公开(公告)号：KR101291153B1

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：KR1020100139624

申请日：2010-12-30

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이종람 ,  송양희 ,  김범준

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/508

Abstract: 본 발명은 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 발광다이오드는 도전성 기판 상에 형성된 p형 전극, 상기 p형 전극 상에 형성된 p형 질화물 반도체층, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 n형 질화물 반도체층 및 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함하여 구성되고, 상기 n형 질화물 반도체층의 일부 영역에 요철부가 형성되어 있고, 상기 n형 전극은 상기 n형 질화물 반도체층에 형성되어 있는 요철부의 철부 상에 형성되어 있고, 상기 n형 질화물 반도체층에 형성되어 있는 요철부의 요부에는 형광체가 채워진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 형광체의 도포 면적 및 형광변환효율을 획기적으로 증가시킬 수 있는 새로운 구조의 발광다이오드 및 그 제조방법이 제공되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101186556B1

公开(公告)日：2012-10-08

申请号：KR1020100063839

申请日：2010-07-02

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이종람 ,  송양희

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체와 강철을 기반으로 하는 기판의 접합방법과 이를 통한 화합물 반도체 소자에 관한 것이다. 금속을 기반으로 하고 있는 강철 기판과 화합물반도체 기판을 접합하기 위하여 두 기판 위에 금속접합층을 각각 형성하고, 두 기판의 금속접합층을 마주 보게 한 상태에서 금속접합층의 녹는점 이상의 온도를 유지하면서 일정압력을 인가한다. 그러면, 두 금속접합층이 서로 확산되어 두 기판 사이에 접합이 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020120084839A

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：KR1020110006114

申请日：2011-01-21

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이종람 ,  손준호 ,  송양희 ,  김범준 ,  유철종 ,  김종욱

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0091

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a vertical LED using a LED epilayer grown on a patterned sappaire substrate and a vertical LED manufactured thereby are provided to improve optical extraction efficiency without an additional patterning process by transferring a pattern formed on a sapphire substrate after laser lift-off on a surface of an n-type nitride gallium semiconductor. CONSTITUTION: A gallium nitride semiconductor layer is grown up on a sapphire substrate on which a pattern is formed(S10). Surface roughness on a rear side of the sapphire substrate is controlled(S20). A vertical type LED structure is formed on a surface of the p-type gallium nitride semiconductor layer(S30). The sapphire substrate is separated by using a laser(S40). A surface of the gallium nitride semiconductor layer is processed(S50). An electrode is formed(S60).

Abstract translation: 目的：提供一种使用在图案化基板上生长的LED外延层和由此制造的垂直LED的垂直LED的制造方法，以提高光学提取效率，而无需额外的图案化工艺，通过在激光提升之后转印在蓝宝石衬底上形成的图案， 在n型氮化镓半导体的表面上脱落。 构成：在其上形成有图案的蓝宝石衬底上生长氮化镓半导体层（S10）。 控制蓝宝石衬底背面的表面粗糙度（S20）。 在p型氮化镓半导体层的表面上形成垂直型LED结构（S30）。 通过使用激光来分离蓝宝石衬底（S40）。 处理氮化镓半导体层的表面（S50）。 形成电极（S60）。

公开(公告)号：KR1020120077600A

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：KR1020100139624

申请日：2010-12-30

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이종람 ,  송양희 ,  김범준

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/508

Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to greatly increase a fluorescent coating area by inserting a fluorescent substance into the light emitting diode of a pillar type or a hole type. CONSTITUTION: A p-type nitride semiconductor layer(120) is formed on a P-type electrode. An active layer is formed on the p-type nitride semiconductor layer. An n-type nitride semiconductor layer(140) is formed on the active layer. An N-type electrode(180) is formed on the n-type nitride semiconductor layer. An uneven portion is formed on a partial area on the n-type nitride semiconductor layer. The N-type electrode is formed on the convex portion of the uneven portion formed on the n-type nitride semiconductor layer. The concave portion of the uneven portion formed on the n-type nitride semiconductor layer is filled with a fluorescent substance.

Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，通过将荧光物质插入到柱状或孔型的发光二极管中，大大增加荧光涂布面积。 构成：P型氮化物半导体层（120）形成在P型电极上。 在p型氮化物半导体层上形成有源层。 在有源层上形成n型氮化物半导体层（140）。 在n型氮化物半导体层上形成N型电极（180）。 在n型氮化物半导体层的局部区域上形成有不平坦部。 N型电极形成在形成在n型氮化物半导体层上的凹凸部的凸部上。 在n型氮化物半导体层上形成的凹凸部的凹部填充有荧光物质。

公开(公告)号：KR101077771B1

公开(公告)日：2011-10-28

申请号：KR1020090084086

申请日：2009-09-07

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 ,  서울바이오시스 주식회사

Inventor： 이종람 ,  송양희 ,  손준호

IPC: H01L33/38

Abstract: 이와같은반도체발광소자에서나노도트층/접촉층/반사층/확산방지층/캡핑층을포함하는다층구조의오믹전극은질화물반도체의질소극성면에형성되고, 추가적인열처리공정을거치지않았음에도불구하고, 낮은오믹저항및 높은광 반사도를유지할수 있다.

公开(公告)号：KR1020110088469A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：KR1020110045435

申请日：2011-05-14

Applicant: 서울바이오시스 주식회사 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이종람 ,  송양희 ,  손준호

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/387

Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to prevent the degradation of optical power according to optical absorption by an ohmic electrode in which reflectance is excellent and to print out the current according to the high-current approval without separate heat treatment. CONSTITUTION: A semiconductor layer(120) has a light emitting structure. An ohmic electrode comprises a nano dot layer, a contact layer, a reflecting layer, a diffusion stopper, and a capping layer formed on the semiconductor layer. The nano dot layer is formed on a nitrogen pole surface of an above semiconductor layer and is formed into one or more materials among Ag, Al, and Au. The contact layer is formed into one or more materials among Ni, Ni-Ti alloy, Ni-Al alloy, Ti-Al alloy, mg-Al alloy, Ta, Ti, W, and W-Ti alloy. The reflecting layer is formed into one or more materials among Al, Ag, Ag-Al alloy, Ag-Cu alloy, Ag-In alloy, Ag-Mg alloy, Al-Cu alloy, Al-In alloy, and Al-Mg alloy. The diffusion stopper is formed into one or more materials among the Ti, Cr, Ru, Pt, Ni, Pd, Ir, Rh, Nb W, W-Ti alloy or one or more oxide films among RuOx, NiOx, IrOx, RhOx, NbOx, TiOx, TaOx, and CrOx.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以防止由反射率优异的欧姆电极的光吸收导致的光功率的劣化，并且根据高电流认证而不分开的热量来印刷电流 治疗。 构成：半导体层（120）具有发光结构。 欧姆电极包括形成在半导体层上的纳米点层，接触层，反射层，扩散阻挡层和覆盖层。 纳米点层形成在上述半导体层的氮极表面上，并且在Ag，Al和Au中形成一种或多种材料。 接触层在Ni，Ni-Ti合金，Ni-Al合金，Ti-Al合金，mg-Al合金，Ta，Ti，W和W-Ti合金中形成一种或多种材料。 Al，Ag，Ag-Al合金，Ag-Cu合金，Ag-In合金，Ag-Mg合金，Al-Cu合金，Al-In合金和Al-Mg合金中的一种或多种材料形成反射层 。 扩散阻挡层在RuOx，NiOx，IrOx，RhOx等中形成Ti，Cr，Ru，Pt，Ni，Pd，Ir，Rh，NbW，W-Ti合金或一种以上氧化物膜中的一种以上的材料， NbO x，TiO x，TaO x和CrO x。