公开(公告)号：WO2021160596A1

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：PCT/EP2021/053053

申请日：2021-02-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAHN, Berthold ,  GOLDBACH, Matthias ,  BOGNER, Georg

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L33/38 ,  H01L33/50

Abstract: Eine Optoelektronische Vorrichtung, die insbesondere für die Verwendung im Automobilbereich eine sehr hohe mechanische Stabilität, sowie eine hohe Effizienz für sehr dünne Lichtleiter bietet umfasst einen Glasträger, wenigstens eine lichtstreuende Schicht, die auf dem Glasträger aufgebracht ist und wenigstens ein oberflächenemittierendes Bauelement in Chip-Size-Package mit einer Emissionsfläche und einer der Emissionsfläche abgewandten Fläche aufweisend ein erstes und ein zweites Kontaktpad. Die Emissionsfläche ist mittels eines Klebers auf der lichtstreuenden Schicht angeordnet und wenigstens eine Kontaktleitung, welche das zweite Kontaktpad des wenigstens einen oberflächenemittierendes Bauelements kontaktiert verläuft entlang einer dem zweiten Kontaktpad benachbarten Seitenfläche des optoelektronischen Bauelements in Richtung des Glasträgers. Weiterhin weist die optoelektronische Vorrichtung eine lichtformende Struktur auf, welche auf der dem optoelektronischen Bauelement abgewandten Oberfläche des Glasträgers angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2020229043A2

公开(公告)日：2020-11-19

申请号：PCT/EP2020/058997

申请日：2020-03-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER, Martin ,  BRICK, Peter ,  JENTZSCH, Bruno ,  KREINER, Laura ,  HAHN, Berthold ,  HALBRITTER, Hubert ,  VARGHESE, Tansen ,  WIESMANN, Christopher ,  MUELLER, Jens ,  MUELLER, Christian

IPC: H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L33/20 ,  H01L33/08 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit mindestens einem Halbleiterelement mit einer aktiven Zone vorgeschlagen, die zur 5 Erzeugung von Licht ausgebildet ist. das Bauelement umfasst einen dielektrischen Filter, der oberhalb einer ersten Hauptoberfläche des mindestens einen Halbleiterelements angeordnet ist und derart ausgebildet ist, dass er nur Licht in vorgebebenen Richtungen transmittiert, und ein reflektierendes Material, das an mindestens einer Seitenfläche des mindestens einen Halbleiterelements und an mindestens einer Seitenfläche des dielektrischen Filters angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2018215309A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：PCT/EP2018/062989

申请日：2018-05-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO, Isabel ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  LEIRER, Christian ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/38

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben umfassend - einen Halbleiterkörper (2) mit - einer ersten Halbleiterschicht (3) und einer zweiten Halbleiterschicht (4), - einer ersten Hauptfläche (2A) und einer der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche(2B), wobei die erste Hauptfläche (2A) durch eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (3) und die zweite Hauptfläche (2B) durch eine Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (4) gebildet wird, - mindestens einer Seitenfläche(2C, 2D), welche die erste Hauptfläche (2A) mit der zweiten Hauptfläche (2B) verbindet, - eine elektrisch leitende Trägerschicht(7), die die zweite Hauptfläche (2B) zumindest bereichsweise überdeckt, und - eine elektrisch leitende Verformungsschicht (8), die die zweite Hauptfläche (2B) zumindest bereichsweise überdeckt, wobei die elektrisch leitende Verformungsschicht (8) eine gleich große oder höhere Elastizität aufweist wie die elektrisch leitende Trägerschicht (7). Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2017009285A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/EP2016/066428

申请日：2016-07-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  HAHN, Berthold ,  SCHWARZ, Thomas

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, bei dem der Träger eine Metallschicht (4) und einen Formkörper (5) aus einem Kunststoff umfasst, wobei die Metallschicht einen ersten Teilbereich (41) und einen zweiten Teilbereich (42) enthält, welche verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements zugehörig und so zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers eingerichtet sind. Der Träger weist eine Seitenfläche (10) auf, die als Montagefläche des Bauelements ausgestaltet ist, wobei zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) über die Seitenfläche elektrisch kontaktierbar ist und Vereinzelungsspuren aufweist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Bauelemente angegeben.

Abstract translation: 据上述（1）和，布置在所述载体上的半导体主体（2），与载体，其中所述载体包括金属层的成分（100）（4）和一个形本体（5）的塑料，其中，所述金属层包括第一 容纳部分（41）和第二部分的部件（42）的不同的电的极性与相关联并且适合于半导体本体的电接触。 支承具有被构造为所述部件的安装面，其特征在于，所述子区域中的至少一个（41，42）被电过的侧表面，并具有分离的标记接触的侧表面（10）。 此外，提供了一种制造多个这样的元件的方法。

公开(公告)号：WO2009106038A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：PCT/DE2009/000192

申请日：2009-02-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AHLSTEDT, Magnus ,  BAUR, Johannes ,  ZEHNDER, Ulrich ,  STRASSBURG, Martin ,  SABATHIL, Matthias ,  HAHN, Berthold

Inventor： AHLSTEDT, Magnus ,  BAUR, Johannes ,  ZEHNDER, Ulrich ,  STRASSBURG, Martin ,  SABATHIL, Matthias ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird eine Halbleiterleuchtdiode (10) vorgeschlagen mit zumindest einer p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4), einer n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2) sowie einer optisch aktiven Zone (3) zwischen der p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4) und der n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2), mit einer Oxidschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid und mit mindestens einer Spiegelschicht (9), wobei die Oxidschicht (8) zwischen den Leuchtdiodenschichten (2, 4) und der mindestens einen Spiegelschicht (9) angeordnet ist und eine erste Grenzfläche (8a), die den Leuchtdiodenschichten (2, 4) zugewandt ist, sowie eine zweite Grenzfläche (8b), die der mindestens einen Spiegelschicht (9) zugewandt ist, aufweist und wobei die zweite Grenzfläche (8b) der Oxidschicht (8) eine geringere Rauhigkeit (R2) besitzt als die erste Grenzfläche (8a) der Oxidschicht (8).

Abstract translation: 它是一种半导体发光二极管（10），提出一种包括至少一个p型掺杂的发光层（4），n掺杂发光层（2）和光学活性区域（3）的p型的发光层（4）和n型之间的发光层 （2），具有氧化物层（8）由透明导电氧化物和至少一个反射镜层（9），其中，所述氧化物层（8）的发光层之间的（2,4）和所述至少一个反射镜层（9）和一个 第一边界表面（8a）的面向所述发光层（2，4），和第二边界表面（8b）的面向所述至少一个反射镜层（9），并且其中，所述第二接口（8b）的氧化物层（8） 较低的粗糙度（R2）小于第一边界表面（8a）的氧化物层（8）。

公开(公告)号：WO2009068006A3

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：PCT/DE2008/001957

申请日：2008-11-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WEISS, Guido ,  HAHN, Berthold ,  ZEHNDER, Ulrich ,  WEIMAR, Andreas

Inventor： WEISS, Guido ,  HAHN, Berthold ,  ZEHNDER, Ulrich ,  WEIMAR, Andreas

IPC: H01L33/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (2) auf der Basis von Nitrid-Verbindungshalbleitern angegeben. Die Halbleiterschichtenfolge weist eine Pufferschicht (21), die nominell undotiert oder zumindest teilweise n-leitend dotiert ist, eine aktive Zone (24), die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu empfangen, sowie eine zwischen der Pufferschicht und der aktiven Zone angeordnete Kontaktschicht (22) auf, die n-leitend dotiert ist. In der Kontaktschicht ist die n-Dotierstoffkonzentration größer als in der Pufferschicht. In der Halbleiterschichtenfolge ist eine Ausnehmung (3) enthalten, die sich durch die Pufferschicht hindurch erstreckt und in der ein elektrisches Kontaktmaterial (4) angeordnet ist und an die Kontaktschicht angrenzt. Weiterhin wird ein Verfahren angegeben, das geeignet ist, einen derartigen Halbleiterkörper herzustellen.

公开(公告)号：WO2008092437A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：PCT/DE2008/000167

申请日：2008-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GRÖTSCH, Stefan ,  BOGNER, Georg ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  PETERSEN, Kirstin

Inventor： GRÖTSCH, Stefan ,  BOGNER, Georg ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  PETERSEN, Kirstin

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014

Abstract: Die beschriebene Anordnung bzw. Verfahren betrifft mindestens zwei, elektromagnetische Strahlung aussendende Halbleiterbauelemente, deren aussendende elektromagnetische Strahlung sich in unterschiedlichen Wellenlängenbereichen befindet. Die Überlagerung dieser elektromagnetischen Strahlungen aller Halbleiterbauelemente besitzt dabei zumindest einen Anteil im sichtbaren Wellenlängenbereich. Dabei weist mindestens eines der Halbleiterbauelemente ein Lumineszenzkonversionselement im Strahlengang auf. Dieses Halbleiterbauelement besitzt einen Volumenverguss, der sowohl den Halbleiterchip als auch das Lumineszenzkonversionselement vereint. In vorteilhafter Weise ist der Halbleiterchip direkt mit einer Lumineszenzkonversionsschicht beschichtet bzw. abgedeckt. Zur Maximierung der Energieeffizienz weist das Halbleiterbauelement ein spiegelndes Element auf.

Abstract translation: 所描述的装置和方法涉及至少两种，电磁辐射发射的半导体器件，其发射电磁辐射位于不同的波长范围。 所有的半导体元件的这些电磁辐射的叠加具有至少同时在可见光波长范围内的比例存在。 在这种情况下，在光束路径中的发光转换元件上的半导体组件中的至少一个。 该半导体装置具有既包括半导体芯片和发光的Volumenverguss。 有利的是，半导体芯片直接涂覆有发光转换层或覆盖。 为了最大限度地提高能源效率，反射元件上的半导体装置。

公开(公告)号：WO2005071763A3

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：PCT/DE2005/000099

申请日：2005-01-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BAUR, Johannes ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  OBERSCHMID, Raimund ,  WEIMAR, Andreas

Inventor： BAUR, Johannes ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  OBERSCHMID, Raimund ,  WEIMAR, Andreas

IPC: H01L33/00

Abstract: Bei einer Dünnfilm-LED mit einer aktiven Schicht (7) aus einem Nitridverbindungshalbleiter, die elektromagnetische Strahlung (19) in einer Hauptstrahlungsrichtung (15) emittiert, einer der aktiven Schicht (7) in der Hauptstrahlungsrichtung (15) nachfolgenden Stromaufweitungsschicht (9) aus einem ersten Nitridverbindungshalbleitermaterial, einer Hauptfläche (14), durch welche die in der Hauptstrahlungsrichtung (15) emittierte Strahlung ausgekoppelt wird, und einer ersten Kontaktschicht (11, 12, 13), die auf der Hauptfläche (14) angeordnet ist, ist die Querleitfähigkeit der Stromaufweitungsschicht (9) durch Ausbildung eines zweidimensionalen Elektronen- oder Löchergases erhöht. Die Ausbildung des zweidimensionalen Elektronen- oder Löchergases erfolgt vorteilhaft durch das Einbetten mindestens einer Schicht (10) aus einem zweiten Nitridverbindungshalbleitermaterial in die Stromaufweitungsschicht (9).

公开(公告)号：WO2005041313A1

公开(公告)日：2005-05-06

申请号：PCT/DE2003/003222

申请日：2003-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EISERT, Dominik ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker

Inventor： EISERT, Dominik ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46

Abstract: Die Erfindung offenbart einen strahlungsemittierenden Dünnschicht-Halbleiterchip mit einer epitaktischen Mehrschichtstruktur (12), die eine aktive, strahlungserzeugende Schicht (14) enthält und eine erste Hauptfläche (16) und eine der ersten Hauptfläche abgewandte zweite Hauptfläche (18) zum Auskoppeln der in der aktiven, strahlungserzeigenden Schicht erzeugten Strahlung aufweist. Weiter ist die erste Hauptfläche (16) der Mehrschichtstruktur (12) mit einer reflektierenden Schicht bzw. Grenzfläche gekoppelt, und der an die zweite Hauptfläche (18) der Mehrschichtstruktur angrenzende Bereich (22) der Mehrschichtstruktur ist ein- oder zweidimensional mit konvexen Erhebungen (26) strukturiert ist.

Abstract translation: 本发明公开了一种具有外延的多层结构（12），其包含用于在所述提取的活性的活性，产生辐射的层（14）和一第一主表面（16）和从第二主表面（18）背向所述第一主表面中的一个的发射辐射的薄膜半导体芯片 具有strahlungserzeigenden产生层辐射。 接着，对多层结构的第一主表面（16）（12）耦合的多层结构的多层结构邻接的区域（22）为一维或二维具有凸脊的反射层或边界表面，并且所述第二主表面（18）（26 ）的结构。

公开(公告)号：WO2003009399A1

公开(公告)日：2003-01-30

申请号：PCT/DE2002/002677

申请日：2002-07-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAHN, Berthold ,  HANGLEITER, Andreas ,  HÄRLE, Volker

Inventor： HAHN, Berthold ,  HANGLEITER, Andreas ,  HÄRLE, Volker

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung auf Basis eines Galliumnitrid-basierten Verbindungshalbleiters vorgeschlagen, mit einer lichtemittierenden Schicht (2) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche, die aus einem Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist; einer ersten Überzugsschicht (3), die mit der ersten Hauptfläche der lichtemittierenden Schicht (2) verbunden und aus einem n-Typ-Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist, dessen Zusammensetzung sich von derjenigen des Verbindungshalbleiters der lichtemittierenden Schicht unterscheidet; und einer zweiten Überzugsschicht (4), die mit der zweiten Hauptfläche der lichtemittierenden Schicht (2) verbunden und aus einem p-Typ-Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist, dessen Zusammensetzung sich von derjenigen des Verbindungshalbleiters der lichtemittierenden Schicht unterscheidet. Zur Verbesserung der Lumineszenzausbeute der Vorrichtung (1) ist die Dicke der lichtemittierenden Schicht (2) in der Nähe von Versetzungen (10) geringer als im übrigen Be-reich ausgebildet.

Abstract translation: 所以建议制造光基于一个氮化镓基化合物半导体发光器件的方法，用（2），具有第一和被氮化镓系化合物半导体形成的第二主表面上的发光层; 的第一涂层（3），其连接到所述发光层（2）的第一主表面和n型化合物半导体氮化镓其组成不同于所述发光层的化合物半导体的不同的形成; 并且连接到所述发光层（2）的所述第二主表面和p型化合物半导体氮化镓其组成不同于所述发光层的化合物半导体的不同所形成的第二涂层（4）。 为了提高所述设备（1）的发光层的厚度（2）大于富处于另一位错的附近（10）少的发光效率。