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公开(公告)号：KR1020170122094A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：KR1020160170838
申请日：2016-12-14
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
Abstract: 수산기함유 (메트)아크릴레이트및 알킬기함유 (메트)아크릴레이트를포함하는단량체혼합물로형성된점착필름이고, 상기점착필름은식 1의헤이즈변화율이 20% 이하, 식 2의모듈러스변화율이 20% 이하인것인, 점착필름, 이를포함하는광학부재및 이를포함하는광학표시장치가제공된다.
Abstract translation: （甲基）丙烯酸酯和含烷基的（甲基）丙烯酸酯，其中所述压敏粘合剂膜的雾度变化率为20％或更低，模量变化率为20％或更低 一种粘合膜，包括该粘合膜的光学构件以及包括该粘合膜的光学显示装置。
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公开(公告)号：KR1020170120982A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：KR1020160049622
申请日：2016-04-22
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
Inventor： 신선희 , 하마다켄지 , 강지원 , 곽병도 , 김용태 , 김일진 , 김지호 , 김지희 , 문성현 , 문형랑 , 이광환 , 이우진 , 이진영 , 조익환 , 한재현 , 황인철
CPC classification number: C09J7/00 , C09J4/00 , C09J7/255 , C09J11/06 , C09J2201/622 , C09J2203/318 , G02B5/20 , G02B5/3041
Abstract: -30℃내지 80℃에서 tan δ을측정하였을때, 상기 tan δ의최소값은 0℃내지 20℃에존재하고, 상기 tan δ의최소값은 0.2 내지 0.4 점착필름, 이를포함하는광학부재및 이를포함하는광학표시장치가제공된다.
Abstract translation: 正如黄褐色δ在-30℃至80℃测量时，所述正切δ的最小值存在于0℃至20℃，和正切δ的最小值是，包括光学部件，以及含有0.2相同的压敏粘合剂膜，以0.4它， 提供了一种光学显示装置。
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公开(公告)号：KR1020170120853A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：KR1020160049269
申请日：2016-04-22
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
IPC: C09J7/02 , G02B5/20 , G02B5/30 , C09J133/08 , C09J133/10 , C09J11/06 , B32B7/12 , B32B27/36
CPC classification number: C09J7/385 , B32B7/12 , B32B27/36 , C09J7/255 , C09J11/06 , C09J133/08 , C09J133/10 , C09J2201/622 , C09J2203/318 , G02B5/20 , G02B5/3041
Abstract: 수산기를갖는 (메트)아크릴계공중합체및 유기나노입자를포함하고, 식 1의전단강도의비가 1 내지 2인점착필름, 이를포함하는광학부재및 이를포함하는광학표시장치가제공된다.
Abstract translation: 提供包含具有羟基的有机纳米粒子的（甲基）丙烯酸共聚物和剪切强度比为1至2的粘合膜，包含该粘合膜的光学部件和包含该粘合膜的光学显示装置。
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公开(公告)号：KR1020170103617A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020160170835
申请日：2016-12-14
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
Abstract: 식 1의 25℃에서 tan δ의비가 1 내지 2, 식 2의 -20℃에서 tan δ의비가 0.1 내지 1.5이고, 수산기를갖는 (메트)아크릴산에스테르를포함하는단량체혼합물을포함하는점착제조성물로형성된것인점착필름, 이를포함하는광학부재및 이를포함하는광학표시장치가제공된다.
Abstract translation: 在25℃式1黄褐色δUIBI 1至2中，其特征在于，棕褐色δ为0.1至1.5，在式（2）为-20℃UIBI，具有压敏粘合剂组合物形成的羟基（甲基）包含含丙烯酸酯的单体混合物 包括该光学构件的光学构件以及包括该光学构件的光学显示装置。
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公开(公告)号：KR101659239B1
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：KR1020150150670
申请日：2015-10-29
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/041 , G02F1/1333 , H01L27/32
Abstract: 본발명의플렉시블디스플레이장치는광소자부; 상기광소자부상에형성된제1 점착필름; 상기제1점착필름상에형성된터치기능부; 상기터치기능부상에형성된제2 점착필름; 및상기제2 점착필름상에형성된윈도우필름을포함하고, 상기제1 점착필름또는제2 점착필름은온도가 x축(℃), 저장모듈러스가 y축(KPa)인온도에따른저장모듈러스의분포가, x축을기준으로 -20 ℃내지 80 ℃에서의평균기울기가 -9.9 내지 0이고, 상기제1 점착필름또는제2 점착필름은 80 ℃에서저장모듈러스가 10 KPa 이상인것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101622071B1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：KR1020150024448
申请日：2015-02-17
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
IPC: C09J7/02 , C09J11/06 , C09J4/00 , G02F1/1335
Abstract: 본발명의점착필름은온도에따른모듈러스의분포가, 온도를 x축(℃)으로하고, 모듈러스를 y축(KPa)으로할 때, -20 ℃및 80 ℃구간에서의평균기울기가 -9.9 내지 0이고, 80 ℃에서의모듈러스가 10 KPa 내지 1,000 KPa가될 수있다.
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公开(公告)号：KR1020080048310A
公开(公告)日：2008-06-02
申请号：KR1020060118552
申请日：2006-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32944 , H01L21/67288
Abstract: A plasma apparatus for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent the generation of an arc and to prevent damage of a wafer by using a digital signal processor. A power supply unit(110) supplies electric power to a plasma chamber(100). An electrical signal measurement unit(120) measures an electrical signal supplied to the plasma chamber and outputs a measured value. A control unit(130) receives the measured value outputted from the electrical signal measurement unit, compares the measured value with a predetermined range, and controls an operation of the power supply unit. The control unit includes an analog/digital converter(132) for converting the measured value to a digital signal, a digital signal processor(134) for comparing the digital signal with the predetermined range, and an interlock part(136) for controlling the operation of the power supply unit.
Abstract translation: 提供一种用于制造半导体器件的等离子体装置，以防止产生电弧并且通过使用数字信号处理器来防止晶片的损坏。 电源单元（110）向等离子体室（100）供电。 电信号测量单元（120）测量提供给等离子体室的电信号并输出测量值。 控制单元（130）接收从电信号测量单元输出的测量值，将测量值与预定范围进行比较，并控制电源单元的操作。 控制单元包括用于将测量值转换为数字信号的模拟/数字转换器（132），用于将数字信号与预定范围进行比较的数字信号处理器（134），以及用于控制操作的互锁部分（136） 的电源单元。
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公开(公告)号：KR100688980B1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050059283
申请日：2005-07-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 플라즈마 모니터링 장치와 플라즈마 모니터링 방법에 관한 것이다. 본발명에 따른 플라즈마 모니터링 장치는 플라즈마로부터의 광선 빔(light beam)을 감지하는 광학 센서와, 상기 광학 센서가 감지한 광선 빔으로부터 특정 영역 별로 방출 강도를 나타내는 발광분광분석기(emission spectrometer)와, 상기 특정 영역 별로의 방출 강도로부터 특정 물질의 농도변화를 계산하는 데이터 처리부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 플라즈마 내에서의 특정 물질의 농도를 실시간으로 관찰할 수 있는 플라즈마 모니터링 장치가 제공된다.
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公开(公告)号：KR100578138B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040025097
申请日：2004-04-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 적어도 두개의 혼합된 소스가스들을 분사하는 노즐들을 가진다. 각각의 상기 노즐은 하나의 통공이 형성되며 가스공급부로부터 소스가스들을 공급받는 단일부와 상기 단일부로부터 연장되며 하나 또는 복수의 통공들이 형성된 복합부를 가진다.
HDP-CVD, 노즐, 증착, 플라즈마-
公开(公告)号：KR100517542B1
公开(公告)日：2005-12-09
申请号：KR1019970062879
申请日：1997-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한재현
IPC: H01L27/06
Abstract: 본 발명은 배리어막의 산화를 최소화하는 고유전체 캐패시터의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성한다. 상기 층간절연막을 식각 하여 콘택홀을 형성한 후, 이를 도전막으로 채워서 콘택 플러그를 형성한다. 상기 콘택 플러그 상에 배리어막 및 캐패시터 하부전극을 차례로 형성하고, 상기 배리어막의 양측벽을 F를 포함하는 케미컬에 의한 건식식각 또는 습식 케미컬을 사용한 습식식각 방법을 사용하여 선택적으로 식각 함으로써, 상기 캐패시터 하부전극에 대해 리세스된 배리어막을 형성한다. 상기 리세스된 배리어막의 양측벽에 절연막으로 스페이서를 형성한다. 이와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의해서, 배리어막을 선택적으로 식각 하여 캐패시터 하부전극에 대해 리세스된 배리어막을 형성 함으로써 배리어막의 산화를 최소화시킬 수 있고, 배리어막 스페이서 형성시 캐패시터 하부전극의 양측 면적의 손실을 방지할 수 있으며, 그 재현성을 향상시킬 수 있다.
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