公开(公告)号：WO2017158053A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：PCT/EP2017/056163

申请日：2017-03-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL, Georg ,  O'BRIEN, David

IPC: C09K11/77 ,  C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  H05B33/14 ,  H05B33/20 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  H01L23/29 ,  H01L33/56 ,  C08J5/00 ,  C08K9/06

CPC classification number: C09K11/7709 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08L83/04 ,  C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  C09K11/883 ,  H01L2933/0041 ,  H05B33/14 ,  H05B33/20

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements (100) mit den Schritten: A)Bereitstellen von Quantenpunkten (1), die zur Wellenlängenumwandlung von Strahlung eingerichtet sind und die eine Oberflächenbeschichtung mit endständigen C-C- Doppelbindungen (11) aufweisen, B)Bereitstellen eines Matrixmaterials (2), das eine erste Komponente (21) und eine zweite Komponente (22) umfasst, wobei die erste Komponente (21) zumindest zwei Si-H-Gruppen aufweist, wobei die zweite Komponente (22) zumindest zwei endständige C-C-Doppelbindungen aufweist, C)Anbinden der ersten Komponente (21) an die endständige C-C-Doppelbindung der Quantenpunkte (1) mittels Hydrosilylierung, wobei die im Schritt C) durchgeführte Anbindungthermisch erfolgt, wobei die Temperatur mindestens 80 °C ist, D)Anbinden der zweiten Komponente (22) über zumindest eine endständige C-C-Doppelbindung der zweiten Komponente (22) an die erste Komponente (21) nachdem die erste Komponente (21) im Schritt C) angebunden wurde, E)Polymerisation der im Schritt D) erzeugten funktionalisierten Quantenpunkte, so dass ein Netzwerk aus Quantenpunkten (1) erzeugt wird, die an dem Matrixmaterial (2) angebunden sind.

Abstract translation:

本发明涉及一种用于制造包括以下步骤的转换元件（100）：a）提供量子点（1）〜波长BEAR ngenumwandlung通过辐射和具有末端＆AUML表面BEAR chenbeschichtung设置 ;包括ndigen C-C双键的（11），B）提供（2）包括第一部件（21）和第二部件（22），基质材料，其中所述第一部件（21）至少两个Si-H基团包括 其中，所述第二部件（22）的至少两个末端BEAR具有Quantcast CC双键，C）通过氢化硅烷化的手段捆扎所述第一部件（21），所述量子点（1）的末端BEAR Quantcast CC双键，其中在步骤C）进行导航用途 ;硬度连接热，由此，温度至少80℃，d）所述第二部件（22）通过至少一个末端承受第二部件（22）的Quantcast CC双键到第一COMPO结合 NTE（21）之后的第一部件（21）连接，在步骤C）形成在步骤d所述官能化的量子点）的，E）聚合，使量子点的网络（1）（与基体材料2）产生时，连接 是

公开(公告)号：WO2017162734A1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：PCT/EP2017/056814

申请日：2017-03-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL, Georg ,  HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/56 ,  C08L27/12 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, insbesondere einer Strahlungsemittierenden optoelektronischen Vorrichtung, angegeben. Das Verfahren umfasst die Verfahrensschritte: B) Aufbringen und Befestigen von Halbleiterchips (2) auf einem Träger (3), D) Aufbringen eines Fluorpolymers auf die von dem Träger (3) abgewandte Hauptoberfläche (2a) der Halbleiterchips (2) und die den Halbleiterchips (2) zugewandte Hauptoberfläche (3a) des Trägers (3) zur Bildung einer Verkapselungsschicht (7) umfassend ein Fluorpolymer, E) Strukturieren der Verkapselungsschicht (7) umfassend das Fluorpolymer zur Bildung von Kavitäten (8) in der Verkapselungsschicht (7), und G) Aufbringen einer Metallschicht (10) in die Kavitäten (8). Weiterhin betrifft die Erfindung eine elektronische Vorrichtung, insbesondere eine strahlungsemittierende optoelektronische Vorrichtung.

Abstract translation: 指定了用于制造电子器件，特别是发射辐射的光电子器件的方法。 该方法包括以下步骤：B于载体）的应用和半导体芯片（2）固定BEAR远程GER（3）Hauptoberfl＆AUML;亨特（3），d）通过将半导体芯片的Tr的AUML表面（2a）的施加含氟聚合物（ 2）以及半导体芯片（2）的面向Tr的＆AUML的Hauptoberfl BEAR面（3a）;热尔（3）（以形成包含所述封装层的含氟聚合物，E）图案形成的封装层7）（7），其包含含氟聚合物，以形成Kavit＆AUML; 在封装层（7）中，以及G）将金属层（10）施加到空腔（8）中。 此外，本发明涉及电子设备，特别是发射辐射的光电子设备

公开(公告)号：WO2016170151A2

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：PCT/EP2016/059073

申请日：2016-04-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER, Frank ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin ,  DIRSCHERL, Georg

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Lumineszenzdiodenanordnung (1) aufweisend zumindest einen ersten Lumineszenzdiodenchip (2) mit einer ersten Strahlungsaustrittsfläche (3), der über die Strahlungsaustrittsfläche (3) zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, zumindest ein Hybridpolymer (4), dass im Strahlengang des ersten Lumineszenzdiodenchips (2) angeordnet ist, wobei das Hybridpolymer (4) organische und anorganische Bereiche aufweist, die kovalent miteinander verbunden sind, wobei das Hybridpolymer (4) thermisch und/oder durch Strahlung vernetzt ist, wobei die erste Strahlungsaustrittsfläche (3) und das Hybridpolymer (4) in direktem mechanischem Kontakt stehen.

Abstract translation:

本发明涉及一种Lumineszenzdiodenanordnung（1），包括至少一个第一LED芯片（2），具有第一Strahlungsaustrittsfl BEAR表面（3），过的Strahlungsaustrittsfl BEAR表面（3），用于辐射的发射配 是（4），其被布置在所述第一发光二极管芯片的光路中的至少一个杂化聚合物（2），所述杂化聚合物（4），其共价连接在一起的有机和无机的区域，所述混合聚合物（4）热和/或通过 辐射是交联的，其中第一Strahlungsaustrittsfla（3）和杂化聚合物（4）直接机械接触

公开(公告)号：WO2015036231A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：PCT/EP2014/068000

申请日：2014-08-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  STOLL, Ion ,  SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank ,  DIRSCHERL, Georg ,  HÖPPEL, Lutz

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/60 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L24/24 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) umfassend einen lichtdurchlässigen Träger (10), eine Halbleiterschichtenfolge (11) auf dem lichtdurchlässigen Träger (10) und elektrische Anschlussstellen (12) an der dem lichtdurchlässigen Träger (10) abgewandten Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11), - einem lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3), das den optoelektronischen Halbleiterchip (1) stellenweise umschließt, und - Partikeln (41) eines lichtstreuenden und/oder lichtreflektierenden Materials, wobei - die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) frei vom lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3) ist, und - die Partikel (41) die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) und eine Außenfläche des Umhüllungsmaterials (3) stellenweise bedecken.

Abstract translation: 本发明提供一种光电子半导体器件，包括： - 在光透射支座（10）上的透光性的载体上的光电子半导体芯片（1），包括具有透光性的支撑体（10），半导体层序列（11）（10）和电连接点（12）背向 半导体层序列（11），下侧 - 透光覆盖材料（3），这使包围光电子半导体芯片（1），和 - 游离的半导体层序列的下侧（11） - 一个光散射和/或光反射材料，其特征在于，颗粒（41） 是透光性覆盖材料（3），以及 - 所述颗粒（41）局部地覆盖半导体层序列（11）和所述包装材料（3）的外表面的下侧。

公开(公告)号：WO2014207037A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/EP2014/063380

申请日：2014-06-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  STOLL, Ion ,  SCHWARZ, Thomas ,  RICHTER, Markus ,  DIRSCHERL, Georg

IPC: H01L33/60 ,  H01L25/16 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L24/24 ,  H01L25/167 ,  H01L27/15 ,  H01L33/44 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (200), der derart in einen Formkörper (100) eingebettet ist, dass eine Oberseite (201) des optoelektronischen Halbleiterchips (200) zumindest teilweise nicht durch den Formkörper (100) bedeckt ist. Auf einer Oberseite (101) des Formkörpers (100) ist eine erste Metallisierung (510) angeordnet. Die erste Metallisierung (510) ist elektrisch gegen den optoelektronischen Halbleiterchip (200) isoliert. Auf der ersten Metallisierung (510) ist ein erstes Material (610, 615) angeordnet.

Abstract translation: 的光电元件（10，20，30，40）包括嵌入在这样的方式中的成型体的光电子半导体芯片（200）（100），使得所述光电子半导体芯片（200）至少部分地不的顶表面（201）（通过成型 100）被覆盖。 上成形的主体（100），其具有第一金属化（510）的上表面（101）被布置。 第一金属化（510）是从所述光电子半导体芯片（200）是分离的电绝缘。 在第一金属化（510）的第一材料（610，615）被布置。

公开(公告)号：WO2018145952A1

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：PCT/EP2018/052280

申请日：2018-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL, Georg

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  H01L51/52

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements (1) für ein optoelektronisches Bauelement (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen von Quantenpunkten (2) mit jeweils einem Kern (3), der ein Halbleitermaterial aufweist, B) Erzeugen einer Suspension (4), die die Quantenpunkte (2) in einem Suspensionsmittel (5) aufweist, C) direktes Aufbringen der Suspension (4) auf eine Oberfläche (1001) des optoelektronischen Bauelements (100) und/oder auf eine Oberfläche (61) eines Trägers (6), und D) Entfernen des Suspensionsmittels (5) zur Erzeugung des Auskoppelelements (1), das matrixfrei ist und transparent für Strahlung aus dem roten und/oder IR-Bereich ist.

公开(公告)号：WO2017144680A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：PCT/EP2017/054366

申请日：2017-02-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O´BRIEN, David ,  DIRSCHERL, Georg

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) umfassend einen Halbleiterchip (1), der zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, ein Konversionselement (2), das Quantenpunkte (5) aufweist und die zur Wellenlängenkonversion von Strahlung eingerichtet sind, wobei das Konversionselement (2) eine Schichtstruktur (7) mit mehreren anorganischen Barriereschichten (31, 32, 33, 34) aufweist, wobei die anorganischen Barriereschichten (31, 32, 33, 34) durch ein Hybridpolymer (4) zumindest bereichsweise räumlich voneinander separiert sind, wobei das Hybridpolymer (4) organische und anorganische Bereiche aufweist, die kovalent miteinander verbunden sind, wobei die Quantenpunkte (5) in dem Hybridpolymer (4) und/oder zumindest in einer der Barriereschichten (31, 32, 33, 34) eingebettet sind.

Abstract translation:

本发明涉及包括半导体芯片的光电子器件（100）（1），其适于发射具有一个转换元件（2），所述量子点（5）和用于波长BEAR ngenkonversion辐射 通过辐射，建立其中所述转换元件（2）的层结构，具有多个无机阻挡层（31，32，33，34），（7），其中所述无机阻挡层（31，32，33，34）通过混合聚合物（4） 至少部分地R熊在空间上彼此分离，所述混合聚合物（4），其共价结合在一起的有机和无机的区域，其中，所述量子点（5）的混合聚合物（4）和/或势垒层（31中的至少一个， 32,33,34）被嵌入。

公开(公告)号：WO2014154551A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/EP2014/055546

申请日：2014-03-19

Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  KALTENBACHER, Axel ,  WOLF, Matthias ,  DIRSCHERL, Georg

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe bereitgestellt. Dabei wird ein Bauelementverbund (10) bereitgestellt, der elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelemente (12) aufweist, die im Bauelementverbund (10) körperlich miteinander gekoppelt sind. Zu den Bauelementen (12) wird jeweils mindestens eine bauelement-individuelle Eigenschaft ermittelt. Abhängig von den ermittelten Eigenschaften der Bauelemente (12) wird eine Strukturmaske (22) zum Bedecken der Bauelemente (12) im Bauelementverbund (10) ausgebildet, wobei die Strukturmaske (22) korrespondierend zu den Bauelementen (12) Strukturmaskenausnehmungen (24) aufweist, die abhängig von den Eigenschaften der entsprechenden Bauelemente (12) bauelement-individuell ausgebildet sind. Die Strukturmaskenausnehmungen (24) geben Leuchtstoffbereiche (26), die in den Strukturmaskenausnehmungen (24) freigelegt sind, auf den Bauelementen (12) vor. Auf die Leuchtstoffbereiche (26) der Bauelemente (12) werden erste Leuchtstoffschichten (28) ausgebildet. Die Strukturmaske (22) wird von dem Bauelementverbund (10) entfernt. Die Bauelemente (12) werden aus dem Bauelementverbund (10) vereinzelt, wobei eine Baugruppe von mindestens einem der vereinzelten Bauelemente (12) und von mindestens einer darauf ausgebildeten ersten Leuchtstoffschicht (28) gebildet wird.

Abstract translation: 在各种实施方案中，提供了一种制造发射辐射的电磁组件的方法。 在此，复合部件（10）设置，具有在组件复合物（10）中的电磁辐射发射装置（12）被物理地耦合到彼此。 给设备（12）在每种情况下的至少一个单独的部件属性确定。 取决于所确定的组分（12），用于在组件复合材料（10）覆盖所述部件（12）形成图案掩模（22）的特性，所述图案掩模（22）对应于所述设备（12）Strukturmaskenausnehmungen（24） 根据相应的部件（12）的特性分别形成组件。 所述Strukturmaskenausnehmungen（24）给出在Strukturmaskenausnehmungen（24）荧光体区域（26）被暴露于前元件（12）。 第一荧光体层（28）形成在所述荧光体区域中的组分（26）（12）。 （10）除去组分复合的掩模（22）的结构。 组分（12）被从组件复合材料（10），其中形成在分离的组分中的至少一个（12）和至少一个在其上的第一磷光体层（28）形成的组件分离。

公开(公告)号：WO2014048997A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/069980

申请日：2013-09-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  DIRSCHERL, Georg ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (201), umfassend: Bereitstellen (101) eines Aufwachssubstrats (301), auf welchem eine Halbleiterschichtenfolge (203) umfassend eine aktive Zone (205) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung angeordnet ist, Anordnen (103) eines Hilfsträgersubstrats (321) einer dem Aufwachssubstrat (301) gegenüberliegenden ersten Oberfläche (320) der Halbleiterschichtenfolge (203), Entfernen (105) des Aufwachssubstrats (301), Bilden (107) einer die Halbleiterschichtenfolge (203) mechanisch stabilisierende Konverterschicht (207) zum Konvertieren einer Wellenlänge zumindest eines Teils der mittels der aktiven Zone (205) erzeugten elektromagnetischen Strahlung in eine von der Wellenlänge verschiedenen anderen Wellenlänge auf einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (326) der Halbleiterschichtenfolge (203) und Entfernen (109) des Hilfsträgersubstrats (321). Die Erfindung betrifft ferner ein optoelektronisches Bauelement (201).

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造光电子组件（201），包括：提供（101）在其上的半导体层序列（203）的有源区（205）被布置用于生成电磁辐射包括，布置在生长衬底（301）（ 103）之一的生长衬底（301）的辅助载体基板（321）（半导体层序列（203）的第一表面（320）相对的生长衬底301），去除（105）中，形成（107）的半导体层序列（203）机械稳定转换器层的（207 ）对于副安装座基板的转换的波长的至少一部分的（由活性区205）的方向上的电磁辐射与其它波长的波长不同的半导体层序列（203的第一表面相对的第二表面（326）中的一个的装置），并删除（109）生成的 （321）。 本发明还涉及一种光电部件（201）。

公开(公告)号：WO2017162736A1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：PCT/EP2017/056819

申请日：2017-03-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  DIRSCHERL, Georg

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/54 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Substrats (1), B) Aufbringen von Halbleiterchips (2) auf das Substrat (1), wobei die Halbleiterchips (2) lateral zueinander beabstandet und zur Emission von Strahlung befähigt sind, C) Bereitstellen eines Verbundträgers (3), D) Formen des Verbundträgers (3) mittels eines Formwerkzeugs (4), E) Verpressen des Verbundträgers (3) und des Substrats (1), so dass ein Reflexionselement (6) ausgeformt wird, - wobei das Reflexionselement (6) zumindest ein Fluorpolymer (7) umfasst, das die Struktureinheit A der folgenden allgemeinen Formel (I) umfasst: - wobei das Reflexionselement (6) lateral zu den Halbleiterchips (2) und zumindest bereichsweise auf der dem Substrat (1) abgewandten Oberfläche (22) der Halbleiterchips (2) angeordnet ist, und F) Vereinzeln der Halbleiterchips (2).

Abstract translation:

本发明涉及一种用于制造光电器件，其包括以下步骤：A）（1），B）将半导体芯片（2）到基板（1），其中，所述半导体芯片提供衬底（ C）提供复合载体（3），D）通过成形工具（4）形成复合载体（3），E）压缩复合载体 （3）与所述衬底（1），从而使反射元件（6）形成， - 其中，所述反射元件（6）包括至少一种含氟聚合物（7），包括的结构单元的下述通式（I）的： - 其中 反射元件（6）横向于半导体芯片（2）和所述基板上的至少部分地（1）的朝向从上述半导体芯片的表面BEAR表面（22）的距离（2）布置，和F）的半导体芯片（2）