公开(公告)号：FR3063832B1

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：FR1751901

申请日：2017-03-08

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： DI CIOCCIO LEA

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/98

Abstract: L'invention concerne le domaine de l'intégration tridimensionnelle de composants microélectroniques et plus particulièrement un procédé d'autoassemblage 100 de composants microélectroniques comprenant : - Fournir 101 un substrat dit d'auto-alignement comprenant au moins une protubérance présentant une face supérieure hydrophobe, - Fournir 102 au moins une puce, - Fournir 103 un substrat dit d'auto-assemblage, - Obtenir 104, par effet capillaire, l'auto-alignement de ladite au moins une puce sur l'au moins une protubérance du substrat d'auto-alignement, puis - Obtenir 105 l'assemblage de ladite au moins une puce sur le substrat d'auto-assemblage par collage direct sur le substrat d'auto-assemblage de ladite au moins une puce. L'invention trouve pour application la fabrication industrielle de composants microélectroniques, tels que des circuits intégrés 3D. Elle dissocie l'alignement et l'assemblage des puces pour obtenir un haut rendement et pallier le problème lié à l'intégration des protubérances sur un substrat d'autoassemblage processé.

公开(公告)号：FR3058258B1

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：FR1660626

申请日：2016-11-03

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： DI CIOCCIO LEA ,  BERTHIER JEAN ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/58

公开(公告)号：FR3003689B1

公开(公告)日：2016-11-25

申请号：FR1352657

申请日：2013-03-25

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： BERTHIER JEAN ,  DI CIOCCIO LEA ,  MERMOZ SEBASTIEN

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/48 ,  H01L21/58

公开(公告)号：FR2964112B1

公开(公告)日：2013-07-19

申请号：FR1003496

申请日：2010-08-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： VANDROUX LAURENT ,  DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC

IPC: C09J5/02 ,  C23C4/04 ,  H01L21/02

公开(公告)号：FR2963158B1

公开(公告)日：2013-05-17

申请号：FR1055936

申请日：2010-07-21

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC

IPC: H01L21/762

公开(公告)号：FR2925978B1

公开(公告)日：2010-01-29

申请号：FR0760437

申请日：2007-12-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ZUSSY MARC ,  DI CIOCCIO LEA ,  MORALES CHRISTOPHE ,  MORICEAU HUBERT

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/04 ,  H01L21/461

公开(公告)号：FR2925978A1

公开(公告)日：2009-07-03

申请号：FR0760437

申请日：2007-12-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ZUSSY MARC ,  DI CIOCCIO LEA ,  MORALES CHRISTOPHE ,  MORICEAU HUBERT

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/04 ,  H01L21/461

Abstract: L'invention concerne un procédé de séparation d'une structure comprenant une zone fragile délimitant dans cette structure deux sous-structures à séparer,selon lequel on fait avancer au moins une lame plane suivant une direction d'avance dans un plan de séparation correspondant à un plan moyen de la zone fragile, depuis un bord d'entrée de la structure en direction d'un bord de sortie de la structure, en sorte de provoquer une séparation progressive des deux sous-structures,le procédé étant caractérisé en ce qu'on fait varier l'inclinaison de la lame dans le plan de séparation vis-à vis de la direction d'avance.

公开(公告)号：DE602005004945T2

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：DE602005004945

申请日：2005-03-15

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FEDELI JEAN-MARC ,  DI CIOCCIO LEA

IPC: G02B6/43 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  H05K1/02

Abstract: The method involves forming an optical waveguide in a silicon layer of a SOI plate having a silicon substrate and an intermediate oxide layer (62). The waveguide is assembled with a CMOS type electronic circuit. An active optical component e.g. photo detector, is formed over the assembly of waveguide and electronic circuit, provided on the layer (62) which has thickness of 100 nanometers (nm) with a uniformity of +/- 10 nm. An independent claim is also included for an optoelectronic device.

公开(公告)号：FR2893750B1

公开(公告)日：2008-03-14

申请号：FR0511798

申请日：2005-11-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： TEMPLIER FRANCOIS ,  MORICEAU HUBERT ,  MOUREY BRUNO ,  DI CIOCCIO LEA

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/167 ,  H01L27/32

公开(公告)号：FR2888402B1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：FR0507206

申请日：2005-07-06

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： DI CIOCCIO LEA ,  KOSTRZEWA MAREK ,  ZUSSY MARC

IPC: H01L21/50

Abstract: A method for assembling by molecular bonding two substrates, at least one of which is made of a semiconductor material characterised in that one of substrates, called a first substrate, includes a surface (A), where at least one portion is flat and provided with an initial surface roughness compatible with the molecular bonding. The inventive method consists in depositing a thin oxide or nitride bonding layer, whose thickness ranges from 10 to 20 nm, on at least one portion of the surface flat part of the first substrate for carrying out a molecular bonding without pre-polishing, in saturating the thin bonding layer with hydroxyl groups, in bringing the thin bonding layer saturated with hydroxyl groups in contact with the second substrate (10) surface (B) which is at least locally flat with respect to the flat part of the surface (A) and saturated with hydroxyl groups and in carrying out a hydrophilic molecular bonding between said two substrates.