公开(公告)号：WO2014048997A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/069980

申请日：2013-09-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  DIRSCHERL, Georg ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (201), umfassend: Bereitstellen (101) eines Aufwachssubstrats (301), auf welchem eine Halbleiterschichtenfolge (203) umfassend eine aktive Zone (205) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung angeordnet ist, Anordnen (103) eines Hilfsträgersubstrats (321) einer dem Aufwachssubstrat (301) gegenüberliegenden ersten Oberfläche (320) der Halbleiterschichtenfolge (203), Entfernen (105) des Aufwachssubstrats (301), Bilden (107) einer die Halbleiterschichtenfolge (203) mechanisch stabilisierende Konverterschicht (207) zum Konvertieren einer Wellenlänge zumindest eines Teils der mittels der aktiven Zone (205) erzeugten elektromagnetischen Strahlung in eine von der Wellenlänge verschiedenen anderen Wellenlänge auf einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (326) der Halbleiterschichtenfolge (203) und Entfernen (109) des Hilfsträgersubstrats (321). Die Erfindung betrifft ferner ein optoelektronisches Bauelement (201).

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造光电子组件（201），包括：提供（101）在其上的半导体层序列（203）的有源区（205）被布置用于生成电磁辐射包括，布置在生长衬底（301）（ 103）之一的生长衬底（301）的辅助载体基板（321）（半导体层序列（203）的第一表面（320）相对的生长衬底301），去除（105）中，形成（107）的半导体层序列（203）机械稳定转换器层的（207 ）对于副安装座基板的转换的波长的至少一部分的（由活性区205）的方向上的电磁辐射与其它波长的波长不同的半导体层序列（203的第一表面相对的第二表面（326）中的一个的装置），并删除（109）生成的 （321）。 本发明还涉及一种光电部件（201）。

公开(公告)号：WO2013045181A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012/066459

申请日：2012-08-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HERTKORN, Joachim ,  ENGL, Karl ,  HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas

Inventor： HERTKORN, Joachim ,  ENGL, Karl ,  HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), Erzeugen einer III-Nitrid-Nukleationsschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) auf die oder über der Nukleationsschicht (3), wobei ein Material des Aufwachssubstrats (1) von einem Material der Nukleationsschicht (3) und/oder der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden ist.

Abstract translation: 在所述方法的至少一个实施例是，对于光电子半导体芯片（10），特别是发光二极管组的制造。 该方法包括以下步骤：提供一生长衬底（1），通过溅射，和生长III族氮化物半导体层序列制备生长衬底（1）上的III族氮化物成核层（3）（2）与活性层（2A ），其中所述生长衬底（1）（从成核层（3）的材料，和/或半导体层序列2）的材料为上或上方成核层不同（3）。

公开(公告)号：WO2011009821A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：PCT/EP2010/060345

申请日：2010-07-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAHN, Berthold ,  MAUTE, Markus ,  HERRMANN, Siegfried

Inventor： HAHN, Berthold ,  MAUTE, Markus ,  HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L25/16 ,  F21K99/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen einer Vielzahl von Leuchtdioden (4), wobei jede Leuchtdiode einen strahlungsdurchlässigen Träger (44) und zumindest zwei räumlich voneinander getrennte Halbleiterkörper (41, 42, 43) aufweist, jeder Halbleiterkörper (41, 42, 43) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, die Halbleiterkörper (41, 42, 43) getrennt voneinander ansteuerbar sind und die Halbleiterkörper (41, 42, 43) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) auf dem strahlungsdurchlässigen Träger (44) angeordnet sind, Bereitstellen eines Chip-Verbundes (1) aus CMOS-Chips (10), wobei jeder CMOS-Chip (10) an seiner Oberseite (10a) zumindest zwei Anschlussstellen (2) aufweist, Verbinden zumindest einer der Leuchtdioden (4) mit einem der CMOS-Chips (10), wobei die Leuchtdiode (4) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) an der Oberseite (10a) des CMOS-Chips (10) angeordnet wird und jeder Halbleiterkörper (41, 42, 43) der Leuchtdiode mit einer Anschlussstelle (2) des CMOS-Chips (10) verbunden wird.

Abstract translation: 本发明提供一种方法用于生产荧光物质的方法，包括以下步骤：提供多个发光二极管（4），其中每个发光二极管，包括每一个辐射透射的支撑件（44）和至少两个空间上分离的半导体基体（41，42，43） 半导体主体（41，42，43）被设置用于在所述辐射透射支座的顶部（44a）上产生电磁辐射，所述半导体主体（41，42，43）彼此独立地控制，和半导体本体（41，42，43）（44 有）（在辐射透射的支撑件44）被布置，提供了一个芯片复合材料（1）制成的CMOS芯片（10），每个CMOS芯片（10）（在其顶部侧10 a）至少两个连接点（2），连接 的发光二极管（4）配有一个CMOS芯片（10）的至少一个，其中所述发光二极管（4）在透射辐射的支撑件（44）的顶部的顶部（44A）（10A ）CMOS芯片（10）的设置，并且每个具有CMOS芯片（2）的结发光二极管的半导体本体（41，42，43）的（10）连接。

公开(公告)号：WO2010034277A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：PCT/DE2009/001207

申请日：2009-08-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BOGNER, Georg ,  HAHN, Berthold ,  HERRMANN, Siegfried

Inventor： BOGNER, Georg ,  HAHN, Berthold ,  HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/3442 ,  H01L2924/00

Abstract: Auf einer Oberseite eines Substrates (4) ist mindestens ein Schichtstapel (1) einer substratlosen LED angeordnet. Kontaktflächen befinden sich an einer Seitenfläche (14) des Substrates (4), die an die Oberseite angrenzt. Anschlüsse der LED sind über Anschlussleitungen (10, 20) mit den Kontaktflächen verbunden. Die Kontaktflächen können insbesondere durch Leiterschichten (6) in Lötkehlen (5) an vertikalen Kanten des Substrates (4) gebildet sein. Zur Herstellung können in einem oberseitig mit LEDs versehenen Wafer Durchkontaktierungen gebildet werden, die nach dem Zerteilen des Wafers metallisierte Lötkehlen an seitlichen Kanten der Substrate (4) bilden.

Abstract translation: 上的基板的上表面（4）是至少一种层堆叠（1）的无基材LED布置。 接触表面位于所述衬底（4）相邻的顶端的侧表面（14）。 LED的端子经由连接到接触表面的连接线（10，20）。 可以特别是在基板的垂直边缘被形成为通过在焊接圆角（5）的导体层（6）的接触面（4）。 用于制造镀通孔可以在设置有LED的晶片的上侧晶片的金属化焊脚的在基板（4）的横向边缘的分割后形成来形成。

公开(公告)号：WO2009094980A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：PCT/DE2009/000056

申请日：2009-01-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  HAHN, Berthold

Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L25/0756 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst einen ersten Halbleiterschichtenstapel (101), der eine zur Emission von Strahlung eingerichtete aktive Schicht (110) und eine Hauptfläche (111) aufweist. Auf dieser Hauptfläche ist eine Trennschicht (103) angeordnet, die einen halbdurchlässigen Spiegel bildet. Das optoelektronische Bauelement umfasst einen Zweiten Halbleiterschichtenstapel (102), der an der Trennschicht angeordnet ist und der eine weitere zur Emission von Strahlung eingerichtete aktive Schicht (120) aufweist.

Abstract translation: 光电子器件（100），包括具有被设置成发射辐射有源层（110）和主表面（111）的第一半导体层堆叠（101）。 在该主表面上的隔离层（103）被布置，其形成半透明反射镜。 光电子器件包括第二半导体层堆叠（102），其被布置在释放层上与所述有源层具有进一步设置用于辐射（120）的发射。

公开(公告)号：WO2009039820A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/DE2008/001495

申请日：2008-09-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas ,  BAUR, Johannes ,  SABATHIL, Matthias ,  PLAINE, Glenn-Ives

Inventor： HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas ,  BAUR, Johannes ,  SABATHIL, Matthias ,  PLAINE, Glenn-Ives

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/10 ,  H01L33/145 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Dünnfilm-LED, die eine Barriereschicht (3), eine der Barriereschicht (3) nachfolgende erste Spiegelschicht (2), einen der ersten Spiegelschicht (2) nachfolgenden Schichtstapel (5), und mindestens eine dem Schichtstapel (5) nachfolgende Kontaktstruktur (6) umfasst. Der Schichtstapel (5) weist mindestens eine aktive Schicht (5a) auf, die elektromagnetische Strahlung emittiert. Die Kontaktstruktur (6) ist auf einer Strahlungsaustrittsfläche (4) angeordnet und weist eine Kontaktfläche (7) auf. Die erste Spiegelschicht (2) weist in einem der Kontaktfläche der Kontaktstruktur (6) gegenüberliegenden Bereich eine Aussparung auf, die größer als die Kontaktfläche (7) der Kontaktstruktur (6) ist. Dadurch erhöht sich die Effizienz der Dünnfilm-LED.

Abstract translation: 本发明涉及到一个薄膜LED，一个阻挡层（3），所述阻隔层（3）随后的第一反射镜层（2），所述第一反射层中的一个（2）随后的下列层堆（5），和所述层堆叠中的至少一个（5） 接触结构（6）。 层堆叠（5）具有至少发射电磁辐射的有源层（5a）中。 接触结构（6）被布置在辐射出射表面（4），并且具有接触表面（7）。 所述第一反光镜层（2）具有在所述接触结构（6）区的凹部相对的比所述接触表面较大的接触表面中的一个（7）的接触结构（6）。 薄膜的效率的LED增加。

公开(公告)号：WO2008106915A2

公开(公告)日：2008-09-12

申请号：PCT/DE2008/000124

申请日：2008-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HERRMANN, Siegfried ,  HAHN, Berthold ,  SORG, Joerg ,  GRUBER, Stefan

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  HAHN, Berthold ,  SORG, Joerg ,  GRUBER, Stefan

IPC: G02B6/00 ,  F21V8/00

CPC classification number: G02B6/0055 ,  G02B6/0018 ,  G02B6/0051 ,  G02B6/0073 ,  G02B6/0076

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einem Halbleiterchip (1), der dazu eingerichtet ist, im Betrieb Licht zu emittieren, und einer Abdeckschicht (2), die einer lichtabstrahlenden Oberfläche des Halbleiterchips (1) gegenüber liegt, so dass von dem Halbleiterchip (1) abgestrahltes Licht in die Abdeckschicht (2) eindringt. Die Anordnung ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, dass in einem sich mit dem Chip (1) überschneidenden Bereich der Abdeckschicht (2) eine Licht umlenkende Struktur vorgesehen ist, durch die in die Abdeckschicht (2) eingedrungenes Licht in Richtung der Längserstreckung der Abdeckschicht (2) umgelenkt wird und die Abdeckschicht (2) als Lichtleiter wirkt und dazu eingerichtet ist, dass Licht verteilt über die Oberseite der Abdeckschicht (2) abzustrahlen.

Abstract translation: 本发明涉及一种与适于工作时发射光的半导体芯片（1）的布置，和覆盖（2），其上，使得（1）的半导体芯片是半导体芯片（1）的发光面 发射的光渗透到覆盖层（2）。 根据本发明的装置其特征在于在所涉及的重叠与芯片覆盖层（1）的领域（2）偏转结构提供了一种光，通过该覆盖层（2）在所述覆盖层的纵向延伸的方向上已经穿透光（2） 被偏转和覆盖层（2）用作一个导光体和被配置为使得光被分布在所述覆盖层（2）到辐射的上侧。

公开(公告)号：WO2006131087A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：PCT/DE2006/000717

申请日：2006-04-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÄRLE, Volker ,  BADER, Stefan ,  HAHN, Berthold

Inventor： HÄRLE, Volker ,  BADER, Stefan ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L2933/0083

Abstract: Die Erfindung beschreibt einen Dünnfilm-Halbleiterkörper (1) mit einer zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Schicht (4), einer der aktiven Schicht nachgeordneten Strahlungsauskoppelfläche (21) und einer auf der der Strahlungsauskoppelfläche (21) abgewandten Seite der aktiven Schicht (4) angeordneten Reflexionsschicht (6), wobei der Dünnfilm-Halbleiterkörper (1) einen photonischen Kristall (7) aufweist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers (1) angegeben, der einen photonischen Kristall (7) aufweist.

Abstract translation: 本发明描述了具有提供（4），布置在所述有源层的下游辐射耦合（21）和一个在从活性层背向辐射（21）侧中的一个（4），用于生成所述活性层的辐射的薄膜半导体主体（1） 反射层（6），其中所述薄膜半导体主体（1）包括光子晶体（7）。 此外，提供了一种制造薄膜半导体主体（1）的方法，其具有光子晶体（7）。

公开(公告)号：WO2006034663A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：PCT/DE2005/001382

申请日：2005-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRUNNER, Herbert ,  EISSLER, Dieter ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  JÄGER, Harald ,  KRÄUTER, Gertrud ,  WAITL, Günter

Inventor： BRUNNER, Herbert ,  EISSLER, Dieter ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  JÄGER, Harald ,  KRÄUTER, Gertrud ,  WAITL, Günter

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L2933/0041

Abstract: Die Erfindung betrifft Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips, die mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial versehen sind, das mindestens einen Leuchtstoff aufweist. Dabei wird ein Schichtenverbund bereitgestellt, der eine Lumineszenzdioden-Schichtfolge für eine Vielzahl von Lumineszenzdiodenchips umfasst und der auf einer Hauptfläche für jeden Lumineszenzdiodenchip mindestens eine elektrische Kontaktfläche zum elektrischen Anschließen von diesem aufweist. Auf der Hauptfläche wird eine Schicht Haftvermittler aufgebracht und selektiv von zumindest Teilen der Kontaktflächen entfernt. Nachfolgend wird auf dei Hauptfläche mindestens ein Leuchtstoff aufgebracht. Alternativ wird auf die Hauptfläche ein Lumineszenzkonversionsmaterial aufgebracht und selektiv von zumindest Teilen der Kontaktflächen entfernt. Die Erfindung betrifft zudem einen mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial versehenen Lumineszenzdiodenchip.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于LED芯片，其设置有发光转换材料的制造方法，包括至少一种磷光体。 这里，提供了一种层压体，其包括用于多个LED芯片，并且所述至少一个主表面的每个LED芯片，用于其电连接的电接触表面的发光二极管层序列。 在主表面上的粘合剂层被沉积和从接触表面的至少部分选择性地去除。 随后，至少一个磷光体被施加到DEI主表面。 可替代地，发光转换材料被沉积，并从在所述接触区域的主表面上的至少部分选择性地去除。 本发明还涉及设置有发光转换LED芯片。

公开(公告)号：WO2004017430A1

公开(公告)日：2004-02-26

申请号：PCT/DE2003/002071

申请日：2003-06-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EISERT, Dominik ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker

Inventor： EISERT, Dominik ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: Die Erfindung offenbart ein strahlungsemittierendes Dünnschicht-Halbleiterbauelement mit einer Mehrschichtstruktur (12) auf GaN-Basis, die eine aktive, strahlungserzeugende Schicht (14) enthält und eine erste Hauptfläche (16) und eine der ersten Hauptfläche abgewandte zweite Hauptfläche (18) zum Auskoppeln der in der aktiven, strahlungserzeigenden Schicht erzeugten Strahlung aufweist. Weiter ist die erste Hauptfläche (16) der Mehrschichtstruktur (12) mit einer reflektierenden Schicht bzw. Grenzfläche gekoppelt, und der an die zweite Hauptfläche (18) der Mehrschichtstruktur angrenzende Bereich (22) der Mehrschichtstruktur ist ein- oder zweidimensional mit konvexen Erhebungen (26) strukturiert ist.

Abstract translation: 本发明公开了一种具有用于连接基于氮化镓的多层结构（12），其中包含的活性，产生辐射的层（14）和一第一主表面（16）和面对从第二主表面（18）远离所述第一主表面中的一个的发射辐射的薄膜半导体装置 具有生成的活性层strahlungserzeigenden辐射。 接着，对多层结构的第一主表面（16）（12）耦合的多层结构的多层结构邻接的区域（22）为一维或二维具有凸脊的反射层或边界表面，并且所述第二主表面（18）（26 ）的结构。