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公开(公告)号：KR1020050107337A
公开(公告)日：2005-11-11
申请号：KR1020050099602
申请日：2005-10-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/06
CPC classification number: H01S5/0605 , H01S5/06256 , H01S5/0683
Abstract: 직접광변조형 파장변환기를 개시한다. 본 발명에 따른 파장변환기는 연속발진 신호가 필요없는 이득고정형 반도체 광증폭기 또는 반도체 레이저 자체이면서, 이들과 광섬유간의 결합손실을 줄이고 레이저의 발진 문턱값을 높게 한 것이다. 본 발명에 따르면, 파장변환이 일어나는 입력신호광의 세기를 조절할 수 있어 상대적으로 약한 세기의 입력신호광에 대해서도 파장변환이 가능하다.
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公开(公告)号：KR100472056B1
公开(公告)日：2005-03-11
申请号：KR1020020067219
申请日：2002-10-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02F1/065 , G02F1/225 , G02F2201/122 , G02F2202/022 , G02F2203/06
Abstract: 본 발명은 전기 광학적 현상을 가지는 폴리머를 이용하여 입력신호의 편광 상태에 무관한 편광 무관형 폴리머 광세기 변조기에 관한 것이다. 전기 광학 폴리머에서 전기광학 효과를 이용하기 위해서는 도파로에 높은 전압을 인가하여 분극(poling)시켜야 한다. 이 분극으로 인한 위상 변조의 크기가 분극에 평행한 편광에 대해 가장 크고 분극에 수직한 편광에 대해 가장 작다. 따라서 전기광학 폴리머 광세기 변조기 성능은 입력광의 편광 상태에 따라 달라지게 된다. 본 발명에서는 MZ 간섭계의 두 광경로를 분극시키는 방향을 서로 수직하게 함으로써 입력신호의 편광에 무관하게 변조시킬 수 있는 편광 무관형 폴리머 광세기 변조기 구도를 제안한다.
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公开(公告)号：KR100418262B1
公开(公告)日：2004-02-14
申请号：KR1020020026406
申请日：2002-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/2813 , G02B6/12002
Abstract: The present invention relates to a multi-layer optical planar waveguide which is vertically coupled using multimode-interference couplers and to the method of manufacturing the same. The purpose of this invention is to increase the degree of integration on the multi-layer optical planar waveguide by applying the concept of via holes of the multi-layer printed circuit board (MLPCB) used in electronic circuits to the optical waveguide devices. According to the present invention, particularly, a multimode interference coupler of a stepped structure has the higher coupling ratio at relatively short length of interference than the usual multimode interference coupler. The present invention can implement a multimode interference coupler at a specialized spot while reducing evanescent field interference between the upper and lower optical waveguides out of the spot by separating the layers enough.
Abstract translation: 本发明涉及使用多模干涉耦合器垂直耦合的多层光学平面波导及其制造方法。 本发明的目的是通过将用于电子电路中的多层印刷电路板（MLPCB）的通孔的概念应用于光波导器件来增加多层光学平面波导上的集成度。 根据本发明，特别地，阶梯结构的多模干涉耦合器在相对短的干扰长度处具有比通常的多模干涉耦合器更高的耦合比。 本发明可以在专用点处实现多模干涉耦合器，同时通过足够地分离这些层来减少上方和下方光学波导之间的eva逝场干扰。
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公开(公告)号：KR1020030088301A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：KR1020020026406
申请日：2002-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/2813 , G02B6/12002
Abstract: PURPOSE: A multimode interference coupler and a multi-layer optical planar waveguide using the multimode interference coupler and a manufacturing method thereof are provided to reduce the interference between upper and lower waveguide by forming the multimode interference coupler in a stepped structure, which has a high coupling ratio, between the upper and lower waveguide. CONSTITUTION: A lower core layer(124) is formed on a portion of a glass substrate(110) using ion exchanging. A UV(Ultraviolet) photosensitive polymer is applied on an upper surface of an entire structure. A refractive index of the UV photosensitive polymer is changed upon being exposed to a UV light. An upper core layer(144) is formed on a portion of the UV photosensitive polymer. An upper clad layer(142) is formed on the upper surface of the entire structure. A metal mask is provided on the upper clad layer(142) corresponding to a region where a multimode interference coupler(130) is to be formed. The multimode interference coupler(130) and a lower clad layer(122) are formed by irradiating a UV light onto the upper surface of the entire structure.
Abstract translation: 目的：提供一种使用多模干扰耦合器的多模干涉耦合器和多层光学平面波导及其制造方法，以通过以阶梯式结构形成多模干涉耦合器来减小上波导与下波导之间的干扰，其具有高 上下波导之间的耦合比。 构成：使用离子交换在玻璃基板（110）的一部分上形成下芯层（124）。 UV（紫外线）感光性聚合物被施加在整个结构的上表面上。 UV光敏聚合物的折射率在暴露于紫外光下时发生变化。 在UV光敏聚合物的一部分上形成上芯层（144）。 在整个结构的上表面上形成上覆层（142）。 在与要形成多模干涉耦合器（130）的区域相对应的上覆层（142）上设置金属掩模。 通过将UV光照射到整个结构的上表面上来形成多模干涉耦合器（130）和下包层（122）。
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公开(公告)号：KR100275534B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019980031282
申请日：1998-07-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판 표면 위의 금속 오염물 제거방법에 관한 것으로서, 자외선(UV:Ultraviolet) 램프에 의해 금속 오염물이 누적된 실리콘 기판에 장·단파장의 자외선(UV)과 오존(O
3 )을 함께 방사하여 상기 단파장의 자외선이 금속 오염물을 원자 상태로 여기시키고, 오존이 상기 장파장과 단파장의 자외선을 흡수하여 산소 원자 상태로 여기되며, 상기 여기된 금속 오염물과 산소 원자가 반응하여 금속 산화물을 생성하는 UV/O
3 세정 과정과, 수소 플라즈마에서 수소 원자를 발생시켜, 상기 UV/O
3 세정 과정에서 생성된 금속 산화물과의 반응에 의해 수소화물을 생성하고, 그 수소화물을 수소 플라즈마에 의해 화학적으로 에칭한 후 리프트 오프(lift-off) 기구에 의해 제거함으로써, 금속 오염물을 제거하는 리모트 수소 플라즈마(RHP:Remote Hydrogen Plasma) 세정 과� �으로 구성되어, 장비를 부식시키거나, Si 기판 표면을 손상시키지 않으면서, 웨이퍼 표면에서의 금속불순물 농도를 용이하게 10
10 atoms/cm
2 미만으로 제어할 수 있다는 장점이 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140058972A
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：KR1020120125493
申请日：2012-11-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 이종무
CPC classification number: B81C1/00023 , B81B1/006 , G02B3/0012
Abstract: A method for manufacturing a multi-layer micro lens is provided. The method for manufacturing the multi-layer micro lens comprises: the formation of a first micro lens comprising a first substance on a substrate; and the formation of a second micro lens comprising a second substance between the substrate and the first micro lens. The first and the second micro lenses are simultaneously formed by an etching process using the etching speed difference of the first and the second substance. The first and the second micro lenses have a different radius of curvature.
Abstract translation: 提供一种制造多层微透镜的方法。 制造多层微透镜的方法包括：在基底上形成包含第一物质的第一微透镜; 以及在所述基板和所述第一微透镜之间形成包括第二物质的第二微透镜。 通过使用第一和第二物质的蚀刻速度差的蚀刻工艺同时形成第一和第二微透镜。 第一和第二微透镜具有不同的曲率半径。
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公开(公告)号：KR1020130102414A
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020120023631
申请日：2012-03-07
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B3/0062 , B29D11/00365 , B81B3/0083 , G02B1/041 , G02B3/0018
Abstract: PURPOSE: A multi-layered micro lens is provided to improve the efficiency of optical focusing and lighting uniformity. CONSTITUTION: A multi-layered micro lens comprises a substrate (10), first micro lenses (15), and second micro lenses (18). The first micro lens is arranged on the substrate. The second micro lens is arranged on the first micro lens and is formed with a radius which is smaller than the first micro lens. The first and second micro lenses are aligned such that the center of the first and second micro lenses is positioned on the same axis.
Abstract translation: 目的：提供多层微透镜，以提高光学聚焦和照明均匀性的效率。 构成：多层微透镜包括基底（10），第一微透镜（15）和第二微透镜（18）。 第一微透镜布置在基板上。 第二微透镜布置在第一微透镜上，并且形成有比第一微透镜小的半径。 对准第一和第二微透镜，使得第一和第二微透镜的中心位于相同的轴上。
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公开(公告)号：KR1020120130406A
公开(公告)日：2012-12-03
申请号：KR1020110048304
申请日：2011-05-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 이종무
CPC classification number: H01S3/1055 , G02B3/08 , G02B19/0057 , H01L21/0331
Abstract: PURPOSE: An apparatus for transmitting beams using a Fresnel lens array is provided to lower a unit cost for a manufacturing process by utilizing a hybrid phase Fresnel lens array. CONSTITUTION: A laser lift off apparatus includes a laser generator(100) for oscillating laser beams, a variable attenuator, and a beam uniform system(120). The laser lift off apparatus further includes a beam reflection mirror(130) for changing the directions of the laser beam, and a condensing lens(140) for focusing the laser beams. The laser lift off apparatus further includes a stage for supporting an LED wafer. The laser beams, which are emitted from a beam light source of a laser oscillator in a pulse mode, are minutely controlled by the variable attenuator.
Abstract translation: 目的：提供一种使用菲涅耳透镜阵列传输光束的装置，通过利用混合相位菲涅耳透镜阵列来降低制造过程的单位成本。 构成：激光剥离装置包括用于振荡激光束的激光发生器（100），可变衰减器和光束均匀系统（120）。 激光剥离装置还包括用于改变激光束的方向的光束反射镜（130）和用于聚焦激光束的聚光透镜（140）。 激光剥离装置还包括用于支撑LED晶片的台。 以脉冲模式从激光振荡器的光束光源发射的激光束被可变衰减器微小地控制。
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公开(公告)号：KR1020120111525A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：KR1020110030041
申请日：2011-04-01
Applicant: 한국전자통신연구원 , 인하대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/325
Abstract: PURPOSE: A gallium nitride-based LED and a manufacturing method thereof are provided to improve hole mobility by controlling the doping concentration of an intermediate layer. CONSTITUTION: An n-type nitride semiconductor layer(230) is formed on a substrate. An active layer(240) is formed on the n-type nitride semiconductor layer. A p-type doped intermediate layer(250) is formed on the active layer. A p-type nitride semiconductor layer(260) is formed on the p-type doped intermediate layer. The doping concentration of the p-type doped intermediate layer is lower than the doping concentration of the p-type nitride semiconductor layer. The thickness of the p-type doped intermediate layer is 10 to 100nm.
Abstract translation: 目的：提供一种氮化镓基LED及其制造方法，以通过控制中间层的掺杂浓度来提高空穴迁移率。 构成：在基板上形成n型氮化物半导体层（230）。 在n型氮化物半导体层上形成有源层（240）。 在有源层上形成p型掺杂中间层（250）。 在p型掺杂中间层上形成p型氮化物半导体层（260）。 p型掺杂中间层的掺杂浓度低于p型氮化物半导体层的掺杂浓度。 p型掺杂中间层的厚度为10〜100nm。
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公开(公告)号：KR1020110062841A
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090119682
申请日：2009-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A wireless power transferring device is provided to prevent unnecessary heat radiation. CONSTITUTION: A highly efficient wireless power transferring system includes power relay resonant coils(200,210) between a transfer coil(112) and a receiving coil(123). The transfer coil and the power relay resonant coils resonate each other. Resonant frequency adjusting units(201,211) are placed in each power relay resonant coil.
Abstract translation: 目的：提供无线传输装置，以防止不必要的热辐射。 构成：高效率的无线电力传输系统包括传递线圈（112）和接收线圈（123）之间的功率继电器谐振线圈（200,210）。 传递线圈和功率继电器谐振线圈彼此谐振。 谐振频率调节单元（201,211）放置在每个功率继电器谐振线圈中。
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