公开(公告)号：KR1020140026678A

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：KR1020120091874

申请日：2012-08-22

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안세진 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  조준식 ,  박상현 ,  어영주 ,  유진수 ,  박주형

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a CIGS thin film which does not require an additional Se supply during rapid thermal processing (RTP), by performing the rapid thermal processing after forming a Cu-In-Ga-Se precursor thin film containing a Se component. Specifically, the method for manufacturing a CIGS thin film comprises the steps of forming a Cu-In-Ga-Se precursor thin film containing selenium in a substrate (step a); and performing rapid thermal processing to the precursor thin film formed in step a at a temperature exceeding 400°C and below 600°C and at a pressure of 1 to 760 torr for 1 to 30 minutes (step b). The present invention allows the precursor thin film to contain a sufficient amount of Se in itself in the process of manufacturing the CIGS precursor thin film. Therefore the precursor thin film does not require an additional Se supply during the rapid thermal processing, thereby minimizing loss of Se from controlling the rapid thermal processing conditions and providing a high crystalline CIGS thin film.

Abstract translation: 本发明涉及一种在快速热处理（RTP）中不需要额外的Se供应的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，在形成含有Cu-In-Ga-Se前体薄膜的Cu-In-Ga-Se前体薄膜之后进行快速热处理 Se组件。 具体地说，制造CIGS薄膜的方法包括以下步骤：在衬底中形成含有硒的Cu-In-Ga-Se前体薄膜（步骤a）。 对步骤a中形成的前体薄膜，在超过400℃，600℃以下，1〜760托的压力下进行1〜30分钟的快速热处理（步骤b）。 本发明允许前体薄膜在制造CIGS前体薄膜的过程中本身含有足够量的Se。 因此，前体薄膜在快速热处理期间不需要额外的Se供应，从而使得Sn的损失最小化以控制快速热处理条件并提供高结晶CIGS薄膜。

公开(公告)号：KR101367760B1

公开(公告)日：2014-02-28

申请号：KR1020120010638

申请日：2012-02-02

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  신기식 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  안승규 ,  조준식 ,  유진수 ,  조아라 ,  박상현 ,  박주형

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0326 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막에 개시된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계 나노입자를 제조하는 단계(단계 a); CI(G)S계 나노입자와 녹는점이 30~400℃ 범위에 있는 플럭스를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계(단계 b); 슬러리를 기판에 비진공 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 c); CI(G)S계 전구체 박막을 건조시키는 단계(단계 d); 및 CI(G)S계 전구체 박막을 셀레늄증기를 이용하여 셀렌화 열처리하는 단계(단계 e); 를 포함한다. 이에 의하여, 종래 CI(G)S계 박막의 형성에서보다 낮은 온도로 셀렌화 열처리가 가능하여 제조비용을 절감하면서도, 낮은 온도에서도 박막 내 결정성장이 충분히 이루어질 수 있다.

公开(公告)号：KR101339874B1

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020120066111

申请日：2012-06-20

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 윤재호 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현 ,  조준식 ,  유진수 ,  박주형 ,  어영주

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a double grading CZTS thin film. The method for manufacturing a double grading CZTS thin film includes a step for forming a backside electrode; and a step for forming a CZTS-based thin film. The present invention improves the efficiency of a solar cell by increasing electron mobility.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造双重分级CZTS薄膜的方法。 双级分CZTS薄膜的制造方法具有形成背面电极的工序， 以及形成CZTS系薄膜的工序。 本发明通过增加电子迁移率来提高太阳能电池的效率。

公开(公告)号：KR101334055B1

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：KR1020120030083

申请日：2012-03-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 안승규 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  조준식 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  조아라 ,  유진수 ,  박상현 ,  박주형 ,  어영주

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 텍스처층을 형성하는 단계; 상기 텍스처층에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 텍스처층에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 텍스처층; 상기 텍스처층 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 텍스처층 표면의 텍스처 구조에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명은 전면텍스처와 텍스처층의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능을 크게 증가시킴으로써, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020130071055A

公开(公告)日：2013-06-28

申请号：KR1020110138361

申请日：2011-12-20

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  윤재호 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  정성훈 ,  신기식 ,  안승규 ,  조아라 ,  박상현

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: CZTSe group thin film manufactured by manufacturing method of a CZTSe group and method thereof for a solar cell are provided to uniform element distribution by minimizing loss and phase separation of Sn. CONSTITUTION: Cu, Zn, Sn and Se are deposited on a substrate according to a co-evaporation process. Cu and Se are additionally deposited on the thin film. The additional deposition of Cu and Se is performed at substrate temperature of 150 to 320°C. Se is additionally deposited on the thin film at high temperature condition. The additional deposition of Se is performed at substrate temperature of 400 to 600°C.

Abstract translation: 目的：通过CZTSe组的制造方法制造的CZTSe组薄膜及其太阳能电池的方法通过使Sn的损耗和相分离最小化来提供均匀的元件分布。 构成：根据共蒸发方法将Cu，Zn，Sn和Se沉积在基底上。 Cu和Se另外沉积在薄膜上。 Cu和Se的附加沉积在150至320℃的衬底温度下进行。 Se在高温条件下另外沉积在薄膜上。 Se的附加沉积在400至600℃的衬底温度下进行。

公开(公告)号：KR1020210014191A

公开(公告)日：2021-02-08

申请号：KR1020210013935

申请日：2021-02-01

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 박주형 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  조아라 ,  유진수 ,  조준식 ,  안승규 ,  어영주 ,  김기환 ,  신동협 ,  정인영

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은 CIGS 태양전지의광흡수층을제조하는방법으로서, 단일공정법을이용하여 Cu, In, Ga 및 Se을동시에증발시켜박막층을기판에증착시키는단계를 n번(여기서 n은 2 이상의자연수) 반복하여 n개의층으로구성된박막층이형성된 CIGS 광흡수층의제조방법, 이에의해제조된 CIGS 박막형광흡수층을이용한박막태양전지제조방법및 이에의해제조된박막태양전지에관한것으로, 본발명에따르면상기제조방법을통해 CIGS 광흡수층을제조하는경우, 단일공정법을통해서도밴드갭기울기를갖는박막층을제조할수 있어공정이간단하면서도얇은두께에서도밴드갭기울기를갖는박막을제조할수 있다.

公开(公告)号：KR1020180097288A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：KR1020170024088

申请日：2017-02-23

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 박정재 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  안승규 ,  조준식 ,  박주형 ,  어영주 ,  김기환 ,  유진수 ,  안세진 ,  조아라

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은유연기판고정장치및 이를이용한 CIGS계박막태양전지제조방법에관한것으로, 유연기판의마주하는양측가장자리에체결되는적어도한 쌍의유연기판고정장치로서, 상기유연기판을향하는면에형성된복수의제1 돌출부가상기유연기판의상면에접촉되어상기상면을지지하는제1 지지부; 및상기유연기판의하면에접촉되어상기하면을지지하는제2 지지부를포함하며, 상기제1 지지부및 상기제2 지지부가상기유연기판의양측가장자리에지지력을제공하면, 상기유연기판의위치가고정되는것을특징으로한다. 본발명은, 유연기판의마주하는양측가장자리에적어도한 쌍의유연기판고정장치를체결함으로써, 유연기판상에균일한 CIGS 광흡수층을형성할수 있고, 유연기판의정확한온도측정이가능하며, 유연기판에전달된열 에너지가유연기판내에고르게분포될수 있다.

公开(公告)号：KR101628957B1

公开(公告)日：2016-06-13

申请号：KR1020130138965

申请日：2013-11-15

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  조준식 ,  박주형 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  윤재호 ,  조아라 ,  신기식 ,  안승규 ,  유진수

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은박막태양전지에관한것으로, 더욱상세하게는삼각형또는사다리꼴형상으로패터닝된그리드전극과이를적용한박막태양전지의제조방법에관한것이다. 이에본 발명은박막태양전지에서의그리드전극제조방법에있어서, 투명전극층위에그리드전극층을형성하는단계, 상기그리드전극층의단면이삼각형또는사다리꼴형상을이루도록패터닝하는단계를포함하는것을특징으로하는패터닝된그리드전극의제조방법을제공한다. 본발명의삼각형또는사다리꼴형상으로패터닝된그리드전극의제조방법에따르면, 빛의반사와산란이발생하는그리드전극층의단면이삼각형또는사다리꼴형상을이룸으로써경사각이생기고, 이에투명전극층에도달할수 있는유효반사면적과유효산란면적이증대하게된다. 이로인하여투명전극층의광포획효과(light trapping)가향상되고이로인해광전변환율이높아지는효과가있다.

公开(公告)号：KR101594841B1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：KR1020140134625

申请日：2014-10-07

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 어영주 ,  곽지혜 ,  조아라 ,  안세진 ,  안승규 ,  조준식 ,  박주형 ,  유진수 ,  윤재호 ,  김기환 ,  김경수 ,  윤경훈 ,  신기식

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0508 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0512 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/05

Abstract: 태양전지모듈, 태양전지모듈의제조방법, 태양광발전시스템및 인터커넥션리본이개시된다. 본발명에따른태양전지모듈은복수개의태양전지셀이인터커넥션리본을통해직렬또는병렬로연결된태양전지모듈에있어서, 상기인터커넥션리본은, 상기태양전지모듈이구부러짐에따라발생되는텐션(Tension)을저감시키도록지그재그(Zigzag)로형성된다.

Abstract translation: 公开了一种太阳能电池模块，太阳能电池模块的制造方法，太阳能发电系统和互连带。 根据本发明，多个太阳能电池单元通过太阳能电池模块中的互连带串联或并联连接。 互连带形成为锯齿状，以减少由于太阳能电池模块的弯曲而产生的张力。

公开(公告)号：KR101591719B1

公开(公告)日：2016-02-05

申请号：KR1020140117639

申请日：2014-09-04

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 조아라 ,  곽지혜 ,  어영주 ,  안세진 ,  안승규 ,  조준식 ,  박주형 ,  유진수 ,  윤재호 ,  김기환

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/0445

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0749

Abstract: 본발명은태양전지의광흡수층을제조하기위한고압셀렌화공정을이용한비진공박막제조방법에관한것으로, 소정의부분압을유지하는셀레늄(Se) 가스분위기에서열처리하여 CI(G)S계박막을형성하는방법과이를적용한태양전지에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及使用高压硒化工艺制造太阳能电池的光吸收层的薄膜的非真空加工制造方法，以及形成CI（S）G基薄膜的方法 通过保持预定分压的硒（Se）气体气氛中的热处理和应用形成CI（S）G基薄膜的方法的太阳能电池。