公开(公告)号：KR100119279B1

公开(公告)日：1997-09-30

申请号：KR1019930029094

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  오대곤 ,  이승원 ,  이중기 ,  장동훈 ,  황인덕

IPC: H01L21/208

Abstract: An metal organic bubbler structure used for metal organic supply of MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) apparatus is provided to easily grow an epitaxial layer of compound semiconductor. The bubbler structure comprises: a bubbler body(5) for injecting flow gases on the surface the metal organic(6) in order to increase the flowing area of gases; and a separating layer(7) located in the center of the bubbler body(5) to separate an inlet portion(9) and an outlet portion(10) of gas. For flowing gases, a hole(8) is formed at the bottom of the separating layer(7).

Abstract translation: 提供用于MOCVD（金属有机化学气相沉积）设备的金属有机供应的金属有机起泡器结构，以容易地生长化合物半导体的外延层。 起泡器结构包括：用于在金属有机物（6）的表面上注入流动气体以增加气体流动面积的起泡器本体（5） 以及位于所述起泡器体（5）的中心以分离气体的入口部分（9）和出口部分（10）的分离层（7）。 对于流动气体，在分离层（7）的底部形成孔（8）。

公开(公告)号：KR1019970005679B1

公开(公告)日：1997-04-18

申请号：KR1019930029350

申请日：1993-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오대곤 ,  김정수 ,  김홍만

IPC: H01L21/205

Abstract: There is provided a reactor structure of a vertical typed metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) used in crystal growth of a compound semiconductor. The reactor includes: an outlet tube(3) disposed at both directions of an outlet part of a vertical typed MOCVD mount(10) in order to enhance a dispersion degree of a fluid; and a mash band(6) inserted in an inner side of the mount(10) in a cylindrical type.

Abstract translation: 提供了用于化合物半导体的晶体生长中的垂直型金属有机化学气相沉积（MOCVD）的反应器结构。 该反应器包括：排出管（3），其设置在垂直型MOCVD安装件（10）的出口部分的两个方向上，以便提高流体的分散度; 以及以圆柱形的方式插入所述支架（10）的内侧的泥浆带（6）。

公开(公告)号：KR1019960027104A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940036367

申请日：1994-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  이중기 ,  김정수 ,  박경현 ,  조호성 ,  김상배 ,  조종섭

IPC: H01S5/12

Abstract: 본 발명은 회절격자 구조를 변형시켜 광통신용 분포 궤환형 레이저다이오드 성능을 향상시킬 수 있는 분포 궤환형 레이저다이오드에 관한 것으로, λ/4 위상천이 레이저다이오드의 문제점을 해결하기 위하여 소정의 적절한 위치에 소정의 적절한 수치의 위상천이를 수행함으로써 곁모드 억제율 향상과, 발진 파장의 조절과, 공진기 내부 광자 분포의 조절과, 양 거울면 잔유반사의 영향 감소, 및 광출력 비율의 조절을 가능하게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950020999A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930029094

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  오대곤 ,  이승원 ,  이중기 ,  장동훈 ,  황인덕

IPC: H01L21/208

Abstract: 본 발명은 화학물 반도체 에피성장 장비인 유기금속 기상결정 성장장치의 유기금속 공급부위에 사용되는 유기 금속을 담는통의 구조를 개선한 유기금속 버브러(Bubbler) 구조에 관한 것으로, TMIn의 증기압을 안정시켜 재현성이 향상된 반도체 결정을 성장하는데 용이하도록 한 유기금속 버브러(Bubbler) 구조로서 버브러몸통(5)의 내부를 유입부(9)와 배출부(10)로 구분하여 그사이를 막아 분리한 분리막(7)을 설치하되 상기 분리막(7)의 하부는 상기 유입부(9)와 배출부(10)가 서로 통할 수 있도록 구멍(8)을 형성하여 줌을 특징으로 한다.