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公开(公告)号：KR1019990032176A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970053151
申请日：1997-10-16
IPC: H01S5/026
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저와 광검출기가 단일칩 집적된 양방향 소자 구조에 관한 것으로서, 한 가닥의 광섬유를 사용하여 송신 및 수신 광신호를 동시에 전송하는 양방향 광통신에 있어서 별도의 광도파로 형태의 광분기 소자 없이 광송신용 반도체 레이저와 광수신용 광검출기 소자를 동일한 반도체 기판위에 수직 집적시켜 반도체 레이저의 활성영역과 광검출기 소자의 광흡수 영역이 매우 근접하도록 위치시키므로써 동일한 광섬유와의 광결합이 상기 두 가지 소자에 대해 모두 용이하게 이루어지도록 구성함으로써, 광부품 수 절감 및 광패키징 공정 간략화에 따라 양방향 광통신용 광모듈의 소형화, 제작 원가 절감 및 특성 개선의 효과를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1019970009732B1
公开(公告)日：1997-06-17
申请号：KR1019940014062
申请日：1994-06-21
IPC: H01L31/00
Abstract: A method of fabricating a planar optical detector includes the steps of growing an epitaxial layer including a surface layer 42 that is In having a predetermined thickness on an n-type InP substrate 37, diffusing a first impurity into a predetermined region of the epitaxial layer using a first mask having a predetermined pattern to form a p-type region 44, selectively removing the surface layer 42 using the first mask, defining an optical absorption region and electrode region using a second mask having a predetermined pattern through CVD and selectively removing the surface layer 42 corresponding to the electrode region, respectively forming a p-type metal electrode 46p and n-type metal electrode 46b on the optical absorption region and electrode region, selectively etching the exposed portion of InGaAs layer 41p in the optical absorption region, depositing a third silicon nitride layer 47 on the optical absorption region for anti-reflection coating and passivation for flip chip bonding, and selectively etching a portion of the silicon nitride layer 47, in which a solder for bonding flip chip is formed.
Abstract translation: 一种制造平面光学检测器的方法包括以下步骤：在n型InP衬底37上生长包括具有预定厚度的表面层42的外延层，将第一杂质扩散到外延层的预定区域中，使用 具有预定图案以形成p型区域44的第一掩模，使用第一掩模选择性地去除表面层42，使用通过CVD的具有预定图案的第二掩模限定光吸收区域和电极区域，并选择性地去除表面 对应于在光吸收区域和电极区域上分别形成p型金属电极46p和n型金属电极46b的电极区域的层42，选择性地蚀刻光吸收区域中的InGaAs层41p的暴露部分， 用于防反射涂层的光吸收区上的第三氮化硅层47和倒装芯片的钝化 并且选择性地蚀刻形成用于接合倒装芯片的焊料的氮化硅层47的一部分。
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公开(公告)号：KR1019970007469B1
公开(公告)日：1997-05-09
申请号：KR1019930027022
申请日：1993-12-09
IPC: H01L23/48
Abstract: A laser packaging method of a semiconductor device is described that can produce an optical transmitting module of a semiconductor laser at a low price. The method includes a first step of depositing a metal pad 2 for detecting light on a silicon substrate 1, a second step of forming the V-groove 3 for fixing an optical fiber and U-groove 4 for setting reflection surface, a third step of fixing a semiconductor laser 5 at the flip chip bonding so that an axis of the laser 5 can be aligned with that of the V-groove 3 and output light applied into the U-groove 4, and fixing a photo detector 6 onto the metal pad 2 so that a region 7 of the photo detector 6 can cover some of the U-groove 4 and receive the light reflected by the U-groove 4, and a fourth step of inserting an optical fiber 10 into the V-groove 3 and then fixing it. Thereby, it is possible to attach the photo detector 6 onto the silicon substrate 1 with a high yield.
Abstract translation: 描述了半导体器件的激光封装方法，其可以以低价格产生半导体激光器的光发射模块。 该方法包括：沉积用于在硅衬底1上检测光的金属焊盘2的第一步骤，形成用于固定光纤的V形槽3和用于设置反射表面的U形槽4的第二步骤，第三步骤 将半导体激光器5固定在倒装芯片接合处，使得激光器5的轴线可以与V形槽3的轴线对准，并且输出施加到U形槽4中的光，并将光电检测器6固定到金属焊盘 2，使得光电检测器6的区域7可以覆盖U形槽4中的一些并且接收由U形槽4反射的光，以及将光纤10插入到V形槽3中的第四步骤 修复它 由此，可以以高产率将光检测器6安装到硅基板1上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970004489B1
公开(公告)日：1997-03-28
申请号：KR1019930018146
申请日：1993-09-09
IPC: H01L29/86 , H01L29/8605
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: This invention is about a manufacturing method of an internal total reflection type semiconductor optical switch using refraction ratio change of an optical wave guide by injection current. The method includes the steps of: raising an InGaAsP optical wave guide layer(2) not doped by epitaxy method and an InP clad layer(3) by order on the 1st-type InP substrate(1); etching a certain region of the clad layer(3) on which an optical detector is to be formed; forming the 2nd-type diffusion region by raising an InGaAsP cap layer(4) not doped by epitaxy method and diffusing dopant on a certain region of the cap layer(4); forming a pn junction of an optical switch and an optical detector and forming an optical wave guide by etching the cap layer(4) and the clad layer(3); and forming the 1st-type electrode(5) and the 2nd-type electrode(13).
Abstract translation: 本发明涉及一种使用注射电流的光波导折射率变化的内部全反射型半导体光开关的制造方法。 该方法包括以下步骤：在第1型InP衬底（1）上按顺序升高不掺杂外延法的InGaAsP光波导层（2）和InP包层（3）; 蚀刻要在其上形成光学检测器的包层（3）的某个区域; 通过在盖层（4）的特定区域上升出不掺杂外延法的InGaAsP覆盖层（4）和扩散掺杂剂来形成第二扩散区域; 通过蚀刻覆盖层（4）和覆盖层（3）形成光开关和光检测器的pn结并形成光波导; 并形成第1型电极（5）和第2型电极（13）。
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公开(公告)号：KR1019950009631B1
公开(公告)日：1995-08-25
申请号：KR1019920023354
申请日：1992-12-04
IPC: H01L31/08
Abstract: The device comprises an optical waveguide which is formed on a substrate, a cladding layer and a cap layer which are sequentially formed on the optical waveguide layer, the first electrode and the second electrode which are formed on the substrate and on the cap layer respectively, the second electrode which has negative angle and negative double angle with incident light not only to form the first reflection region in an optical input port and but also to form the second reflection region in the optical output port.
Abstract translation: 该器件包括形成在基板上的光波导管，覆盖层和覆盖层，它们分别形成在基板上和盖层上的光波导层，第一电极和第二电极上， 与入射光具有负角度和负双角度的第二电极不仅在光输入端口中形成第一反射区域，而且在光输出端口中形成第二反射区域。
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公开(公告)号：KR1019950021453A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027022
申请日：1993-12-09
IPC: H01L23/48
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판의 V-글로브(V-groove)에칭 및 플립칩 본딩(flip chip bonding)기술을 이용한 저가격 및 대량생산에 적합한 반도체 레이저 패키징 방법에 관한 것으로 모니터용 광검출기에서 광흡수율을 높이기 위해 칩을 실리콘 기판위에 세워 놓을 경우 전기적 연결을 위한 와이어 본딩이 불가능하여지고, 광검출기칩을 실리콘 기판위에 눕혀 놓는 경우에는 반도체 레이저에서 나오는 빛이 광검출기의 흡수영역으로 들어갈 수 없게 되는 문제점을 개선하기 위하여 반도체 공정을 이용하여 실리콘 기판위에 수행하므로써 저가격의 반도체 레이저 광송신 모듈을 대량생산이 가능하고 특히, 실리콘 기관을 이용한 반도체 레이저 패키징 기술중 종래의 가장 큰 문제점이 되어 온 모니터용 광검출기를 부착하는데 있어서, 기존의 V-groove에칭 및 flip chip공정 이 별도 공정의 추가없이 손쉽게 모니터용 검출기를 높은 흡수율을 갖도록 실리콘 기판 위에 부착하는 기술이다.
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公开(公告)号：KR1019950010143A
公开(公告)日：1995-04-26
申请号：KR1019930018145
申请日：1993-09-09
IPC: H01L29/86 , H01L29/8605
Abstract: 본 발명에서 제안된 광스위치는 에피성장, 홈모양의 선택식각, Zn확산, 전극증착 등에 의하여 제작되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분에서 홈모양의 식각과 InP와 InGaA의 확산계수의 차이에 의하여 Zn확산이 상대적으로 깊숙이 이루어져 전류주입이 집중되어지구 홈의 양 옆으로는 p/n/p/n 접합이 형성되어 전류주입이 차단되어진다.
즉, p형 옴접촉 면적은 도파로폭 전체에 형성되어져 옴저항은 줄어들고 전류주입은 반사면이 형성된 홈 식각부분으로만 주입된다.
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