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公开(公告)号：KR100155507B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940035492
申请日：1994-12-21
IPC: H01L31/12
Abstract: 본 발명은 광결합 효율을 높이기 위하여 집적광학형 광도파로를 적용한 광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법에 관한 것으로 반도체 발광 소자에 외부 광통신 시스템과의 접속을 위한 광섬유(pigtail fiber)를 부착한 형태로 패키징하여 제작되는 발광모듈의 패키징에 있어서 가장 어렵고 비용이 많이 드는 부분은 발광 소자와 부착 광섬유 사이의 광결합의 공정이다.
본 발명은 기존 발광모듈 제작시 발생하는 발광 소자와 단일 모드 광섬유 사이의 정렬오차에 의한 영향을 배제하면서 동시에 광출력-입력 면적 차이를 작게 함으로써 광결합 효율을 높이기 위한 광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법으로서 발광 소자에 광섬유를 부착하여 발광 모듈로 제작함에 있어 여러개의 역 깔때기형 코어가 배치된 집적 광학형 광도파로를 발광 소자와 단일 모드 광섬유 사이에 삽입하여 이루어짐을 특징으로 하는 것이다.-
公开(公告)号：KR100144789B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019950017305
申请日：1995-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 오믹접촉층 상부의 전극이 서로 소정 거리 이격되고 오믹접촉층의 길이 방향과 수직을 이루는 다수 개의 빗살을 갖는 빗의 형상으로 형성하여 활성층에서 광을 불연속적으로 발생시키거나, 또는, 리지형태인 제3클래드층과 오믹접촉층의 폭을 주기적으로 다르게하여 활성층에서 광을 공진기의 폭(W1)(W2)에 따라 서로 다른 횡모드 분포를 갖도록 발생시켜 공진기의 가장자리 부분에서 상대적으로 높은 이득에 의해 중심 부분 보다 밝게되는 광을 공진기의 길이 방향으로 짧은 길이를 갖도록 유도한다. 따라서, 높은 차수의 횡모드에 대응하는 밝은 띠가 짧게 무질서하게 형성되거나 발진자체를 억제하여 공진기의 기본 횡모드만 여기시킴으로써 출력되는 광의 방사 패턴의 중심 축이 굴절되는 것을 방지하여 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970031116A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950039680
申请日：1995-11-03
IPC: H01S3/09
Abstract: 본 발명은 광증폭용 레이저 다이오드 모듈 및 그의 제조방법에 관한것이다. 좀더 구체적으로, 본 발명은 레이저 다이오드 구성부품의 변위를 최소할 수 있으며 기계적 및 열적으로 안정된 구성을 지녀 우수한 광증폭 성능을 발휘할 수 있는 광증폭용 레이저 다이오드 모듈 및 전기한 레이저 다이오드 모듈을 간단한 공정에 의해 경제적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 레이저 다이오드 모듈은 외부환경으로 부터 내부의 구성부품을 보호하기 위한 패키지(21) 내부에, 레이저 다이오드(24)에서 발생된 열을 패키지(21)의 외부로 방출하기 위한 냉각소자(23)가 구성되고, 전기한 냉각소자(23) 위에 펌핑용 빛을 방출하는 레이저 다이오드(24)가 히트싱크(25) 상에 형성되고, 전기한 히트싱크(25) 및 모니터 포토다이오드 마운트(34)가 세라믹 지지체(26) 상에 형성되며, 전기한 세라믹 지지체(26)와 냉각소자(23) 사이에는 광섬유 페룰(27)을 지지하기 위한 웰드베이스(31)가 형성되고, 전기한 레이저 다이오드(24)에 맞추어 광정열된 광섬유(36)를 지지하기 의한 광섬유 페룰(27)이 광섬유(36)의 일단을 감싸면서 전기한 웰드베이스(31)의 일면을 관통하여 삽입형성되고, 전기한 광섬유 페룰(27)을 웰드베이스(31)의 일면에 고정시키기 위한 축대칭 구조의 광섬유 페룰 하우징(32)이 전기한 광섬유 페룰(27)과 웰드베이스(31)의 일면에 레이저 용접되어 구성된다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100319762B1
公开(公告)日：2002-01-05
申请号：KR1019990061981
申请日：1999-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
Abstract: 본발명은공진기거울부분에전압을인가함으로써안정된출력편광을얻을뿐만아니라인가되는전압의방향을변경함으로써출력편광의방향을효과적으로제어할수 있는수직공진표면방출반도체레이저장치에관한것으로, 화합물반도체기판, 상기화합물반도체기판상에형성된제1 공진기거울, 상기제1 공진기거울상에형성된제1 클레딩층, 상기제1 클레딩층상에형성된이득매질층, 상기전류통로층상에형성된저항물질층및 상기저항물질층상에형성된제2 공진기거울을포함하는수직공진표면방출반도체레이저를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020010057761A
公开(公告)日：2001-07-05
申请号：KR1019990061160
申请日：1999-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/32
Abstract: PURPOSE: An optical filter integrate laser diode and wave length fixing light source structure is provided to measure a fine optical wave length change easily with a general optical detector by using a multiple microcavity integrate structure. CONSTITUTION: A distributed feedback laser diode(DBF-LD) is supplied on a substrate(1). A multiple microcavity filter(MMCF) is arranged at the rear side of the distributed feedback laser diode. A diffraction grating(5) which is supplied at an active layer of the distributed feedback laser diode makes the distributed feedback laser diode to be operated in a designated wave length, and a part of lights that is generated there goes out through the multiple microcavity filter. The multiple microcavity filter makes a filtering lights of special wave length. Integration of the multiple microcavity filter is possible with anyone of monolithic or hybrid integration.
Abstract translation: 目的：提供集成激光二极管和波长固定光源结构的滤光片，通过使用多重微腔积分结构，通过一般的光学检测器容易地测量精细的光波长变化。 构成：在基板（1）上提供分布反馈激光二极管（DBF-LD）。 在分布式反馈激光二极管的背面设有多个微腔滤波器（MMCF）。 在分布式反馈激光二极管的有源层处提供的衍射光栅（5）使得分布式反馈激光二极管以指定的波长工作，并且其中产生的一部分光通过多个微腔滤波器 。 多个微腔滤波器产生特殊波长的滤光灯。 任何单片或混合集成都可以集成多个微腔滤波器。
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公开(公告)号：KR100279734B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019980020411
申请日：1998-06-02
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 평면 매립형 반도체 레이저 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 그 구조는 pnp 구조의 전류차단층(304, 305, 306)이 반절연성 전류 차단층(309)의 양 내측면에 함께 형성된 구조이고, 이러한 구조의 제조는 메사 식각을 행하여 활성층 영역을 정의하는 과정과, 그 활성층 영역으로의 전류주입을 위하여 활성층 주변에 pnp 구조의 전류 차단층을 재성장하는 과정과, pnp 구조의 전류 차단층 재성장 후 활성층 영역 위에 크래드 층과 오옴 접촉층을 재성장하는 과정과, 크래드 층과 오옴 접촉층을 재성장한 후 변조 속도를 높여주기 위해 반절연층을 재성장하는 과정으로 제조함으로써, 고성능의 광출력 특성을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 변조 특성을 현저히 높일 수 있으므로 고성능의 평면 매립형 반도체 레이저를 얻을 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100276078B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980016751
申请日：1998-05-11
IPC: H01L29/20
Abstract: PURPOSE: A structure of a planar buried semiconductor and a fabricating method thereof are provided to reduce an optical loss by changing only a structure of a current intercepting layer. CONSTITUTION: An active layer(22) of a hetero-junction structure and a p type InP clad layer(21) grow on an n type InP substrate(23). An insulating layer is deposited thereon and a stripe for forming a mesa is formed. An etch process for the mesa is performed. A re-growing layer is formed by a p type InP layer(24), an n type InP layer(25), a p type InP layer(26) and an n type InP layer(27). The insulating layer used for the mesa etch process is removed. A p type InP clad layer(28) and an InGaAs ohm contact layer grow after the insulating layer is removed.
Abstract translation: 目的：提供平面埋入式半导体的结构及其制造方法，通过仅改变截流层的结构来减少光损耗。 构成：异质结结构的有源层（22）和p型InP包层（21）在n型InP衬底（23）上生长。 在其上沉积绝缘层，并形成用于形成台面的条带。 执行台面的蚀刻工艺。 再生长层由p型InP层（n），n型InP层（25），p型InP层（26）和n型InP层（27）形成。 去除用于台面蚀刻工艺的绝缘层。 在绝缘层被去除之后，p型InP覆盖层（28）和InGaAs欧姆接触层生长。
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