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公开(公告)号：KR1020150039006A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：KR1020130117478
申请日：2013-10-01
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C25C7/00 , C25C1/00 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P10/234 , Y02W30/827 , C25C7/00 , C25C1/00 , H01L31/042
Abstract: 본발명의실시예에따른태양전지모듈의금속회수장치는반응로내부를가열하는히팅부; 상기반응로내부로환원제를유입시키는유입부; 상기반응로내부로부터상기환원제를유출시키는유출부; 및상기반응로내부에설치되어모재를둘러싸는코팅층이형성된태양전지모듈의리본이배치되는거치부재를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，用于回收光伏组件的金属的装置包括：加热部分，用于加热反应炉的内部; 允许还原剂流入反应炉的入口; 从反应炉内部排出还原剂的出口; 以及保持构件，其安装在反应炉内部，并且配置有具有覆盖基材的涂层的光伏组件的带。
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公开(公告)号：KR101483699B1
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020130034801
申请日：2013-03-29
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 실리콘 기판 제조 장치가 개시된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 기판 제조 장치는 실리콘 용탕을 저장하는 도가니부, 상기 도가니부의 토출부로부터 연장되며, 실리콘 기판이 형성되는 주조 공간을 갖는 주조부 및 상기 주조부의 일측에서 상기 주조 공간으로 삽입되며, 상기 실리콘 용탕과 접하는 일측에 내측으로 함몰된 홈을 갖는 더미바를 포함하되, 상기 홈은 입구보다 내측의 폭이 크다.Abstract translation: 公开了一种硅衬底制造装置。
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公开(公告)号：KR101483697B1
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020130029664
申请日：2013-03-20
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: C30B29/06 , C30B11/00 , C30B11/002
Abstract: 실리콘 잉곳 제조 장치가 개시된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 잉곳 제조 장치는 상기 일방향 응고부 내부에 구비되며, 실리콘 용탕을 응고시키는 일방향 응고부 및 내부에 상기 실리콘 용탕을 수용하기 위한 수용 공간을 갖는 수용부를 갖는 더미실린더를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020140115065A
公开(公告)日：2014-09-30
申请号：KR1020130029663
申请日：2013-03-20
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: Disclosed is an apparatus for refining silicon. The apparatus for refining silicon according to an embodiment of the present invention comprises a silicon melting unit storing a silicon melt pool and having the upper part opened; and one or more partition extended from the inside of the silicon melting unit to form a flow path inside. A silicon raw material is provided to the silicon melting unit and is irradiated with an electron beam to have silicon initially melted, and then the moving path of the silicon melt pool is extended before the silicon melt pool is provided to one-direction solidifying unit to increase the reaction time and space for removing volatile impurities in the silicon melt pool to improve a vacuum refining effect.
Abstract translation: 公开了一种用于精制硅的装置。 根据本发明实施例的用于精制硅的设备包括：硅熔化单元，其存储硅熔池并使上部开口; 以及从硅熔融单元的内部延伸的一个或多个隔板，以在内部形成流路。 将硅原料提供给硅熔融单元，并用电子束照射以使硅最初熔化，然后在将硅熔池提供给单向凝固单元之前延伸硅熔池的移动路径， 增加用于去除硅熔池中的挥发性杂质的反应时间和空间，以提高真空精炼效果。
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公开(公告)号：KR101397979B1
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：KR1020120075043
申请日：2012-07-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/037 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 실리콘의 정련 장치가 개시된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘의 정련 장치는 진공 분위기를 유지하는 진공 챔버, 상기 진공 챔버에 구비되어 전자빔을 조사하는 적어도 하나 이상의 전자총(Electron-gun), 상기 전자빔이 조사되는 영역 내에 배치되며, 실리콘 원료물질이 장입되어 상기 전자빔에 의해 상기 실리콘 원료물질이 용융되어 실리콘 용탕이 형성되는 실리콘 용융부, 상기 실리콘 용융부로부터 공급되는 실리콘 용탕을 응고시키는 일방향 응고부 및 상기 실리콘 용융부의 제 1 채널부와 상기 일방향 응고부의 제 2 채널부가 서로 접하여 이루어진 연결탕로부를 포함하고, 상기 연결탕로부는 하면부와 상기 하면부의 양 끝단에서 실질적으로 수직방향으로 연장된 한쌍의 측면부를 포함하고, 상기 실리콘 용탕이 이송되는 방향에 따라 상기 하면부의 단면적이 작아질 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140008484A
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：KR1020120075038
申请日：2012-07-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C01B33/037 , H01L31/042 , C30B29/06
CPC classification number: Y02E10/50 , C01B33/037 , C01P2006/80
Abstract: Disclosed is an apparatus for refining silicone. The apparatus for refining silicone according to the embodiment of the present invention comprises a silicon melting part which stores molten silicon and one-way direction solidifying part which receives the molten silicone from the silicon melting part and solidifies the molten silicon. The silicon melting part is arranged in the outer side and includes a fluid path part in which fluid flows. The fluid path part includes a first fluid path part which contains multiple fluid paths formed with a plurality of slits and a second fluid path part which is connected to the first fluid path part and forms one fluid path by connecting the multiple fluid paths to each other.
Abstract translation: 公开了一种用于精制硅酮的设备。 根据本发明的实施方式的硅化物的精制装置包括：硅熔融部，其存储熔融硅;单向凝固部，其从硅熔融部接收熔融硅酮，使熔融硅固化。 硅熔化部分布置在外侧，并且包括流体流动的流体路径部分。 流体路径部分包括第一流体路径部分，其包含形成有多个狭缝的多个流体路径，以及第二流体路径部分，其连接到第一流体路径部分并且通过将多个流体路径彼此连接而形成一个流体路径 。
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公开(公告)号：KR101336712B1
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020110126849
申请日：2011-11-30
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: B82B3/00 , C01B33/021 , C01B33/033
Abstract: 본 발명은 저순도 금속급 실리콘의 전해정련시 전해질의 온도를 800℃ 미만으로 유지시키고, 전해질 내에서 실질적인 실리콘 전구체로 작용하는 실리콘 할로겐 화합물의 함량을 특정 범위로 조절하여 고순도 실리콘 나노섬유를 제조하는 방법이다. 본 발명에 따른 전해정련법에 의한 고순도 실리콘 나노섬유의 제조방법은 용융염의 유동 및 온도를 조절하여 실리콘 이온의 전달속도를 제어함으로써 음극 표면에서 실리콘 결정의 일방향 성장을 유도하고 나노미터 직경의 실리콘 섬유를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 고순도 실리콘 나노섬유의 제조방법을 사용하는 경우 순도 2N 수준의 저순도 금속급 실리콘(metallurgical Grade Silicon: 99%)으로부터 경제적이고 환경친화적인 전해정련법을 이용하여 순도가 4N(99.99%)에 가깝거나 그 이상인 고순도 실리콘을 얻을 수 있으며, 태양전지 산업 등에 저가형 고순도 실리콘 원료의 공급이 가능하다.
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公开(公告)号：KR1020130123575A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020120046798
申请日：2012-05-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C30B28/06 , C30B29/06 , C01B33/021 , H01L21/02
Abstract: The present invention relates to a manufacturing apparatus for poly silicon using a single crystal silicon button. The said manufacturing apparatus comprises: a vacuum chamber to maintain a vacuum condition; an irradiation part for electron beam mounted on the vacuum chamber; a silicon melting bath arranged in the irradiation region of electron beam and in which silicon particles are melted by the electron beam to become molten silicon; a unidirectional coagulation bath having a cooling channel in the lower part to coagulate molten silicon supplied by the silicon melting bath; and a start block containing a single crystal silicon button which is manufactured separately and placed inside the unidirectional coagulation bath to transport the molten silicon supplied by the silicon melting bath to the lower part of the unidirectional coagulation bath and a graphite dummy bar which is attached to the lower part of the single crystal silicon button to enable the single crystal silicon button to move.
Abstract translation: 本发明涉及使用单晶硅按钮的多晶硅制造装置。 所述制造装置包括：保持真空条件的真空室; 用于安装在真空室上的电子束的照射部分; 设置在电子束的照射区域的硅熔融槽，其中硅粒子被电子束熔化成熔融硅; 单向凝结浴，其在下部具有冷却通道，以凝固由硅熔融浴供应的熔融硅; 以及包含单晶硅按钮的开始块，其单独制造并放置在单向凝结浴内以将由硅熔融浴供应的熔融硅输送到单向凝结浴的下部，以及石墨虚拟棒，其附接到 单晶硅按钮的下部，以使单晶硅按钮移动。
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公开(公告)号：KR1020130060664A
公开(公告)日：2013-06-10
申请号：KR1020110126849
申请日：2011-11-30
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: B82B3/00 , C01B33/021 , C01B33/033
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of high purity silicon nanofiber by an electrolytic refining method is provided to manufacture high purity silicon nanofiber from low purity metallurgical grade silicon by controlling contents of silicon halogen compound inside the electrolyte and temperature of the electrolyte during electrolytic refining. CONSTITUTION: A manufacturing method of high purity silicon nanofiber by an electrolytic refining method comprises the following steps: preparing an electrolytic refining device by locating anode and cathode which includes low purity metallurgical grade silicon inside an electrolyzer in which electrolyte is put; and performing electrolytic refining by passing current between the anode and cathode and depositing the nano fiber type high purity silicon to the cathode. The electrolyte comprises molten salt and silicone halogen compound. The content of the silicone halogen compound is 0.1-10 wt% based on the total weight of the electrolyte. In the electrolytic refining step, the temperature of the electrolyte is maintained as 650-750 deg. Celsius. The voltage supplied in the electrolytic refining to the cathode is -0.4 to -1.0 V based on platinum reference electrode. The electric current density in the cathode during electrolytic refining is 1-100mA/cm^2.
Abstract translation: 目的：通过电解精制法制备高纯度硅纳米纤维的制造方法，通过控制电解液内的硅卤素化合物含量和电解液中电解液的温度，从低纯度冶金级硅制造高纯硅纳米纤维。 构成：通过电解精制法制造高纯度硅纳米纤维的方法包括以下步骤：通过将包含低纯度冶金级硅的阳极和阴极放置在其中放入电解质的电解槽内来制备电解精炼装置; 并通过在阳极和阴极之间传递电流并将纳米纤维型高纯度硅沉积到阴极进行电解精炼。 电解质包括熔融盐和硅氧烷卤化合物。 硅酮卤化合物的含量相对于电解质的总重量为0.1-10重量％。 在电解精制步骤中，电解液的温度保持在650-750度。 摄氏度。 在电解精炼中向阴极供应的电压为基于铂参比电极的-0.4至-1.0V。 电解精炼期间阴极的电流密度为1-100mA / cm ^ 2。
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公开(公告)号：KR101234119B1
公开(公告)日：2013-02-19
申请号：KR1020110056066
申请日：2011-06-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 실리콘 기판 제조의 생산성 및 품질 향상에 기여할 수 있는 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 장치 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 연속주조법을 이용한 실리콘 기판 제조 장치는 실리콘 원료가 공급되는 실리콘 원료 투입부; 상기 실리콘 원료 투입부의 하부에 장착되며, 상기 공급된 실리콘 원료를 용융시켜 실리콘 용탕을 형성하는 실리콘 용융부; 상기 실리콘 용융부로부터 실리콘 용탕을 공급받아 저장한 후, 상기 실리콘 용탕을 일정한 두께의 용융물로 토출하는 실리콘 용탕 저장부; 상기 실리콘 용탕 저장부의 일측에 배치되며, 상기 토출되는 실리콘 용융물을 이송하는 이송기판; 및 상기 이송되는 실리콘 용융물을 냉각하여 실리콘 기판을 형성하는 실리콘 기판 형성부;를 포함하며, 상기 실리콘 용탕 저장부에 저장되는 실리콘 용탕의 표면 온도는 1300 ~ 1500℃이고, 상기 이송기판의 예열온도는 700 ~ 1400℃이며, 상기 실리콘 용탕 저장부로부터 출탕 후 기판 이송 시간은 0.5 ~ 3.5초인 것을 특징으로 한다.
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