公开(公告)号：KR20210030850A

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020200069145A

申请日：2020-06-08

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 문정현 ,  강인호 ,  김상철 ,  김형우 ,  나문경 ,  방욱 ,  석오균

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명은 트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스는, SiC 기판(예, n형 4H-SiC 기판)에 형성된 게이트 트렌치를 덮는 게이트 산화막, 상기 게이트 트렌치 영역에서 상기 게이트 산화막 하부에 형성된 도핑된 웰(예, BPW), 상기 게이트 산화막이 덮인 상기 게이트 트렌치 내부에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 형성된 층간절연막, 상기 기판의 에피택셜층의 전면에 형성된 소스 영역을 위한 도핑층의 상면과 상기 층간절연막의 상면을 덮는 소스 전극 및 상기 기판의 배면에 형성된 드레인 전극을 포함한다.

公开(公告)号：WO2018208112A1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：PCT/KR2018/005411

申请日：2018-05-11

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 나문경 ,  강인호 ,  김상철 ,  문정현 ,  방욱 ,  석오균

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45

Abstract: 본 발명은 반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉 및 오믹접촉 형성방법에 있어서, 탄화규소 기판 상부에 니켈층 및 티타늄층을 적층하는 단계와; 열처리를 통해 니켈/티타늄 오믹접촉을 형성하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명의 오믹접촉은 탄화규소와 우수한 반응성을 통해 니켈실리사이드의 형성이 용이하며, 카본 클러스터의 형성이 방지되어 균일한 계면을 가지는 효과를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：WO2018194336A1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/KR2018/004407

申请日：2018-04-17

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 석오균 ,  강인호 ,  김상철 ,  김형우 ,  나문경 ,  문정현 ,  방욱

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/872

Abstract: 본 발명은 폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 낮은 턴-온 전압을 가질 뿐만 아니라 역방향 특성을 향상시킬 수 있는 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 실리콘카바이드 기판의 상부에 에피택시얼층, 폴리실리콘, 산화막 및 포토레지스트를 차례대로 형성하는 제1단계; 포토레지스트를 패터닝하여 포토레지스트패턴을 형성한 후, 포토레지스트패턴으로 산화막을 식각하여 산화막패턴을 형성하는 제2단계; 산화막패턴으로 폴리실리콘을 식각하여 폴리실리콘패턴을 형성하고, 포토레지스트패턴을 제거하는 제3단계; 산화막패턴으로 에피택시얼층 바닥 영역을 소정의 깊이로 식각하여 에피택시얼패턴을 형성한 후, 산화막패턴을 제거하여 트렌치를 완성하는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법을 기술적 요지로 한다.

公开(公告)号：WO2021049801A1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：PCT/KR2020/011654

申请日：2020-08-31

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 문정현 ,  강인호 ,  김상철 ,  김형우 ,  나문경 ,  방욱 ,  석오균

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명은 트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스는, SiC 기판(예, n형 4H-SiC 기판)에 형성된 게이트 트렌치를 덮는 게이트 산화막, 상기 게이트 트렌치 영역에서 상기 게이트 산화막 하부에 형성된 도핑된 웰(예, BPW), 상기 게이트 산화막이 덮인 상기 게이트 트렌치 내부에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 형성된 층간절연막, 상기 기판의 에피택셜층의 전면에 형성된 소스 영역을 위한 도핑층의 상면과 상기 층간절연막의 상면을 덮는 소스 전극 및 상기 기판의 배면에 형성된 드레인 전극을 포함한다.

公开(公告)号：WO2011034272A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：PCT/KR2010/003053

申请日：2010-05-14

Applicant: 한국전기연구원 ,  박효열 ,  안명상 ,  나문경

Inventor： 박효열 ,  안명상 ,  나문경

IPC: H05B3/10

CPC classification number: H05B6/6482

Abstract: 본 발명은 전기를 이용하는 전자레인지나 전기오븐 등의 조리기에 관한 것으로서, 특히 전기를 이용하는 조리기에 있어서, 내부에 그릴히터가 구비된 전기를 이용하는 조리기에 있어서, 상기 그릴히터의 조리영역으로 향하는 전면에 적외선 방사층을 코팅하는 것을 특징으로 하는 적외선 방사층이 코팅된 조리기를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 그릴히터의 조리영역으로 향하는 전면에 적외선 방사층을 코팅하여 소형 경량의 조리기를 제공할 수 있으며, 조리영역으로 적외선 방사가 이루어져 에너지를 절약하면서 신속한 조리를 수행할 수 있는 이점이 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种烹调器，例如微波炉，电烤箱等，其使用电烹饪食物。 更具体地，本发明的关键技术特征涉及一种炊具，该炊具涂覆有红外辐射层，其使用电烹饪食物，并且其内部设置有格栅加热器，其中红外辐射层涂覆在 格栅加热器的前表面朝向烹饪器的烹饪区域。 因此，本发明提供了一种小型轻型炊具，其中，朝向炊具的烹饪区域的格栅加热器的前表面被涂覆有红外辐射层，并且红外线照射到烹饪区域，从而有助于快速和 节能烹饪。

公开(公告)号：WO2011034271A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：PCT/KR2010/003042

申请日：2010-05-14

Applicant: 한국전기연구원 ,  박효열 ,  안명상 ,  나문경

Inventor： 박효열 ,  안명상 ,  나문경

IPC: H05B3/10 ,  F24C7/06

CPC classification number: H05B6/6482 ,  F24C7/06

Abstract: 본 발명은 전기를 이용하는 전자레인지나 전기오븐 등의 조리기에 관한 것으로서, 특히 전기를 이용하는 조리기에 있어서, 발열플레이트와; 상기 발열플레이트에 접합형성된 히터와; 상기 발열플레이트 전면에 코팅형성된 적외선 방사층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 적외선 방사층이 코팅된 조리기를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 히터에 접합형성된 발열플레이트에 적외선 방사층을 코팅하여 소형 경량의 조리기를 제공할 수 있으며, 적외선 방사층이 코팅된 발열플레이트가 평판형으로 형성되어 균일하고 신속한 적외선 방사가 가능하여 신속한 조리를 수행할 수 있는 이점이 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种烹调器，例如微波炉，电烤箱等，其使用电烹饪食物。 更具体地，本发明的关键技术特征涉及一种炊具，包括：加热板; 加热器结合到加热板上; 以及涂覆在加热板的前表面上的红外辐射层。 因此，本发明提供了一种小型轻质的炊具，其中结合到加热器的加热板涂覆有红外辐射层，并且涂覆有红外辐射层的加热板形成为平坦的形状，使得能够均匀和快速 辐射红外线，从而促进快速烹饪。

公开(公告)号：KR1020170044892A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：KR1020150144561

申请日：2015-10-16

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 나문경 ,  강인호 ,  석오균

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/02 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

Abstract: 본발명은, 기판상부에얼라인키를형성하는단계, 상기얼라인키를통해도판트를주입하는단계, 상기기판및 상기도판트에열처리를하는단계, 상기기판의상부에컨택비아및 전극을형성하는단계를포함하는다이오드제조방법에있어서, 상기기판의상부에컨택비아및 전극을형성하는단계이후에, 전극이배치되지않은영역에아민계폴리머용액을습식코팅하여패시베이션층을형성하는단계를포함하는것을기술적요지로한다. 이에의해용액을이용하여원하는패턴의패시베이션을형성가능하며, 저온에서습식공정을통해패시베이션층을형성하기때문에기판의변형및 특성저하가방지되는효과를얻을수 있다. 또한, 저온에서습식공정을통해패시베이션층을형성하기때문에진공장치가필요하지않으며, 고온및 기체로부터작업자의안전이보장되는효과를얻을수 있다.

Abstract translation: 该方法包括在衬底上形成对准标记，通过对准标记注入掺杂剂，热处理衬底和掺杂剂，在衬底上形成接触通路和电极， 该方法包括：在基板顶部上形成接触通孔和电极之后，在基板上未设置电极的区域上，通过湿涂布胺基聚合物溶液形成钝化层; 作为技术点。 因此，可以使用溶液形成期望的图案的钝化，并且通过低温下的湿法形成钝化层，由此防止基板的变形和劣化。 此外，由于钝化层通过低温湿法工艺形成，所以不需要真空装置，并且可以获得确保操作者从高温和气体的安全性的效果。

公开(公告)号：KR1020160024268A

公开(公告)日：2016-03-04

申请号：KR1020140110888

申请日：2014-08-25

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 강인호 ,  김상철 ,  나문경

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/326 ,  H01L29/47

Abstract: 본발명은, 실리콘카바이드쇼트키다이오드제조방법에있어서, 에피박막의상부에제1포토레지스트에대해마진영역을형성하도록쇼트키금속을오버에칭하는단계와; 상기에피박막의상부에제2포토레지스트및 패드금속을순차적으로증착하는단계와; 상기패드금속을열처리하여오믹접합영역을구현하는단계를포함하는것을기술적요지로한다. 이에의해포지티브포토레지스트를이용하여쇼트키금속을오버에칭하고, 네거티브포토레지스트를이용하여패드금속을리프트오프로형성한뒤 열처리하는간단한공정을통해이루어지는강건구조를갖는실리콘카바이드쇼트키다이오드를얻을수 있는효과를제공한다.

Abstract translation: 碳化硅肖特基二极管的制造方法技术领域本发明涉及一种碳化硅肖特基二极管的制造方法，包括：对外延薄膜的顶部上的第一光致抗蚀剂进行过蚀刻以形成边缘部分的工序; 在外延薄膜的顶部依次沉积第二光致抗蚀剂和焊盘金属的步骤; 以及通过焊垫金属的热处理形成欧姆接触部的步骤。 据此，制造碳化硅肖特基二极管的方法提供了通过使用正性光致抗蚀剂过度蚀刻肖特金属的简单工艺形成的强结构来获得碳化硅肖特基二极管的效果，使得能够剥离 使用负光致抗蚀剂的垫金属，然后热处理垫金属。

公开(公告)号：KR101591647B1

公开(公告)日：2016-02-05

申请号：KR1020140088575

申请日：2014-07-14

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 나문경 ,  강인호 ,  김남균 ,  김상철

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/56

Abstract: 본발명은, 상기한목적은, 기판상부에얼라인키를형성하는단계, 상기얼라인키를통해도판트를도핑및 활성화하는단계, 상기기판상부에필드옥사이드를형성하는단계, 상기필드옥사이드를에칭하는단계, 상기필드옥사이드의에칭영역에컨택비아및 전극을형성하는단계를통해제조되는고전압용소자의필드옥사이드제조방법에있어서, 상기필드옥사이드는, 실리콘나노입자및 실리콘다이옥사이드전구체를용매와혼합하여실리콘다이옥사이드용액을제조하는단계와; 상기실리콘다이옥사이드용액을기판에코팅하는단계와; 상기기판을가열하는단계를거쳐형성되는것을기술적요지로한다. 이에의해저온공정을통해필드옥사이드를기판에코팅하여고온및 기체로부터작업자의안전이보장되며, 기판의변형및 특성저하를방지하는효과를제공한다.

公开(公告)号：KR1020160008408A

公开(公告)日：2016-01-22

申请号：KR1020140088575

申请日：2014-07-14

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 나문경 ,  강인호 ,  김남균 ,  김상철

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/56

Abstract: 본발명은, 상기한목적은, 기판상부에얼라인키를형성하는단계, 상기얼라인키를통해도판트를도핑및 활성화하는단계, 상기기판상부에필드옥사이드를형성하는단계, 상기필드옥사이드를에칭하는단계, 상기필드옥사이드의에칭영역에컨택비아및 전극을형성하는단계를통해제조되는고전압용소자의필드옥사이드제조방법에있어서, 상기필드옥사이드는, 실리콘나노입자및 실리콘다이옥사이드전구체를용매와혼합하여실리콘다이옥사이드용액을제조하는단계와; 상기실리콘다이옥사이드용액을기판에코팅하는단계와; 상기기판을가열하는단계를거쳐형성되는것을기술적요지로한다. 이에의해저온공정을통해필드옥사이드를기판에코팅하여고온및 기체로부터작업자의안전이보장되며, 기판의변형및 특성저하를방지하는효과를제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及制造高电压装置的场氧化物的方法。 该方法包括以下步骤：在衬底的上部形成对准键; 通过对准键掺杂和激活掺杂剂; 在基板的上部形成场氧化物; 蚀刻场氧化物; 以及在场氧化物的蚀刻区域中形成接触通孔和电极。 通过以下步骤形成场氧化物：通过将硅纳米颗粒和二氧化硅前体与溶剂混合来制造二氧化硅溶液; 用二氧化硅溶液涂覆基材; 并加热衬底。 因此，通过低温工艺在场氧化物上涂覆基板，可以通过高温和气体确保工人的安全，防止基板的转变和特性劣化。