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公开(公告)号：KR101753366B1
公开(公告)日：2017-07-03
申请号：KR1020140148456
申请日：2014-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C13/00 , G11C7/06 , G11C11/4091
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0061 , G11C2013/0054 , G11C2213/71 , G11C2213/77
Abstract: 본개시는복수의메모리셀들을포함하는저항성메모리장치및 저항성메모리장치의동작방법에관한것으로서, 저항성메모리장치는메모리셀이연결된제1 신호라인에연결되고, 제1 기준전류에기초하여상기메모리셀의데이터를센싱하는센싱회로; 및상기제1 기준전류에기초하여, 센싱결과의출력시점을결정하는기준시간신호를생성하는기준시간생성기를포함한다.
Abstract translation: 本公开涉及一种操作电阻式存储器装置的方法，并且包括多个存储器单元的电阻式存储器装置中，电阻式存储器装置被连接到连接到存储器单元的第一信号线，以基于第一参考电流的存储单元 用于感测存储器单元的数据的感测电路; 以及参考时间发生器，用于基于第一参考电流产生用于确定感测结果的输出时间的参考时间信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170014872A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150108866
申请日：2015-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C2013/0078 , G11C2213/15 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79
Abstract: 본개시는복수의메모리셀들을포함하는저항성메모리장치에관한것으로서, 저항성메모리장치는, 서로교차하는복수의제1 신호라인들및 복수의제2 신호라인들에각각연결되는복수의메모리셀들을포함하는메모리셀 어레이, 상기메모리셀에데이터를기입하기위한기입전압을제공하는제1 기입드라이버및 상기메모리셀 어레이와상기제1 기입드라이버사이에배치되며, 상기복수의제1 신호라인들중 선택된제1 신호라인에상기기입전압을기초로생성되는기입전류를제공하는제2 기입드라이버를포함한다.
Abstract translation: 电阻式存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列具有分别连接到多个第一信号线的多个存储器单元和彼此交叉的多个第二信号线。 第一写入驱动器被配置为提供写入电压以将数据写入存储器单元。 第二写入驱动器被配置为设置在存储单元阵列和第一写入驱动器之间，并且将基于写入电压产生的写入电流提供给从多个第一信号线中选择的第一信号线。
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公开(公告)号：KR1020160061702A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：KR1020140164414
申请日：2014-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/56 , G11C11/5607 , G11C11/5642 , G11C13/0002 , G11C2013/0054 , G11C2213/71
Abstract: 멀티레벨셀을포함하는크로스포인트메모리장치및 크로스포인트메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른메모리셀 어레이를포함하는크로스포인트메모리장치의동작방법에있어서, 상기메모리셀 어레이는멀티레벨셀들을포함하고, 제1 상태판별을위해, 복수회의센싱동작들을통해상기멀티레벨셀들을제1 독출하는단계및 제2 상태판별을위해, 복수회의센싱동작들을통해상기멀티레벨셀들을제2 독출하는단계를구비하고, 상기제1 독출하는단계에서제1 센싱동작에이용되는제1 전압과제2 센싱동작에이용되는제2 전압의레벨차이는, 상기제2 독출하는단계에서제1 센싱동작에이용되는제3 전압과제2 센싱동작에이용되는제4 전압의레벨차이와상이한것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种包括多电平电池的交叉点存储器件及其操作方法。 根据本发明的技术特征的用于操作包括存储单元阵列的交叉点存储器件的方法，其中所述存储单元阵列包括多电平单元，包括以下步骤：主要经由多个单元读取所述多电平单元 感测操作的次数以确定第一状态; 并且其次通过多次感测操作读取多电平单元以确定第二状态。 在一次读取步骤中用于第一感测操作的第一电压和用于第二感测操作的第二电压之间的电平差与使用的第三电压之间的电平差不同 在第二读取步骤中用于第一感测操作和用于第二感测操作的第四电压。
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公开(公告)号：KR1020160019781A
公开(公告)日：2016-02-22
申请号：KR1020140104539
申请日：2014-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C5/025 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C11/1653 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0038 , G11C16/08 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/71 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 다수의레이어들을포함하는메모리장치및 이를포함하는메모리시스템이개시된다. 본발명의기술적사상에따른메모리장치는, 적어도하나의셀 레이어를포함하고, 각각의셀 레이어는다수의제1 라인들및 다수의제2 라인들을포함하는셀 영역및 적어도하나의제어레이어를포함하며, 상기제어레이어는상기셀 영역에대한메모리동작을위한다수개의회로영역들을포함하는제어영역을구비하고, 상기다수의제1 라인들은, 상기제어레이어의제1 회로영역으로부터의제1 신호를상기제어레이어의제2 회로영역으로전달하기위한적어도하나의제1 신호라인을포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了包括多个层的存储器件和包括该层的存储器系统。 根据本发明的技术思想，存储器件包括：包括至少一个单元层的单元区域，其中每个单元层包括多个第一线和多条第二线; 以及包括至少一个控制层的控制区域，其中所述至少一个控制层包括用于对所述单元区域执行存储器操作的多个电路区域。 多个第一线包括至少一个第一信号线，来自控制层的第一电路区域的第一信号通过该第一信号线传输到控制层的第二电路区域。
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公开(公告)号：KR1020160006034A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：KR1020140085363
申请日：2014-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0076 , G11C2213/71
Abstract: 저항성메모리장치및 저항성메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의일 실시예에따른저항성메모리장치의동작방법은, 기록커맨드에대응하여메모리셀들에대해프리리드동작을수행하는단계와, 기록데이터와프리리드된데이터를비교함에따라, 리셋기록동작을수행할하나이상의제1 메모리셀들에대해대해소거동작을수행하는단계및 소거된제1 메모리셀들및 셋기록동작을수행할하나이상의제2 메모리셀들중 적어도일부에대해셋 방향의프로그램을수행하는단계를구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了电阻式存储器件以及电阻式存储器件的操作方法。 根据本发明的实施例，电阻式存储器件的操作方法包括以下步骤：响应于记录命令对存储器单元执行预读操作; 对一个或多个第一存储器单元执行删除操作，以通过将记录数据与预读数据进行比较来执行复位记录操作; 以及在删除的第一存储单元的至少一部分上执行设定方向的程序，以及一个或多个第二存储单元，执行设定记录操作。
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公开(公告)号：KR1020160005549A
公开(公告)日：2016-01-15
申请号：KR1020140084618
申请日：2014-07-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C13/0002 , G11C13/0033 , G11C13/0035 , G11C13/0038 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/0407 , G11C2029/5006 , G11C2213/71
Abstract: 리키지전류를관리하는저항성메모리장치및 저항성메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른저항성메모리장치의동작방법은, 메모리셀 어레이에적어도하나의금지전압을제공하는단계와, 상기제공된금지전압에따라상기메모리셀 어레이에발생되는리키지전류를측정하는단계와, 상기측정된리키지전류에따른제어신호를전원발생기로피드백하는단계및 상기제어신호에따라상기금지전압의레벨을조절하는단계를구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种用于管理漏电流的电阻式存储器件，以及电阻式存储器件的操作方法。 根据本发明的技术思想，电阻式存储器件的操作方法包括以下步骤：向存储单元阵列提供至少一个禁止电压; 根据提供的禁止电压来测量在存储单元阵列中产生的漏电流; 根据检测到的漏电流给出控制信号回到发电状态; 并根据控制信号控制禁止电压的电平。
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