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公开(公告)号:KR1020050115480A
公开(公告)日:2005-12-08
申请号:KR1020040040445
申请日:2004-06-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/0419 , H01M4/0471 , H01M4/587 , H01M4/624 , H01M10/052 , Y02E60/12
Abstract: 본 발명은 가스매체로 부유시킨 흑연계 또는 코크스계 탄소입자에 실리콘 전구체 또는 금속염이 용해된 용액을 전기영동방식으로 분사시키면서 건조 및 열분해를 시행한다. 가스매체로 부유된 탄소입자 표면에는 실리콘, 실리콘-금속 또는 실리콘-금속산화물 층이 클러스터 형태로 수십 나노미터 두께로 균일하게 코팅된다. 또한, 코팅된 탄소입자에 추가로 수 ~ 수십 나노미터 두께의 전도성카본층을 균일하게 형성시킬 수 있다. 이에 따라 전도성 및 고율 충방전 특성이 우수하고, 탄소의 이론용량 보다 최소 30%를 상회하는 전극용량을 나타내며, 싸이클 수명이 우수한 리튬이차전지용 음극활물질을 제공할 수 있다.
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公开(公告)号:KR100496647B1
公开(公告)日:2005-06-22
申请号:KR1020020083608
申请日:2002-12-24
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 다수의 절연성 세라믹 후막이 적층되어 일체로 형성된 적층 기판으로 구성되며, 상기 적층 기판을 구성하는 세라믹 후막들 중 적어도 하나 이상의 세라믹 후막은 적어도 일면에 후막 재료인 세라믹 물질보다 열전도율이 높은 물질로 열 이동 경로가 인쇄되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의한 세라믹 기판은 기판 내에 발생한 열을 효과적으로 제거하는데 있어서, 원하는 방향으로 대부분의 열을 신속하게 제거함으로써 열에 취약한 기판 주위의 부분으로 열이 전달되는 것을 억제할 수 있는 장점이 있다.
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公开(公告)号:KR1020010077213A
公开(公告)日:2001-08-17
申请号:KR1020000004862
申请日:2000-02-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/584 , C04B35/565
CPC classification number: C04B35/5755 , C04B35/5935 , C04B35/62645 , C04B35/6316 , C04B35/632 , C04B35/645
Abstract: PURPOSE: A preparation method of Si3N4/SiC ultrafine composite material using polymer instead of SiC powder is provided which is characterized in that ultrafine SiC is homogeneously dispersed over Si3N4 matrix. Accordingly, the resultant composite material has much decreased agglomeration and defects compared with a conventional Si3N4/SiC composite material. CONSTITUTION: The Si3N4/SiC ultrafine composite material is prepared by the following steps: mixing Si3N4 with sintering aids, as 1-4wt.% of Al2O3, 3-8wt.% of Y2O3, 1-3wt.% of MgO and drying the mixture; adding a polymer for forming thermal decomposition C, inorganic or organic binder and water to be a paste, wherein the polymer is polystyrene, phenol resin or polypropylene, the inorganic binder is clay and organic binder is vinyl acetate, methylcellulose or poethyleneglycol; injection molding or extrusion molding it; heating it to 350deg.C to remove water and binder; heating it to 1000-1400deg.C and holing for 4hrs.; sintering it at 1900-2100deg.C for 2-4hrs. under the pressure of 20-3000atm, N2 gas.
Abstract translation: 目的:提供使用聚合物代替SiC粉末的Si3N4 / SiC超细复合材料的制备方法,其特征在于超细SiC在Si3N4基体上均匀分散。 因此,与常规的Si 3 N 4 / SiC复合材料相比,所得的复合材料具有大大降低的附聚和缺陷。 构成:通过以下步骤制备Si3N4 / SiC超细复合材料:将Si 3 N 4与烧结助剂混合,分别为1-4重量%的Al 2 O 3,3-8重量%的Y 2 O 3,1-3重量%的MgO,并干燥混合物 ; 添加用于形成热分解的聚合物C,无机或有机粘合剂和水作为糊料,其中聚合物为聚苯乙烯,酚醛树脂或聚丙烯,无机粘合剂为粘土,有机粘合剂为乙酸乙烯酯,甲基纤维素或聚乙二醇; 注塑或挤出成型; 加热至350℃以除去水和粘合剂; 加热至1000-1400℃,打孔4小时。 在1900-2100℃烧结2-4小时。 在20-3000atm的压力下,N2气。
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公开(公告)号:KR1019970015467A
公开(公告)日:1997-04-28
申请号:KR1019970001374
申请日:1997-01-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C02F1/28
Abstract: 본 발명은 필터를 세척하는 제트 분사 시스템을 갖는 정수 장치에 관한 것으로, 노즐형 분사구(1a, 1b)를 통해서 수도관에 연결되고 하부면 중앙부에 정수된 물이 배출되는 배출구(2a)가 형성되고 주연 방향 하단에 필터 세척시의 물이 배출되는 배출구(11a)가 형성된 정수통(2)과, 이 정수통(2) 내의 물을 정수하여 정수통의 배출구(2a)를 통해서 배출하도록 배치된 세라믹 튜브(3)와, 밸브(6d) 및 적절한 관을 통해서 정수통(2)에 연결되고 주연 방향 하단에 배출구(11b)를 갖춘 저장통(4)을 포함한다. 또한, 역세척 제트 분사 시스템을 갖는장치는 상기 구성에 더하여, 수돗물이 유입되도록 밸브(6a)를 거쳐 수도관에 연결되고 주연 방향 하단부에배출구(11c)를 갖춘 역세척통(5)과, 이 역세척통(5) 안에 들어 있고 밸브(6d) 및 적절한 관을 통해서 정수통의배출구(2a)에 연통된 수축 및 확장가능한 백(8)을 포함한다. 이로써, 수돗물만에 의한 낮은 수압으로도 필터를 역세척할 수 있게 된다.
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