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公开(公告)号：KR1020170017214A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020150110836
申请日：2015-08-06
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: 본발명은, 산화아연이혼합된열전소재및 그제조방법에있어서, 비스무트(Bi), 텔루륨(Te), 셀레늄(Se)으로이루어진열전소재원료분말및 산화아연(ZnO) 나노분말을혼합및 소결하여 BiTeSe-ZnO 나노복합열전소재를형성하는단계를통해제조되는것을기술적요지로한다. (0 ≤ x ≤ 3) 이에의해산화아연을 n-type의 BiTeSe열전소재에혼합하여나노복합열전소재의열전특성이향상되는효과를얻을수 있다. 또한산화아연을혼합함에의해나노복합열전소재의이방성이감소하고, 이를통해부위와관계없이균일한열전특성을가지는나노복합열전소재를얻을수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160077633A
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020140187770
申请日：2014-12-24
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: 본발명은, 니켈전해도금을이용한열전소자용전극제조방법에있어서, 황산니켈(Nickel sulfate, NiSO), 염화칼륨(Potassium chloride, KCl), 황산마그네슘(Magnesium sulfate, MgSO), 붕산(Boric acid, BOH) 및물(HO)을포함하는전해액을준비하는단계와; 상기전해액내에도금대상열전소재를침지하는단계와; 상기열전소재에 10 내지 40mA의전류를가하여상기열전소재의표면을도금하는단계와; 도금된상기열전소재를커팅하여전극을형성하는단계를포함하는것을기술적요지로한다. 이에의해열전소재의상부및 하부에니켈도전체가용이하게결합되도록열전소재에니켈을균일하게도금가능한효과를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用镍电镀制造热电元件电极的方法，其包括以下步骤：制备包括硫酸镍（NiSO 4），氯化钾（KCl），硫酸镁（MgSO 4），硼酸（BO_3H_3）和 水（H_2O）; 将待电镀的热电材料浸渍在电解液中; 通过向热电材料施加10〜40mA的电流来电镀热电材料; 以及通过切割镀覆的热电材料形成电极。 因此，可以将镍热电材料均匀地平板化，使得镍导电材料容易地与热电材料的上部和下部组合。
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公开(公告)号：KR1020160077619A
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020140187745
申请日：2014-12-24
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H02N11/00
CPC classification number: H02N11/00 , H02N11/002 , H02N11/004
Abstract: 본발명은열전모듈을통해폐열로부터전기에너지를발생시키는열전발전장치에관한것으로, 더욱상세하게는열전모듈의저온부를효과적으로냉각시켜열전모듈의저온부와고온부간의온도차를충분히확보함으로써발전량을증대시킬수 있는폐열을이용한열전발전장치에관한것이다. 이러한본 발명은폐열이배출되는폐열배출부의외측에환설되는내부플레이트; 상기내부플레이트의외면에일정간격으로설치되는복수개의열전모듈; 상기열전모듈의외면에각각설치되는외부플레이트; 및상기외부플레이트에각각설치되어내부로공급되는냉각수를상기외부플레이트를따라상향류방식으로유동시켜상기외부플레이트를냉각시키는냉각라인;으로구성되는것을특징으로하는폐열을이용한열전발전장치를기술적요지로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够使用热电模块从废热产生电能的热电发电机，更具体地，涉及一种使用能够通过有效地冷却低温单元的发电量来增加发电量的废热的热电发电机 热电模块，从而确保低温单元与热电模块的高温单元之间的温差。 使用废热的热电发电机包括：内板，其安装在排放废热的废热排放单元的外部; 多个热电模块，其以规则的间隔安装在所述内板的外表面上; 每个热电模块的外表面上安装有外板; 并且安装在每个外板上的冷却管线允许供应到内部的冷却剂沿着外板向上流动并冷却外板。
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公开(公告)号：KR101386119B1
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：KR1020120081670
申请日：2012-07-26
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은, SiC MOSFET의 오믹 접합 형성방법에 있어서, SiC에 n형 도핑영역과 p형 도핑영역을 형성하는 제 1단계와; 상기 n형 도핑영역과 p형 도핑영역에 Ti와 Ni의 박막을 연속적으로 동시에 형성하는 제 2단계와; 상기 Ti와 Ni의 박막이 형성된 SiC를 열처리하여 n형 도핑영역과 p형 도핑영역에 오믹접합을 동시에 형성하는 제 3단계;를 포함하여 구성되는 SiC MOSFET의 오믹 접합 형성방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, p형 영역과 n형 영역에 오믹 전극을 형성하기 위한 공정에 있어서 동일한 물질을 사용하여 p형 영역과 n형 영역에 대하여 동시에 오믹 전극을 형성함으로써 제작공정을 단순화하고, 또한 접촉저항을 낮춰서 SiC MOSFET 소자의 특성을 개선시키는 이점이 있다.
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公开(公告)号：KR101386132B1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：KR1020120116520
申请日：2012-10-19
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L29/1608 , H01L29/7813
Abstract: The present invention relates to an SiC MOSFET having a trench and a manufacturing method thereof. According to one embodiment of the present invention, the SiC MOSFET having a trench and the manufacturing method thereof include a first step of etching a trench in a SiC substrate; a second step of vertically ion-injecting vanadium into the SiC substrate; a third step of ion-injecting nitrogen into a trench sidewall; and a forth step of forming a trench gate structure.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有沟槽的SiC MOSFET及其制造方法。 根据本发明的一个实施例，具有沟槽的SiC MOSFET及其制造方法包括蚀刻SiC衬底中的沟槽的第一步骤; 将钒垂直离子注入到SiC衬底中的第二步骤; 将氮气离子注入沟槽侧壁的第三步骤; 以及形成沟槽栅极结构的第四步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140040542A
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：KR1020120107379
申请日：2012-09-26
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02282 , H01L21/02318 , H01L29/51
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a silicon oxide gate insulating film in a low temperature process comprising a first step for forming silica solution by distributing a silica particle to water and reforming the surface of the silica particle by using organosilane; a second step for replacing the water of the first step with an organic solvent; a third step for forming mixed solution by mixing solution that epoxy resin is dissolved and the silica solution; a fourth step for coating the mixed solution on a substrate; and a fifth step for performing heat processing in a 120-300 temperature. The present invention is provided to manufacture silicon oxide for a gate insulating film by forming the silicon oxide and performing the heat processing below a 300 temperature, thereby applying the silicon oxide to a polymer material substrate. [Reference numerals] (AA) Manufacture a silicon oxide gate insulating film in a low temperature process; (BB) Reform silica surface; (CC,DD) Reform the silica surface with organosilane; (EE) Replace a solvent with an organic solvent; (FF) Dissolve epoxy resin; (GG) Mix and respond the reformed silica and epoxy solution; (HH) Form a coating film and perform heat processing
Abstract translation: 本发明涉及一种在低温工艺中制造氧化硅栅极绝缘膜的方法，包括通过将二氧化硅颗粒分配到水中并通过使用有机硅烷重整二氧化硅颗粒的表面来形成二氧化硅溶液的第一步骤; 用有机溶剂代替第一步骤的水的第二步骤; 通过混合溶解有环氧树脂的溶液和二氧化硅溶液形成混合溶液的第三步骤; 将混合溶液涂布在基板上的第四步骤; 以及在120-300温度下进行热处理的第五步骤。 本发明提供用于通过形成氧化硅并进行低于300℃的热处理来制造用于栅极绝缘膜的氧化硅，从而将氧化硅施加到聚合物材料基板上。 （附图标记）（AA）在低温工艺中制造氧化硅栅极绝缘膜; （BB）改性二氧化硅表面; （CC，DD）用有机硅烷改性二氧化硅表面; （EE）用有机溶剂代替溶剂; （FF）溶解环氧树脂; （GG）混合并重整二氧化硅和环氧溶液; （HH）形成涂膜，进行热处理
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公开(公告)号：KR1020130020351A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：KR1020110082941
申请日：2011-08-19
Applicant: 한국전기연구원
CPC classification number: C01B32/184 , C23C14/34 , C23C16/26 , C23C16/48
Abstract: PURPOSE: A method for forming a graphene thin film and a graphene manufactured by the same method are provided to grow a single crystal metal film easily and inexpensively by growing a single crystal metal film on a single crystal substrate and forming a graphene thin film on a single crystal metal film. CONSTITUTION: A method for forming a graphene thin film includes following steps: A single crystal substrate(10) is prepared. A single crystal metal film(20) is grown on a single crystal substrate. A graphene film(30) is formed on a single crystal metal film. The single crystal substrate is sapphire(α-Al_2O_3). The single crystal metal film is a transition metal. In a single crystal metal film formation step, a thermal evaporation technique and an e-beam evaporation technique are used in order to grow a single crystal metal film.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成石墨烯薄膜和通过相同方法制造的石墨烯的方法，用于通过在单晶衬底上生长单晶金属膜并容易且廉价地生长单晶金属膜，并在其上形成石墨烯薄膜 单晶金属膜。 构成：形成石墨烯薄膜的方法包括以下步骤：制备单晶衬底（10）。 在单晶衬底上生长单晶金属膜（20）。 在单晶金属膜上形成石墨烯膜（30）。 单晶基板是蓝宝石（α-Al_2O_3）。 单晶金属膜是过渡金属。 在单晶金属膜形成步骤中，为了生长单晶金属膜，使用热蒸发技术和电子束蒸发技术。
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公开(公告)号：KR101172809B1
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：KR1020100072135
申请日：2010-07-26
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 실리콘 카바이드 표면에 인위적으로 표면거칠기를 유발할 수 있는 새로운 방법을 제시한다. 본 발명에 의하면, 표면에 특정한 패턴을 형성하기 위한 별도의 공정이 전혀 필요하지 않으며, 실리콘 카바이드 상부에 플라즈마 건식식각에 의하여 자연적으로 표면거칠기가 유발되는 물질(예를 들어 실리콘)을 적층하거나, 또는 각종 금속 성분이나 산화물, 질화물 등의 재질을 갖는 나노분말(nano powder)을 실리콘 카바이드 표면에 뿌린 후 플라즈마 건식식각 공정을 거쳐서 반사도가 0에 가까운 블랙 실리콘 카바이드를 손쉽게 얻을 수 있다. 상기 블랙 실리콘 카바이드는 광소자, 생체소자, 각종 화학센서 등에 응용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120029104A
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020100090969
申请日：2010-09-16
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: PURPOSE: A high power field emission device and a manufacturing method thereof are provided to improve device properties by controlling nano wire growth of edge, side, and rear side of a metal disc. CONSTITUTION: A metal disc(100) is used as a cathode of a field emission device. An oxidation-resistant layer(110) is formed in the rear side of the metal disc. A metallic nano wire(120) evaporates a metal layer on the side and upper side edge of the metal disc. The metallic nano wire is used as a field emitting tip of the field emission device. A metal oxide insulating layer(130) is formed with metallic nano wire at the same time. The metal oxide insulating layer is formed on the side and upper side edge part of the metal disc in which the metal layer is evaporated.
Abstract translation: 目的：提供高功率场致发射器件及其制造方法，通过控制金属盘的边缘，侧面和后侧的纳米线生长来提高器件性能。 构成：金属盘（100）用作场致发射装置的阴极。 在金属盘的后侧形成有抗氧化层（110）。 金属纳米线（120）蒸发金属盘的侧边缘和上侧边缘上的金属层。 金属纳米线用作场致发射器件的场发射尖端。 金属氧化物绝缘层（130）同时由金属纳米线形成。 金属氧化物绝缘层形成在金属盘蒸发的金属盘的侧面和上侧边缘部分上。
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公开(公告)号：KR101048885B1
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：KR1020100059685
申请日：2010-06-23
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: PURPOSE: A method for forming a terminal structure of a voltage electric field emission device is provided to improve electric field emission efficiency by concentrating electric field between an anode and a cathode. CONSTITUTION: A mask pattern is formed on a substrate(100) to define the effective electric field emission area of the electric field emission device. The cross section of the mask is reflowed to have a curvature. The substrate is dryly etched by using the reflowed mask. Catalyst metal is deposited on the substrate transferred with the section shape of the mask to grow an electric field emission tip(104). The electric field emission tip is grown by using catalyst metal or chemical vapor deposition method. A cathode electrode is formed on the rear of the substrate. An electric field emission device structure is finally obtained by cutting the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成电压电场发射装置的端子结构的方法，以通过集中阳极和阴极之间的电场来提高电场发射效率。 构成：在基板（100）上形成掩模图案，以限定电场发射装置的有效电场发射面积。 掩模的横截面被回流以具有曲率。 通过使用回流掩模将衬底干蚀刻。 催化剂金属沉积在用掩模的截面形状转移的衬底上以生长电场发射尖端（104）。 通过使用催化剂金属或化学气相沉积法生长电场发射尖端。 阴极电极形成在基板的后部。 最终通过切割衬底获得电场发射器件结构。
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