트-키를 검출할 수 있을 뿐만아니라 소정 패턴의 막이 웨이퍼상에 도포된 경우 감광막의 감광을 방지하면서 그 얼라인먼트-키를 관찰할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970023639A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950037803
申请日：1995-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 반도체장치의 제조방법 특히 노광방법이 개시되어 있다.
본 발명은 반도체장치의 제조방법에 있어서, 보조패턴이 추가된 PSP(phase shift pattern)을 사용한 위상반전을 통하여 노광공정에서 소자의 형성과 직접 관련되는 주패턴의 인접된 형상들 상호간의 보강간섭 효과를 보정하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 반도체장치에서 소자 형태의 변형을 방지하여 공정을 용이하게 하고 소자들 간의 구분을 확보할 수 있다는 효과를 가진다.-
公开(公告)号：KR1019970018270A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950032898
申请日：1995-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8238
Abstract: 본 발명은 반도체 제조 공정에 관한 것으로서, 특히 반도체 제조 공정에서 생성되는 잔유물을 제거하는 방법에 관한 것이다. 반도체장치의 다층/고단차의 박막 구조의 미세 패턴들 사이에 형성된 잔류물제거 방법은, 불산(HF), 질산(HNO3), 과산화수소(H2O2)의 화학적인 화합물 용액에 의해 잔유물의 측면 및 하단부르 미세하게 식각하여 주고 동시에 초음파를 가하여 물리적인 진동에 의해 잔유물을 제거하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 상기 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체장치의 잔류물 제거 방법은 식각 공정후에 발생하는 잔유물을 효율적으로 제거할 수 있어 후속 제조공정에서 잔유물에 의해 발생되는 불량을 사전에 차단하는 효과를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019970018241A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950029284
申请日：1995-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/324
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公开(公告)号：KR1019970018109A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950029836
申请日：1995-09-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/30
Abstract: 미세패턴 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이는 반도체기판 상에 제1패턴형성층을 형성하는 제1공정, 제1패턴형성층 상에 캐핑층을 형성하는 제2공정, 최종적으로 형성될 패턴들 중 짝수 또는 홀수번째의 패턴들만을 형성하기 위한 감광막패턴을 캐핑층 상에 형성하는 제3공정, 감광막패턴을 식각마스크로하여 캐핑층 및 제1패턴형성층을 식각함으로써 캐핑패턴 및 제1패턴을 각각 형성하는 제4공정, 패턴들이 형성되어 있는 반도체기판 전면에 스페이서층을 형성하는 제5공정, 스페이서층을 이방성식각함으로써 패턴들의 측벽에 스페이서를 형성하는 제6공정, 스페이서가 형성되어 있는 반도체기판 전면에 제2패턴형성층을 형성하는 제7공정, 제2패턴형성층을 에치백함으로써 캐핑패턴, 제1패턴 및 스페이서에 의해 형성된 홈부분에 제2패턴을 형성하는 제8공정 및 캐핑패턴 및 스페이서를 제거 는 제9공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 한계해상도에서 얻을 수 있는 패턴의 크기보다 1.5∼2배 작은 미세패턴을 얻을 수 있다.
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