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公开(公告)号：KR100501893B1
公开(公告)日：2005-07-25
申请号：KR1020020070716
申请日：2002-11-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N13/16
CPC classification number: G01Q60/32
Abstract: 본 발명은 표면 형상 측정을 위한 Z 방향 구동기를 사용함에 있어서, 하나의 구동기로 표면 높이를 추종하는 역할과 켄티레버를 그 고유진동수로 가진하는 역할을 동시에 할 수 있는 비접촉식 측정 장치 및 주파수 응답 분리법을 이용한 비접촉식 표면 측정 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, X축 및 Y축 방향으로 이동하는 샘플과 일정 거리를 유지하면서 상기 샘플의 표면 형상을 자신의 공진 주파수의 진폭의 변화를 통해 센싱하는 센싱부; 상기 센싱부를 통해 센싱된 신호를 주파수 형태의 제1신호로 변환하여 출력하는 주파수 변환부; 상기 제1신호와 주파수 발생부로부터 출력되는 제2신호를 합성하는 주파수 합성부-상기 제2신호는 상기 공진 주파수와 동일하며 상기 제1신호에 비해 고주파임; 및 상기 합성된 신호 중 상기 제1신호에 응답하여 상기 센싱수단을 Z축 방향으로 구동시키며, 상기 센싱수단이 상기 제2신호에 선택적으로 동작하도록 하기 위해 상기 센싱수단에 상기 합성된 신호를 제공하는 구동부를 포함하는 비접촉식 측정 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 주파수 응답 분리법을 이용한 비접촉식 표면 측정 방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR100497419B1
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1020020082855
申请日：2002-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B11/08
CPC classification number: G11B11/002 , G11C13/0004 , G11C13/04
Abstract: 본 발명에 따른 정보저장매체는 기판, 다수의 하부 전극선, 다수의 상부 전극선, 및 정보 기록층을 포함한다. 여기서, 다수의 하부 전극선은 기판 상에 서로 일정한 간격으로 평행하게 배열되며, 다수의 상부 전극선은 다수의 하부 전극선과 교차하며, 서로 일정한 간격으로 평행하게 배열된다. 정보 기록층은 하부 전극선과 상부 전극선 사이의 교차점에 셀을 형성하여 매트릭스 구조를 갖는 정보 기록층을 포함하며, 여기서 셀의 결정 상태는 상기 셀을 형성하는 상기 하부 전극선과 상기 상부 전극선에 인가되는 전압의 차이에 따라 비정질 상태 또는 결정 상태로 형성된다.
본 발명에 따른 정보저장매체에서는 상기 정보 기록층의 셀의 초기 상태가 결정(crystal) 상태 또는 비정질(amorphous) 상태이며, 전기적인 가열에 의해 상기 두 상태 중 하나에서 다른 하나로 변환된다. 상기 셀이 결정 상태일 경우와 비정질 상태일 경우의 입사 광에 대한 반사율이 상이하므로, 이러한 성질을 이용하여 상기 정보저장매체에 기록된 정보를 재생할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020040056274A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：KR1020020082855
申请日：2002-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B11/08
CPC classification number: G11B11/002 , G11C13/0004 , G11C13/04
Abstract: PURPOSE: A data storage media and an optical system using the data storage media are provided to record or regenerate data at or from the data storage media using a matrix type electric circuit mechanism. CONSTITUTION: The media comprises plural lower electrode lines(120), plural upper electrode lines(140), and a data record layer(130). The plural lower electrode lines(120) are equidistantly and in parallel arranged on a transistor. The plural upper electrode lines(140) are also equidistantly and in parallel arranged on a transistor while they cross the plural lower electrode lines(120). The data record layer(130) includes cells formed between the plural lower electrode lines(120) and plural upper electrode lines(140). The overall surface is covered with a silicon oxide film. The transistor actively controls the current amount supplied for the each cell.
Abstract translation: 目的：提供使用数据存储介质的数据存储介质和光学系统，以使用矩阵型电路机制在数据存储介质上记录或重新生成数据。 构成：介质包括多个下电极线（120），多个上电极线（140）和数据记录层（130）。 多个下电极线（120）在晶体管上等距并联。 多个上电极线（140）在等离子体并排配置在晶体管上同时跨越多个下电极线（120）。 数据记录层（130）包括形成在多个下电极线（120）和多个上电极线（140）之间的单元。 整个表面被氧化硅膜覆盖。 晶体管主动地控制为每个单元提供的电流量。
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公开(公告)号：KR100436292B1
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：KR1020010074731
申请日：2001-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B11/26
CPC classification number: G11B7/1387 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G11B7/22 , Y10S29/016 , Y10T29/49032 , Y10T29/49165
Abstract: A method of manufacturing a head for recording and reading optical data. The method includes: providing a silicon substrate on which a silicon oxide film and a silicon deposition layer are stacked; etching the bottom of the silicon substrate by a given depth to form an opening; forming an aperture having a given slant angle in the silicon deposition layer located on the opening; etching the portion of the silicon oxide film, exposed through the opening; forming a dielectric layer on the silicon deposition layer including the aperture; removing an exposed portion of the bottom of the silicon deposition layer by a given thickness to expose a portion of the dielectric layer, forming a probe on the exposed portion of the dielectric layer and the silicon deposition layer exposed through the opening; and burying the aperture with a non-linear material.
Abstract translation: 制造用于记录和读取光学数据的磁头的方法。 该方法包括：提供其上堆叠有氧化硅膜和硅沉积层的硅基板; 将硅衬底的底部蚀刻给定深度以形成开口; 在位于开口上的硅沉积层中形成具有给定倾斜角的孔; 蚀刻通过开口暴露的部分氧化硅膜; 在包括所述孔的所述硅沉积层上形成电介质层; 将所述硅沉积层的底部的暴露部分移除给定厚度以暴露所述介电层的一部分;在所述介电层的所述暴露部分上形成探针并且通过所述开口暴露所述硅沉积层; 并用非线性材料掩埋孔径。
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公开(公告)号：KR100171023B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019950053645
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 위에 금속박막을 형성하는 방법에 관한 것으로 특히, 초고진공내에서 계면활성제로서 Sb나 As을 이용하여 Si과 같은 반도체 기판 위에 균일하게 금속 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 기판으로 사용될 반도체 단결정을 깨끗하게 진공 내에서 세척하여 오염되지 않고 균일한 면을 얻는 다음, 기판을 적절한 온도 정도로 가열하면서 계면활성제를 진공증착하는 제1단계; 및 상기 제1단계에서 형성된 계면활성제 박막 위에 금속을 진공 증착하는 제2단계로 수행되는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100160581B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950050512
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 레이저 어블레이션 방법에 의한 다이아몬드 박막의 형성방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명의 레이저 어블레이션(laser ablation) 방법으로 기판 상에 다이아몬드 박막을 형성시 외부에서 기판 상에 원자 수소빔(atomic hydrogen beam)을 공급하여 양질의 다이아몬드 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 레이저 어블레이션 방법에 의한 다이아몬드 박막 형성방법은, 엑시머 레이저(1)로부터 발생된 레이저빔을 그래파이트 타겟(2)에 조사하고, 레이저빔의 조사에 의해 튀어나온 입자들을 기판 가열기(3) 위에 위치한 기판(4) 상에 증착시켜 다이아몬드 박막을 형성하는 레이저 어블레이션 방법에 의한 다이아몬드 박막 형성방법에 있어서, 상기한 증착과정 중에 별도의 원자수소 공급수단(5)을 사용하여 기판(4) 상에 원자 수소빔을 공급하는 과정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019980044526A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062619
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
소자의 초고집적화를 위해 수 나노미터 사이즈를 가지며, 초고진공하에서 모든 공정이 수행되어 초고순도를 갖도록 하는 반도체 나노세선 형성 방법을 제공하는데 있음.
3. 발명의 해결 방법의 요지
실리콘기판에 실리콘나이트라이드 박막을 형성한 후 원자력현미경으로 패턴을 만든다음, 이 표면을 산화시켜 패턴된 부분만 선택적으로 실리콘옥사이드층을 형성한다. 다시 원자력현미경으로 실리콘나이트라이드 부분만 선택적으로 패턴한 다음 분자선에피탁시 방법으로 실리콘이나 게르마늄을 적층한 후, 열처리에 의한 화학적 반응으로 산화막 및 그 상부의 실리콘이나 게르마늄을 선택적을 제거한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자 제조 공정-
公开(公告)号：KR100138857B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940029925
申请日：1994-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 초고진공내에서 반도체 및 도체의 시료를 이동하고 특정한 목적으로 열처리하는 집게 및 시료대에 관한 것으로, 기존의 조작기(Manipulator)가 가지고 있는 시료의 조작의 불편이나, 두발집게가 가지고 있는 시료대의 불안정성과 전자빔 가속에 의한 열처리의 난점 등을 극복한 네발집게와 시료대로서 본 발명 네발집게를 이용하면 외부에서 어떠한 크기나 형태를 가진 물건도 초고진공내에서의 조작과 이동이 가능하고, 반도체나 도체의 세척과정에서 필수적으로 수반되는 열처리의 과정이 훨씬 용이하게 된다
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公开(公告)号：KR1019970052803A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950050512
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 레이저 어블레이션 방법에 의한 다이아몬드 박막의 형성방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명의 레이저 어블레이션(laser ablation) 방법으로 기판 상에 다이아몬드 박막을 형성시 외부에서 기판 상에 원자 수소빔(atomic hydrogen beam)을 공급하여 양질의 다이아몬드 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 레이저 어블레이션 방법에 의한 다이아몬드 박막 형성방법은, 엑시머 레이저(1)로부터 발생된 레이저빔을 그래파이트 타겟(2)에 조사하고, 레이저빔의 조사에 의해 튀어나온 입자들을 기판 가열기(3) 위에 위치한 기판(4) 상에 증착시켜 다이아몬드 박막을 형성하는 레이저 어블레이션 방법에 의한 다이아몬드 박막 형성방법에 있어서, 상기한 증착과정 중에 별도의 원자수소 공급수단(5)을 사용하여 기판(4) 상에 원자 수소빔을 공급하는 과정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019960019644A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940029925
申请日：1994-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 초고진공내에서 반도체 및 도체의 시료를 이동하고 특정한 목적으로 열처리하는 집게 및 시료대에 관한 것으로,기존의 조작기(Manipulator)가 가지고 있는 시료의 조작의 불편이나, 두발집게가 가지고 있는 시료대의 불안정성과 전자빔 가속에 의한 열처리의 난점 등을 극복한 네발집게와 시료대로서 본 발명 네발집게를 이용하면 외부에서 어떠한 크기나 형태를 가진 물건도 초고진공내에서의 조작과 이동이 가능하고, 반도체나 도체의 세척과정에서 필수적으로 수반되는 열처리의 과정이 훨씬 용이하게 된다.
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