웨이퍼 레벨 몰딩 장치 및 웨이퍼 레벨 몰딩 방법
    51.
    发明公开
    웨이퍼 레벨 몰딩 장치 및 웨이퍼 레벨 몰딩 방법 有权
    WAFER水平成型设备和水平成型方法

    公开(公告)号:KR1020140104124A

    公开(公告)日:2014-08-28

    申请号:KR1020130017867

    申请日:2013-02-20

    Abstract: The present invention relates to a wafer level molding apparatus and a wafer level molding method. More particularly, the present invention relates to a wafer level molding apparatus, which easily realizes a thin molding by molding a semiconductor chip attached onto a wafer by a molding compound which is diffused by a spin coating method in the wafer level molding process of a wafer level semiconductor package manufacturing process, and a wafer level molding method.

    Abstract translation: 本发明涉及一种晶片级成型装置和晶片级成型方法。 更具体地,本发明涉及一种晶片级成型装置,其通过在晶片的晶片级成型工艺中通过旋涂法扩散的模塑料来模制附着在晶片上的半导体芯片,从而容易地实现薄的成型 级半导体封装制造工艺和晶片级成型方法。

    반도체칩 픽킹장치
    52.
    发明授权
    반도체칩 픽킹장치 有权
    半导体器件采摘装置

    公开(公告)号:KR101378782B1

    公开(公告)日:2014-03-28

    申请号:KR1020120090450

    申请日:2012-08-20

    Abstract: 본 발명은 반도체 칩들이 복수열의 수납칸들에 각각 수납된 반도체칩 트레이로부터 한 열의 반도체 칩들을 흡착하여 픽업하기 위한 반도체칩 픽킹장치에 관한 것으로서, 반도체 칩의 개수 및 피치에 따라 진공 헤드에 결합되는 흡착 툴만을 교체하여 사용함으로서, 피커의 간격을 조절할 필요가 없고 반도체 칩의 종류에 따른 장치의 타입 교체를 신속하고 용이하게 할 수 있는 반도체칩 픽킹장치에 관한 것이다.

    분말분사제어장치
    53.
    发明授权
    분말분사제어장치 有权
    粉饼控制装置

    公开(公告)号:KR101261588B1

    公开(公告)日:2013-05-06

    申请号:KR1020100108078

    申请日:2010-11-02

    Abstract: 본발명은분말을정량씩포집하고분사하는자동화된분말분사제어장치에관한것으로더욱상세하게는공기흡입력을이용하여분말의사용량을간편하게정량씩포집하고, 공기배출력을이용하여포집된분말을간편하게배출하는과정을연속적으로수행하는분말분사제어장치에관한것이다.

    칩 적층용 절연필름, 그 제조방법 및 이를 이용한 칩 적층방법
    54.
    发明授权
    칩 적층용 절연필름, 그 제조방법 및 이를 이용한 칩 적층방법 有权
    用于安装芯片的绝缘膜,其制造方法以及使用其安装芯片的方法

    公开(公告)号:KR101229660B1

    公开(公告)日:2013-02-04

    申请号:KR1020110032715

    申请日:2011-04-08

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 칩 적층용 절연필름, 그 제조방법 및 이를 이용한 칩 적층방법이 제공된다.
    본 발명에 따른 칩 적층용 절연필름은 절연층(110); 및 상기 절연층 내부에 구비되는 금속패턴(120)을 포함하며, 여기에서 상기 금속패턴은 칩 적층방향으로 연장되는 제 2 금속라인(122); 및 상기 제 2 금속라인으로부터 소정 길이만큼 수직 연장되는 복수 개의 제 1 금속라인(121)으로 이루어진 것을 특징으로 하며, 본 발명은 적층칩 층간의 전기적인 인터커넥션을 형성하기 위하여 금속 패턴이 형성된 절연필름을 이용하여 열압착본딩으로 적층하므로 생산성이 높은 장점이 있다. 또한, 패드의 신호선과 칩의 측면의 절연을 위한 절연층을 형성할 필요가 없기 때문에 적층 공정이 단순한 장점이 있으며, 패드의 크기 및 간격과 무관하게 적층 칩 사이의 층간 전기적인 인터커넥션을 형성하므로 공정의 적용 범위가 넓은 장점이 있다. 더 나아가, 본 발명에 따른 절연필름은 구조가 간단하여 필름 제작 공정이 간단한 장점이 있다.

    열전 소자 제조방법
    55.
    发明授权
    열전 소자 제조방법 有权
    制造热电元件的方法

    公开(公告)号:KR101207300B1

    公开(公告)日:2012-12-03

    申请号:KR1020120082287

    申请日:2012-07-27

    CPC classification number: H01L35/34 H01L35/16 H01L35/18

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thermoelement is provided to automatize a soldering process of a thermoelectric material and an electrode by thermally compressing an N-type or P-type thermoelectric material layer after alternatively deposing the thermoelectric material layers. CONSTITUTION: A Bi layer and a Te layer are alternatively deposited on an N-type thermoelectric material(N). Electrodes(9a,9b) of a substrate are arranged on the thermoelectric material on which the Bi layer and the Te layer are deposited. The electrode of the substrate and the thermoelectric material are thermally compressed. The Bi layer and the Te layer are transformed into a Bi-Te compound. At the same time, the electrode of the substrate and the thermoelectric material are soldered.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造热电偶的方法,用于通过热交换热电材料层之后热压N型或P型热电材料层来自动化热电材料和电极的焊接工艺。 构成:将Bi层和Te层交替沉积在N型热电材料(N)上。 将基板的电极(9a,9b)布置在其上沉积有Bi层和Te层的热电材料上。 基板的电极和热电材料被热压缩。 Bi层和Te层转变成Bi-Te化合物。 同时,焊接基板的电极和热电材料。

    절연필름을 이용한 칩 적층방법, 이에 의하여 적층된 칩, 이를 위한 절연필름 및 그 제조방법
    56.
    发明公开
    절연필름을 이용한 칩 적층방법, 이에 의하여 적층된 칩, 이를 위한 절연필름 및 그 제조방법 有权
    使用绝缘膜安装芯片的方法,由其安装的芯片,其绝缘膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120114889A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:KR1020110032714

    申请日:2011-04-08

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: PURPOSE: A chip lamination method, a chip laminated with the same, an insulating film, and a manufacturing method thereof are provided to widen a range of application of a process by forming electrical interconnection to a lamination chip. CONSTITUTION: A plurality of metal patterns(120) is included inside an insulating layer(110). An insulating film is inserted into a separate space between chips as predetermined length. A chip pad is welded at the upper side of the chips. A metal pattern is composed of a metal line. One or more chip pads are commonly welded in the metal pattern with thermo-compression bonding method, an ultrasonic wave welding method, or a thermal ultrasonic wave welding method.

    Abstract translation: 目的:提供一种芯片层压方法,与其层叠的芯片,绝缘膜及其制造方法,通过与层压芯片形成电互连来扩大工艺的应用范围。 构成:多个金属图案(120)包括在绝缘层(110)内。 将绝缘膜插入到芯片之间的单独空间中,作为预定长度。 在芯片的上侧焊接芯片焊盘。 金属图案由金属线组成。 通常使用热压接法,超声波焊接法或热超声波焊接法将一个或多个芯片焊盘焊接在金属图案中。

    반도체 칩 적층 패키지 및 그 제조 방법
    57.
    发明授权
    반도체 칩 적층 패키지 및 그 제조 방법 有权
    半导体芯片堆栈及其制造方法

    公开(公告)号:KR101172533B1

    公开(公告)日:2012-08-10

    申请号:KR1020120008015

    申请日:2012-01-26

    CPC classification number: H01L25/073 H01L23/481 H01L23/522 H01L24/26

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor chip stack package and a manufacturing method thereof are provided to improve processing efficiency since a bump and a pad to connect a plurality of chips are omitted by forming a melting metal part on all via holes through a formation step of the melting metal part. CONSTITUTION: A first lamination chip is bonded to one side of a reference chip(S10). A thickness of the first lamination chip is controlled by thinning a side of the first lamination chip(S20). A via hole is formed in a predetermined area of the reference chip and the first lamination chip(S30). The thickness of the reference chip is controlled by thinning the side where the first lamination chip of the reference chip is not bonded(S40). A melting metal part is formed by filling all via holes formed on the reference chip and the first lamination chip with molten metal(S50).

    Abstract translation: 目的:提供一种半导体芯片堆叠封装及其制造方法,以提高处理效率,因为通过熔融金属的形成步骤在所有通孔上形成熔融金属部分,省略了连接多个芯片的凸块和焊盘 部分。 构成:将第一层压芯片接合到参考芯片的一侧(S10)。 通过使第一层叠芯片的一侧变薄来控制第一层叠芯片的厚度(S20)。 在参考芯片和第一层压芯片的预定区域中形成通孔(S30)。 参考芯片的厚度通过使参考芯片的第一层叠芯片未接合的一侧变薄来控制(S40)。 熔融金属部分是通过用熔融金属填充在基准芯片和第一层压芯片上形成的所有通孔来形成的(S50)。

    선박의 위치 또는 모션 측정방법
    58.
    发明公开
    선박의 위치 또는 모션 측정방법 有权
    船舶的位置或运动检测方法

    公开(公告)号:KR1020120025027A

    公开(公告)日:2012-03-15

    申请号:KR1020100085376

    申请日:2010-09-01

    Abstract: PURPOSE: A vessel location or motion measurement method is provided to accurately measure location and motion values of a vessel on a real time basis. CONSTITUTION: A sensor interface module synchronizes time(S100). A DGPS(Differential Global Positioning System) mobile station module transmits location data to the sensor interface module(S230). The sensor interface module measures a location or motion of each place based on the location data(S250). A main controller receives location or motion data of each place. The main controller calculates a roll/pitch and displays coordinate data(S350). A central controller monitors an entire system by receiving roll/pitch data from the main controller(S500).

    Abstract translation: 目的:提供船舶位置或运动测量方法,以实时准确测量船舶的位置和运动值。 构成:传感器接口模块同步时间(S100)。 DGPS(差分全球定位系统)移动站模块将位置数据发送到传感器接口模块(S230)。 传感器接口模块基于位置数据测量每个位置的位置或运动(S250)。 主控制器接收每个地方的位置或运动数据。 主控制器计算滚动/俯仰并显示坐标数据(S350)。 中央控制器通过从主控制器接收滚动/俯仰数据来监视整个系统(S500)。

    평면 이송장치
    60.
    发明授权
    평면 이송장치 有权
    平面进给装置

    公开(公告)号:KR101097758B1

    公开(公告)日:2011-12-22

    申请号:KR1020090069483

    申请日:2009-07-29

    Abstract: 본발명의주요특징은, 베이스; 상기베이스상에위치하는캐리어; 상기캐리어를 4방향으로탄력지지하는플렉서블지지체; 및상기플렉서블지지체의당김력을조절하여상기캐리어의이동위치를제어하는컨트롤러;를포함하여구성된것이다.

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