Patent search ap:("삼성전자주식회사") AND inv:"이선정" Page 6

51.

发明授权
반도체 소자의 이중 게이트 산화막 형성 방법 失效
Title translation: 制造半导体器件双氧化层的方法

公开(公告)号：KR100327349B1

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：KR1020010064778

申请日：2001-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정승필 , 장규환 , 이선정 , 이근택 , 박임수 , 이광욱 , 이문희

IPC: H01L21/31

Abstract: 반도체소자의이중게이트산화막형성방법을개시한다. 본발명에따르면산화막을플라즈마상태의수소가스및 불소를포함하는가스와화학적으로반응시킨후, 어닐링을실시하여상기화학적반응에의해생성된부산물을기화시키는공정을상기산화막이완전히식각될때 까지반복하여진행하는단계를포함함으로써, 산화막의하부막질을손상시키거나오염시키지않으면서도높은식각선택비를갖고산화막을패터닝하여반도체소자의이중게이트산화막을형성할수 있다.

Patent Agency Ranking