Sensor mit Mikrounterbrechungskompensation

    公开(公告)号:DE102015112300A1

    公开(公告)日:2016-02-04

    申请号:DE102015112300

    申请日:2015-07-28

    Inventor: MOTZ MARIO

    Abstract: Eine Sensoreinrichtung enthält eine Hochspannungskomponente, eine Sensorkomponente und eine Ladungsspeicherkomponente. Die Sensorkomponente nutzt eine Niederspannungsversorgung. Die Hochspannungskomponente ist konfiguriert zum Generieren der Niederspannungsversorgung aus einer Hochspannungsversorgung. Die Ladungsspeicherkomponente ist konfiguriert zum Liefern von Ladung für die Niederspannungsversorgung während einer Stromunterbrechung. Die Ladungsspeicherkomponente besitzt einen vertikalen Kondensator.

    Sensorsysteme mit Multi-Modus Analog-Digital-Konvertierung

    公开(公告)号:DE102015110450A1

    公开(公告)日:2015-12-31

    申请号:DE102015110450

    申请日:2015-06-29

    Abstract: Eine Vorrichtung (100) zum Analog-Digital-Konvertieren umfasst einen Dualmodus-Konverter (104) und eine Steuereinheit (106). Der Dualmodus-Konverter (104) weist einen Grobmodus und einen Feinmodus auf. Der Dualmodus-Konverter (104) ist eingerichtet, um ein Eingangssignal (108) zu empfangen und um das Eingangssignal (108) in eine digitale Ausgabe (115) mit einer selektierten Auflösung zu konvertieren. Die Steuereinheit (106) ist eingerichtet, um den Konverter (104) in dem Grobmodus zu betreiben, bis eine Grobapproximation erhalten wird, und um den Konverter in dem Feinmodus zu betreiben, bis eine Feinapproximation erhalten wird, die die selektierte Auflösung aufweist. Der Feinmodus beinhaltet Multi-Bit-inkrementelles Nachverfolgen.

    Komparatorschaltung mit einer versteckten Hysterese

    公开(公告)号:DE102012015945A1

    公开(公告)日:2014-05-15

    申请号:DE102012015945

    申请日:2012-08-09

    Abstract: Eine Komparatorschaltung (100) mit einer versteckten Hysterese umfasst einen Komparator (200), einen Hysteresekomparator (400), eine Auswerteschaltung (300), einen Eingang (110) und einen Ausgang (120). Der Eingang (110) ist mit einem Eingang des Komparators (200) und mit einem Eingang des Hysteresekomparators (400) verbunden. Der Komparator (200) und der Hysteresekomparator (400) sind mit Eingängen der Auswerteschaltung (300) verbunden. Ein Ausgang der Auswerteschaltung (300) ist mit dem Ausgang (120) verbunden, wobei die Auswerteschaltung dazu ausgebildet ist, an dem Ausgang ein Ausgangssignal mit einen ersten oder einen zweiten Ausgangszustand bereitzustellen. Zur Bestimmung eines Anfangszustandes des Ausgangssignals wird zwischen dem ersten und dem zweiten Ausgangszustand geschaltet.

    VERTIKALE HALL-VORRICHTUNG MIT NIEDRIGEM OFFSET UND STROM-SPINNING-VERFAHREN

    公开(公告)号:DE102013212463A1

    公开(公告)日:2014-01-02

    申请号:DE102013212463

    申请日:2013-06-27

    Abstract: Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft eine vertikale Hall-Effekt-Vorrichtung. Die Vorrichtung umfasst mindestens zwei Versorgungsanschlüsse, die dafür eingerichtet sind, dem ersten Hall-Effekt-Gebiet elektrische Energie zuzuführen, und mindestens einen Hall-Signalanschluss, der dafür eingerichtet ist, ein erstes Hall-Signal vom ersten Hall-Effekt-Gebiet bereitzustellen. Das erste Hall-Signal gibt ein Magnetfeld an, das parallel zur Fläche des Halbleitersubstrats ist und auf das erste Hall-Effekt-Gebiet wirkt. Einer oder mehrere der mindestens zwei Versorgungsanschlüsse oder einer oder mehrere von dem mindestens einen Hall-Signalanschluss weisen einen Kraftkontakt und einen Messkontakt auf.

    Kapazitiver Sensor und Messsystem
    55.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102008061225B4

    公开(公告)日:2012-09-06

    申请号:DE102008061225

    申请日:2008-12-09

    Abstract: System (100), das folgende Merkmale aufweist: einen kapazitiven Sensor (112; 112a; 120a; 130a; 140a), der eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode umfasst; und ein Messsystem (106; 300), das konfiguriert ist, um eine Kapazität zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode zu erfassen und einen ersten Versatz an die erfasste Kapazitat anzulegen, um eine versatzkompensierte Kapazitat zu liefern, wobei das Messsystem eine Versatzkompensationsschaltung (400) aufweist, die ausgelegt ist, um unter Verwendung von basierend auf digitalen Steuerwerten geschalteten Kondensatoren ein Versatzsignal zu erzeugen, das als erster Versatz an die erfasste Kapazität angelegt wird.

    Vorrichtung, Sensorschaltung und Verfahren zum Betg

    公开(公告)号:DE102011017698A1

    公开(公告)日:2012-03-01

    申请号:DE102011017698

    申请日:2011-04-28

    Abstract: Eine Vorrichtung ist beschrieben, die folgende Merkmale umfasst: eine Signalverarbeitungsschaltung, die angepasst ist, um ein Eingangssignal zu verarbeiten, um ein Ausgangssignal zu erhalten; ein Sensorelement zum Erfassen einer vorbestimmten physikalischen Größe, wobei das Sensorelement angepasst ist, um ansprechend auf die vorbestimmte physikalische Größe ein Sensorsignal zu erzeugen; wobei die Signalverarbeitungseinheit angepasst ist, um das Eingangssignal zu verarbeiten, um abhängig von dem Sensorsignal das Ausgangssignal zu erhalten; und wobei die Vorrichtung ferner eine Auswertungsschaltung aufweist, die angepasst ist, um das Sensorsignal auszuwerten und ein Anzeigesignal zu erzeugen, das eine anormale Betriebsbedingung anzeigt, falls das Sensorsignal ein vorbestimmtes Normalbetriebskriterium nicht erfüllt.

    System, das eine Rückkopplungsschaltung mit digitaler Zerhackungsschaltung umfasst

    公开(公告)号:DE102011004930A1

    公开(公告)日:2012-01-12

    申请号:DE102011004930

    申请日:2011-03-01

    Abstract: Ein System, das eine erste Schaltung, eine zweite Schaltung und eine Rückkopplungsschaltung umfasst. Die erste Schaltung ist dazu konfiguriert, Eingangssignale zu liefern. Die zweite Schaltung ist dazu konfiguriert, die Eingangssignale zu empfangen und digitale Ausgangssignale zu liefern, die den Eingangssignalen entsprechen. Die Rückkopplungsschaltung umfasst eine Zerhackungsschaltung, eine Integrationsschaltung und eine Digital/Analog-Wandlerschaltung. Die Zerhackungsschaltung ist dazu konfiguriert, die digitalen Ausgangssignale zu empfangen und Fehlersignale zu liefern, die einen Welligkeitsfehler in den digitalen Ausgangssignalen darstellen. Die Integrationsschaltung ist dazu konfiguriert, die Fehlersignale zu akkumulieren und ein akkumuliertes Fehlersignal zu liefern. Die Digital/Analog-Wandlerschaltung ist dazu konfiguriert, das akkumulierte Fehlersignal in ein analoges Signal umzuwandeln, das seitens der zweiten Schaltung empfangen wird, um den Welligkeitsfehler zu verringern.

    Magnetfeldstromsensoren
    58.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102009054892A1

    公开(公告)日:2010-07-15

    申请号:DE102009054892

    申请日:2009-12-17

    Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf Magnetstromsensoren, Systeme und Verfahren. Bei einem Ausführungsbeispiel weist ein Magnetstromsensor, der in einer integrierten Schaltung (IS) integriert ist und in einem IS-Gehäuse gehäust ist, einen IS-Chip, der ausgebildet ist, um zumindest drei Magneterfassungselemente an einer ersten Oberfläche aufzuweisen, einen Leiter und zumindest einen Schlitz auf, der in dem Leiter gebildet ist, wobei ein erstes Ende des zumindest einen Schlitzes und zumindest eines der Magneterfassungselemente relativ positioniert sind, derart, dass das zumindest eine der Magneterfassungselemente konfiguriert ist, um ein erhöhtes Magnetfeld zu erfassen, das in dem Leiter in der Nähe des ersten Endes des zumindest einen Schlitzes induziert wird.

    60.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102004003853B4

    公开(公告)日:2009-12-17

    申请号:DE102004003853

    申请日:2004-01-26

    Abstract: The inventive circuitry on a semiconductor chip includes a first functional element having a first electronic functional-element parameter that exhibits a dependence relating to the mechanical stress present in the semiconductor circuit chip in accordance with a first functional-element stress influence function. The first functional element provides a first output signal based on the first electronic functional-element parameter and mechanical stress. A second functional element has a second electronic functional-element parameter that exhibits a dependence in relation to the mechanical stress present in the semiconductor circuit chip in accordance with a second functional-element stress influence function. The second functional element is configured to provide a second output signal based on the second electronic functional-element parameter and the mechanical stress. A combiner combines the first and second output signals to obtain a resulting output signal exhibiting a predefined dependence on the mechanical stress present in the semiconductor circuit chip.

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