公开(公告)号：KR1020030037674A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：KR1020010069228

申请日：2001-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  윤광섭 ,  송기용 ,  문주태 ,  우상균

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/111

Abstract: PURPOSE: Provided are a photosensitive polymer having structure which can improve transmission and resistance to dry-etching of resist composition when used as a raw material of resist composition, and a chemically amplified resist composition comprising the same. CONSTITUTION: The photosensitive polymer comprises a weight average molecular weight of 3,000-50,000 and a repeating unit of the following structure(wherein R1 is hydrogen atom or methyl group, R2 is C3-C10 hydrocarbon group of fluorinated ethylene glycol type). R2 is fluorinated diethylene glycol monomethyl ether group or fluorinated triethylene glycol monomethyl ether group. The chemically amplified resist composition comprises (a) the photosensitive polymer, (b) photoacid generator(PAG), and (c) organic base.

Abstract translation: 目的：提供一种光敏性聚合物，其具有能够提高作为抗蚀剂组合物的原料的抗蚀剂组合物的透光性和耐干蚀刻性的结构，以及包含该抗蚀剂组合物的化学增幅型抗蚀剂组合物。 构成：光敏性聚合物的重均分子量为3,000〜50,000，具有以下结构的重复单元（式中，R1为氢原子或甲基，R2为氟化乙二醇型的C3-C10烃基）。 R2是氟化二甘醇单甲醚基或氟化三乙二醇单甲醚基。 化学放大抗蚀剂组合物包含（a）光敏聚合物，（b）光酸产生剂（PAG）和（c）有机碱。

公开(公告)号：KR100267008B1

公开(公告)日：2000-10-02

申请号：KR1019980004838

申请日：1998-02-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심세진 ,  진유찬 ,  문주태 ,  최진석 ,  황기현

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device is provided to prevent lowering of a density of a lower electrode by performing an HSG(Hemispherical Grain) formation process, a silicon nitride formation process, and an oxide layer formation process a within the same process chamber. CONSTITUTION: An HSG is formed on a lower electrode of a capacitor(S100). A PH3 annealing process for the lower electrode of the capacitor is performed by using a plasma(S110). The first dielectric layer is formed on the lower electrode of the capacitor(S120). The second dielectric layer is formed on the first dielectric layer(S130). The PH3 annealing process and the HSG formation process are performed continuously within the same process chamber(S140).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的电容器的方法，以通过执行HSG（半球形晶粒）形成工艺，氮化硅形成工艺和氧化物层形成工艺a来防止下部电极的密度降低 相同的处理室。 构成：在电容器的下部电极上形成HSG（S100）。 通过使用等离子体来进行电容器的下部电极的PH3退火处理（S110）。 第一介质层形成在电容器的下电极上（S120）。 第二电介质层形成在第一电介质层上（S130）。 在相同的处理室内连续进行PH3退火处理和HSG形成处理（S140）。

公开(公告)号：KR1019990085664A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980018219

申请日：1998-05-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  문주태

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/039

Abstract: 본 발명은
(a) 화학 증폭형 레지스트에 사용되는 다음 식을 가지는 폴리머와,

식중, R
1 은 -CH
2 Si(CH
3 )
3 이고, R
2 , R
4 및 R
5 는 -H 또는 -CH
3 이고, R
3 및 R
6 은 -CH
3 , t-부틸 또는 테트라히드로피라닐기이고, k/(k+l+m+n) = 0.1 ∼ 0.7이고, l/(k+l+m+n) = 0.0 ∼ 0.4이고, m/(k+l+m+n) = 0.1 ∼ 0.4이고, n/(k+l+m+n) = 0.0 ∼ 0.4임.
(b) PAG(photoacid generator)로 구성되는 레지스트 조성물을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019990042722A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970063621

申请日：1997-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  문주태

IPC: G03F7/004

Abstract: 본 발명은 화학식 1의 고분자 및 PAG(Photoacid Generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.

식중 R
1 은 이고, R
2 는 H 또는 CH
3 이며, R
3 는 t-부틸기(t-Butyl Group), 테트라히드로피라닐기(Tetrahydropyranyl Group)에서 선택되며, m과 n은 정수로서 m/(m+n) = 0.1∼0.9 이다.
본 발명에 의하면, 통상의 현상액을 사용하여 현상할 수 있고, 뛰어난 식각내성을 가지며, 막질에 대하여 우수한 접착력을 발휘한다.

公开(公告)号：KR1019970059831A

公开(公告)日：1997-08-12

申请号：KR1019960001558

申请日：1996-01-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문주태 ,  유영훈

IPC: G03F1/38 ,  G03F1/72

Abstract: 본 발명은 반도체기판상에 형성되는 미세패턴의 선폭이 근접효과에 의해 변화하는 등의 현상을 방지할 수 있는 포토마스크의 구조에 관한 것으로, 포토마스크의 구조는, 포토마스크상에 형성된 복수의 장방형 미세패턴과; 길이방향으로 인접한 두 개의 장방형 미세패턴의 사이에 형성된 더미 라인을 포함하고 있다. 이와같은 포토마스크의 구조에 의해서, 반도체기판상에 형성된 미세패턴의 중간부위가 상기 미세패턴의 양단에 비해 상대적으로 좁은 폭을 갖게 되는 선폭의 변화를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970018111A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950030297

申请日：1995-09-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문주태 ,  오석환 ,  남정림

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조에 있어서 동종의 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 미세패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 그 구성은 동일한 종류의 패턴을 구분하여서 구현된 적어도 둘 이상의 마스크(10A, 10B)를 준비하는 공정과; 반도체기판(1)상에, 패턴형성용막(2)과 제1감광막(3)을 차례로 형성하는 공정과; 제1패턴이 구현된 마스크(10A)를 사용하여 노광을 실행하여 소정패턴의 제1감광막(3a)을 형성하는 공정과; 상기 소정패턴의 제1감광막(3a)을 마스크로 사용하여 상기 패턴형성용막(2)을 식각하는 공정과; 상기 제1감광막(3a)을 제거하고 그 위에 제2감광막(4)을 도포한 다음, 제2패턴(11b)이 구현된 마스크(10B)를 사용하여 노광을 실행하여 소정패턴의 제2감광막(4a)을 형성하는 공정과, 상기 소정패턴의 제2감광막(4a)을 마스크로 사용하여서 상기 패턴형성용자(2)을 식각하는 공정을 포함한다. 이 방법에 의해, 동일한 모양의 패턴만으로 구성된 마스크를 사용하여 분리노광하기 때문에, 사진공정의 에리얼 이메지가 양호하게 되어서 각 패턴에 대한 노광공정을 각각 최적화할 수 있다. 또한 본 발명에 사용되는 마스크는 종래의 마스크에 비해서 상대적으로 패턴의 밀도가 줄어들게 되어 노광공정의 해상력이나 마진등을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019930011098A

公开(公告)日：1993-06-23

申请号：KR1019910019890

申请日：1991-11-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 성낙근 ,  문주태 ,  강호영

IPC: H01L21/00

Abstract: 반도체 제조 공정중 콘택 홀의 형성 공정에서, 사진 공정의 현상 공정을 실시하여 형성된 콘택 홀 포트레지스트패턴을 열처리하여 보다 작게 변형시킬 때, 여러번 열처리 함으로써 미세 콘택 홀을 재현성 있게 형성 하였다.
그런데, 포트레지스토로 콘낵 홀 패턴을 형성할 때, 광원에 의하여 패턴 크기의 한계가 나타나게 된다. 이 현상은 열처리 공정을 이용하여 패턴의 크기를 보다 작게할 수 있는데, 이는 온도 변화에 민감하게 반응하여 크기를 조절하기 어려운 문제점이 있다.
이것을 해결하기 위하여 열처리 공정을 여러번 실행함으로써 온도에 대한 패턴 크기 조절의 재현성 및 균일성을 확보할 수 있다. 이는 단순한 사진 공정 상에서 한계 크기보다 작은 미세 콘택 홀을 형성할 수 있게 한다.

公开(公告)号：KR100604793B1

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：KR1019990050900

申请日：1999-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  김현우 ,  우상균 ,  문주태

IPC: G03F7/039

Abstract: 감광성 중합체 및 이를 포함하는 조성물에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 감광성 중합체는 하기 화학식 1로 표시된다. 본 발명에 따른 화학 증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물은 건식식각 내성이 크고, 막질에 대한 접착력이 우수하며, 통상의 현상액(2.38 중량% TMAH 용액)을 이용하여 패터닝할 수 있다.

公开(公告)号：KR100585182B1

公开(公告)日：2006-06-02

申请号：KR1020050087645

申请日：2005-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  김현우 ,  문주태 ,  우상균

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

Abstract: PAG (photoacid generator)와 감광성 폴리머를 포함하는 레지스트 조성물에 대하여 개시한다. 상기 감광성 폴리머는 산에 의해 분해 가능한 치환기 또는 극성 작용기를 가지는 코모노머와, 알킬 비닐 에테르와 무수 말레인산과의 공중합체를 포함한다. 상기 공중합체는 다음 식으로 표시된다.

식중, k는 3 ∼ 8의 정수이고, X는 C
7 ∼ C
20 의 3차 환상 알콜이다.
알킬 비닐 에테르, 무수 말레인산, 3차 환상 알콜, 유리 전이 온도

公开(公告)号：KR1020010046927A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990050900

申请日：1999-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  김현우 ,  우상균 ,  문주태

IPC: G03F7/039

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758

Abstract: PURPOSE: A photosensitive polymer for chemically amplified photoresist is provided which has high resistance to dry-etching, shows excellent adhesion to membrane and is patterned by a conventional developing solution. CONSTITUTION: The photosensitive polymer for chemically amplified photoresist is represented by the formula (1) and has an average molecular weight of 3,000-100,000. In the formula (1), each R1 and R2 is a hydrogen atom or a hydroxy group, R3 is a C1-20 alkyl group such as tert-butyl or iso-butyl or a hydroxyethyl group, and l, m and n satisfy conditions of l/(l+m+n) being 0.1-0.5, m/(l+m+n) being 0.5 and n/(l+m+n) being 0.0-0.4.

Abstract translation: 目的：提供用于化学放大光致抗蚀剂的光敏聚合物，其具有高抗干蚀刻性，对膜具有优异的粘合性并通过常规显影液进行图案化。 构成：用于化学放大光致抗蚀剂的光敏聚合物由式（1）表示，其平均分子量为3,000-100,000。 式（1）中，R 1和R 2分别为氢原子或羟基，R 3为碳原子数为1〜20的烷基，例如叔丁基或异丁基或羟乙基，l，m和n满足条件 1 /（1 + m + n）为0.1-0.5，m /（1 + m + n）为0.5，n /（1 + m + n）为0.0-0.4。