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公开(公告)号：KR100821348B1
公开(公告)日：2008-04-11
申请号：KR1020070011636
申请日：2007-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B5/127
Abstract: A read/write head structure of an information storage device and a manufacturing method thereof are provided to form an external interconnection pad easily by installing a metal pad electrically connected to a read/write head. A method for manufacturing a read/write head structure of an information storage device comprises the steps of: patterning an etching mask on a silicon wafer; slantly etching the silicon wafer in the sectional direction through dry or wet process using the patterned etching mask; removing the etching mask; forming a read/write head(13) on the upper part of the silicon wafer; forming a metal pad(15) electrically connected with the read/write head on a slant surface(14); and splitting the read/write head by cutting the slant surface of the silicon wafer.
Abstract translation: 提供信息存储装置的读/写头结构及其制造方法，通过安装与读/写头电连接的金属垫，容易地形成外部互连衬垫。 一种用于制造信息存储装置的读/写头结构的方法包括以下步骤：在硅晶片上图案化蚀刻掩模; 使用图案化的蚀刻掩模，通过干法或湿法在横截面方向上倾斜蚀刻硅晶片; 去除蚀刻掩模; 在所述硅晶片的上部形成读/写头（13）; 在倾斜表面（14）上形成与所述读/写头电连接的金属焊盘（15）; 以及通过切割硅晶片的倾斜表面来分割读/写头。
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公开(公告)号：KR100793369B1
公开(公告)日：2008-01-11
申请号：KR1020060063480
申请日：2006-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H04N1/028
Abstract: 본 발명은 분해능이 향상되는 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 감지 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이미지를 감지하기 위한 광전 변환 반도체 소자의 분해능을 변화시키기 않으면서 이미지의 분해능을 향상시키는 효과를 가지는 분해능이 향상되는 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 감지 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 분해능이 향상되는 이미지 센서는 광전 변환을 통하여 이미지를 감지하는 것으로서, 평면상에서 이동 가능한 스캐너부; 상기 스캐너부 상에 고정되어 장착되고, 전면에 배열된 다수의 화소를 가지는 광전 변환 반도체 소자; 및 상기 광전 변환 반도체 소자 상에 상기 화소에 대응하여 배열된 컬러 필터 어레이를 포함한다.
본 발명에 의하면 종래에 사용되는 광전 변환 반도체 소자를 그대로 사용하면서 종래에는 감지될 수 없었던 이미지의 데이터까지 감지하여 원가의 상승이나 성능의 저하 없이 이미지의 분해능이 향상되는 효과가 있다.
화소, 스캐너부, 광전 변환, 반도체 소자, 컬러 필터, 마이크로렌즈-
公开(公告)号：KR1020070109776A
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：KR1020060107484
申请日：2006-11-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: An electric field information reproducing head, an electric field information recording and reproducing head, a manufacturing method thereof, and an information keeping device thereof are provided to perform a mass production on a wafer easily and to improve reliability and economic efficiency. In an electric field information reproducing head(10), a medium corresponding surface includes a semiconductor substrate(11) having a resistance area(12) and a source and drain area(13,14). The resistance area is positioned at a center portion of one end and doped with a foreign material at low concentration. The source and drain area is positioned at both sides of the resistance area and doped with the foreign material at higher concentration than the resistance area. An electric field information recording and reproducing head includes an insulation screen positioned on the resistance area, and a writing electrode positioned on the insulation screen, additionally. An information keeping device thereof includes an information keeping medium having a recording layer formed by a strong dielectric body. A manufacturing method thereof includes a step of forming the resistance area at the medium corresponding surface by doping the other foreign material whose polarity is different from the polarity of the foreign material for the semiconductor substrate.
Abstract translation: 提供电场信息再现头，电场信息记录和再现头，其制造方法和信息保存装置，以容易地在晶片上进行批量生产，并提高可靠性和经济效率。 在电场信息再现头（10）中，介质对应表面包括具有电阻区域（12）和源极和漏极区域（13,14）的半导体衬底（11）。 电阻区域位于一端的中心部分，并以低浓度掺杂异物。 源极和漏极区域位于电阻区域的两侧，并且以比电阻区域更高的浓度掺杂异物。 电场信息记录和再现头包括位于电阻区域上的绝缘屏幕和位于隔离屏幕上的书写电极。 其信息保存装置包括具有由强介电体形成的记录层的信息保存介质。 其制造方法包括通过掺杂其极性与用于半导体衬底的异物的极性不同的其它异物形成在介质对应表面处的电阻区域的步骤。
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公开(公告)号：KR100723410B1
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020050075250
申请日：2005-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N13/16
CPC classification number: G11B9/1418 , G01Q70/10 , G01Q70/14 , G01Q70/16 , G01Q80/00
Abstract: 자기정렬된 메탈쉴드를 구비한 저항성 탐침의 제조방법이 개시된다. 개시된 자기정렬된 메탈쉴드를 구비한 저항성 탐침의 제조방법은, 기판 상에서 상기 저항성 팁 상에 제1절연층, 메탈 쉴드 및 제2절연층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 제2절연층을 식각하여 저항영역 상의 상기 메탈 쉴드를 노출하는 단계; 상기 노출된 메탈쉴드를 식각하는 단계; 상기 제1절연층을 식각하여 상기 저항영역을 노출하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 公开了一种制造具有自对准金属屏蔽的电阻探针的方法。 一种制造具有自对准金属屏蔽的电阻探针的方法包括：在衬底上的电阻性尖端上顺序沉积第一绝缘层，金属屏蔽和第二绝缘层; 蚀刻第二绝缘层以暴露电阻区上的金属屏蔽; 蚀刻暴露的金属屏蔽层; 并通过蚀刻第一绝缘层来暴露电阻区域。
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公开(公告)号：KR1020070020889A
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020050075250
申请日：2005-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N13/16
CPC classification number: G11B9/1418 , G01Q70/10 , G01Q70/14 , G01Q70/16 , G01Q80/00
Abstract: 자기정렬된 메탈쉴드를 구비한 저항성 탐침의 제조방법이 개시된다. 개시된 자기정렬된 메탈쉴드를 구비한 저항성 탐침의 제조방법은, 기판 상에서 상기 저항성 팁 상에 제1절연층, 메탈 쉴드 및 제2절연층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 제2절연층을 식각하여 저항영역 상의 상기 메탈 쉴드를 노출하는 단계; 상기 노출된 메탈쉴드를 식각하는 단계; 상기 제1절연층을 식각하여 상기 저항영역을 노출하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100682921B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050005535
申请日：2005-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침이 개시된다. 개시된 수직 PN 접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침은, 기판의 일측에서 연장된 캔티레버의 자유단에 형성된 팁과, 상기 캔티레버의 일면 상에 형성되어서 상기 캔티레버의 수직변형에 따라 저항이 변하는 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한다. 상기 PN접합 압전저항센서는: 상기 캔티레버의 일면에서 상기 캔티레버의 길이방향으로 n형불순물로 도핑된 n형 영역과, 상기 n형 영역의 표면에서 p형 불순물로 도핑된 p형 영역으로 이루어진 PN 접합구조를 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020070014464A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050069115
申请日：2005-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11B9/02 , Y10S977/947 , Y10T428/31678 , H01L29/6684
Abstract: A ferroelectric recording medium is provided to increase the data recording density of a ferroelectric recording medium at least two times as fast as that of a conventional technique by including at least two data recording layers in which bit data can separately be recorded in one supporting layer corresponding to a unit recording layer of a conventional ferroelectric recording medium. A support layer(42) is formed on a substrate(40), having at least two lateral surfaces that are separated from each other and confront each other. A data recording layer is formed on the lateral surfaces of the support layer, composed of first and second data recording layers(44,46). The support layer can be a polyhedral pillar having at least four lateral surfaces.
Abstract translation: 提供铁电记录介质以将铁电记录介质的数据记录密度提高至传统技术的数据记录密度的两倍，通过包括至少两个数据记录层，其中位数据可以分别记录在对应的一个支撑层中 到常规铁电记录介质的单位记录层。 支撑层（42）形成在基板（40）上，具有至少两个彼此分离并相互面对的侧表面。 数据记录层形成在由第一和第二数据记录层（44,46）组成的支撑层的侧表面上。 支撑层可以是具有至少四个侧表面的多面体柱。
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公开(公告)号：KR100668336B1
公开(公告)日：2007-01-12
申请号：KR1020050029079
申请日：2005-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G05F1/10
CPC classification number: H02N1/008
Abstract: 액츄에이터 장치 및 그의 액츄에이팅 방법이 개시된다. 그 액츄에이터 장치는, 제어하고자 하는 대상의 변위를 고정콤전극과 이동콤전극 사이의 전압을 조절함으로써 제어하는 정전형 액츄에이터에 있어서, 액츄에이터 구동신호와 소정의 반송신호를 이용하여 펄스 폭 변조하여 액츄에이터 제어신호를 생성하는 액츄에이터 제어신호 생성부; 및 상기 고정콤전극 및 상기 이동콤전극을 포함하며, 상기 액츄에이터 제어신호에 따라 상기 전압이 조절되는 액츄에이터를 포함함을 특징으로 한다. 그러므로, 본 발명은 액츄에이터 구동신호의 전압이 높고 반송신호의 주파수가 높은 경우에도 펄스 폭 변조된 액츄에이터 구동신호에 의해 용이하게 제어될 수 있는 효과를 갖는다.
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公开(公告)号：KR100634552B1
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：KR1020050112965
申请日：2005-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01Q60/54
Abstract: An electric field sensing probe with a separate sensor and an information storage device having the probe are provided to manufacture tips with the same shape by using a single mask for forming the tips. An electric field sensing probe includes a cantilever(110), a sensing region(140), a first wire(122), and second and third wires(142,144). The cantilever includes a conductive tip protruded from the end of the cantilever, and a protrusion portion, which is apart from the tip. The sensing region is formed on the protrusion portion. The first wire is electrically connected to the conductive tip. The second and third wires are electrically connected to both sides of the sensing region, respectively.
Abstract translation: 提供具有单独传感器的电场感测探针和具有探针的信息存储装置，以通过使用用于形成尖端的单个掩模来制造具有相同形状的尖端。 电场感测探针包括悬臂（110），感测区域（140），第一导线（122）以及第二导线和第三导线（142,144）。 悬臂包括从悬臂端部突出的导电尖端和远离尖端的突出部分。 感测区域形成在突起部分上。 第一导线电连接到导电尖端。 第二导线和第三导线分别电连接到感测区域的两侧。
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60.发明授权강유전막을 포함하는 기록매체, 이를 포함하는 비휘발성메모리 소자, 이러한 메모리 소자의 데이터 기록 및재생방법 失效包含铁电层的记录材料，包含该记录材料的非易失性存储装置以及用于存储装置的数据的写入和读取的方法
公开(公告)号：KR100561858B1
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：KR1020040002925
申请日：2004-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
Abstract: 강유전막을 포함하는 기록매체, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자, 이러한 메모리 소자의 데이터 기록 및 재생방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 순차적으로 적층된 하부전극, 상기 하부전극 상에 형성되어 있고 데이터가 기록되는 강유전막, 상기 강유전막 상에 형성된 장벽층 및 상기 장벽층 상에 형성된 반도체층을 포함하는 기록매체를 제공한다. 그리고 이러한 기록매체와 함께 데이터 기록 및 재생에 사용되는 탐침을 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 기록매체를 제공한다. 또한, 반도체층에 접촉된 탐침과 상기 하부전극에 기록전압을 인가하는 데이터 기록방법을 제공하고, 상기 탐침과 상기 반도체층에 읽기전압을 인가하여 상기 강유전막의 잔류분극상태를 판별하는 데이터 재생방법을 제공한다.
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