公开(公告)号：US08866237B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13405513

申请日：2012-02-27

Applicant: Christopher D. Manack ,  Frank Stepniak ,  Sreenivasan K. Koduri

Inventor： Christopher D. Manack ,  Frank Stepniak ,  Sreenivasan K. Koduri

IPC: H01L29/84 ,  H01L31/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B7/0067 ,  B81B2201/0207 ,  B81C1/00269 ,  G01J5/045 ,  G01J5/12 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

Abstract: An embedded micro-electro-mechanical system (MEMS) (100) comprising a semiconductor chip (101) embedded in an insulating board (120), the chip having a cavity (102) including a radiation sensor MEMS (105), the opening (104) of the cavity at the chip surface covered by a plate (110) transmissive to the radiation (150) sensed by the MEMS. The plate surface remote from the cavity having a bare central area, to be exposed to the radiation sensed by the MEMS in the cavity, and a peripheral area covered by a metal film (111) touching the plate surface and a layer (112) of adhesive stacked on the metal film.

Abstract translation: 一种嵌入式微电子机械系统（MEMS）（100），包括嵌入在绝缘板（120）中的半导体芯片（101），所述芯片具有包括辐射传感器MEMS（105）的空腔（102），所述开口 在由芯片感测到的辐射（150）透射的板（110）覆盖的芯片表面处的腔的空腔（104）。 离开空腔的板表面具有裸露的中心区域，以暴露于由空腔内的MEMS感测的辐射，以及由接触板表面的金属膜（111）覆盖的周边区域和覆盖板（112）的层 粘合剂堆叠在金属膜上。

公开(公告)号：US20140264659A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14207443

申请日：2014-03-12

Applicant: BISHNU PRASANNA GOGOI

Inventor： BISHNU PRASANNA GOGOI

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/05 ,  B81B2207/09 ,  H01L27/14 ,  H01L27/16 ,  H01L27/22 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1138 ,  H01L2924/00 ,  H05K7/02

Abstract: A transportation device is provided having multiple sensors configured to detect and measure different parameters of interest. The transportation device includes at least one monolithic integrated multi-sensor (MIMS) device. The MIMS device comprises at least two sensors of different types formed on a common semiconductor substrate. For example, the MIMS device can comprise an indirect sensor and a direct sensor. The transportation device couples a first parameter to be measured directly to the direct sensor. Conversely, the transportation device can couple a second parameter to be measured to the indirect sensor indirectly. Other sensors can be added to the transportation device by stacking a sensor to the MIMS device or to another substrate coupled to the MIMS device. This supports integrating multiple sensors such as a microphone, an accelerometer, and a temperature sensor to reduce cost, complexity, simplify assembly, while increasing performance.

Abstract translation: 提供了具有多个传感器的运输装置，其被配置为检测和测量不同的感兴趣的参数。 运输装置包括至少一个单片集成多传感器（MIMS）装置。 MIMS器件包括形成在公共半导体衬底上的至少两种不同类型的传感器。 例如，MIMS装置可以包括间接传感器和直接传感器。 运输装置将待测量的第一参数直接耦合到直接传感器。 相反，运输装置可间接地将待测量的第二参数耦合到间接传感器。 可以通过将传感器堆叠到MIMS装置或耦合到MIMS装置的另一基板上而将其它传感器添加到运输装置。 这支持集成多个传感器，如麦克风，加速度计和温度传感器，以降低成本，复杂性，简化组装，同时提高性能。

公开(公告)号：US07989249B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12365284

申请日：2009-02-04

Applicant: Nathan Bluzer ,  Silai V. Krishnaswamy ,  Philip C. Smith

Inventor： Nathan Bluzer ,  Silai V. Krishnaswamy ,  Philip C. Smith

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L31/08 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0207 ,  H01L23/3121 ,  H01L31/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of manufacturing a micro-electrical-mechanical system with thermally isolated active elements. Such a system may embody a bolometer, which is well suited for detecting electromagnetic radiation between 90 GHz and 30 THz while operating at room temperature. The method also discloses a generalized process for manufacturing circuitry incorporating active and passive micro-electrical-mechanical systems in a silicon wafer.

Abstract translation: 一种制造具有热隔离有源元件的微机电系统的方法。 这样的系统可以包含测辐射热计，这适用于在室温下操作时检测90GHz和30Hz之间的电磁辐射。 该方法还公开了一种用于制造在硅晶片中并入有源和无源微机电系统的电路的通用方法。

公开(公告)号：EP3026406B1

公开(公告)日：2018-01-03

申请号：EP15196154.7

申请日：2015-11-24

Applicant: Melexis Technologies NV

Inventor： VAN BUGGENHOUT, Carl ,  VAN DER WIEL, Appolonius Jacobus ,  BUYDENS, Luc

IPC: G01J1/02 ,  G01J5/02 ,  G01J5/06 ,  G01J1/42 ,  G01J5/04 ,  G01J5/08 ,  G01J5/12 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0216 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0203 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2203/0315 ,  G01J1/0214 ,  G01J1/0295 ,  G01J1/4228 ,  G01J5/0225 ,  G01J5/024 ,  G01J5/0285 ,  G01J5/045 ,  G01J5/06 ,  G01J5/0803 ,  G01J5/12 ,  G01J2005/068 ,  H01L27/144 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/09 ,  H01L35/28 ,  H01L35/34

Abstract: A chip (100) for radiation measurements, the chip comprising a first substrate (110) comprising a first sensor (111) and a second sensor (116). The chip (100) moreover comprises a second substrate (120) comprising a first cavity (121) and a second cavity (126) both with oblique walls. An internal layer (128) is present on the inside of the second cavity (126). The second substrate (120) is sealed to the first substrate with the cavities (121, 126) on the inside such that the first cavity (121) is above the first sensor (111) and the second cavity (126) is above the second sensor (116).

公开(公告)号：EP3019441B1

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：EP14748016.4

申请日：2014-07-08

Applicant: Raytheon Company

Inventor： GOOCH, Roland, W. ,  DIEP, Buu, Q. ,  KENNEDY, Adam, M. ,  BLACK, Stephen, H. ,  KOCIAN, Thomas, A.

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L23/10 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0207 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/035 ,  H01L21/52 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/26 ,  H01L23/49866 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An electronic device and methods of manufacture thereof. One or more methods may include providing a lid wafer having a cavity and a surface surrounding the cavity and a device wafer having a detector device and a reference device. In certain examples, a solder barrier layer of titanium material may be deposited onto the surface of the lid wafer. The solder barrier layer of titanium material may further be activated to function as a getter. In various examples, the lid wafer and the device wafer may be bonded together using solder, and the solder barrier layer of titanium material may prevent the solder from contacting the surface of the lid wafer.

Abstract translation: 电子装置及其制造方法。 一种或多种方法可以包括提供具有空腔和围绕空腔的表面的盖晶片以及具有检测器装置和参考装置的器件晶片。 在某些示例中，钛材料的焊料阻挡层可以被沉积到盖晶片的表面上。 钛材料的阻焊层可以进一步被激活以用作吸气剂。 在各种示例中，可以使用焊料将盖晶片和器件晶片接合在一起，并且钛材料的焊料阻挡层可以防止焊料接触盖晶片的表面。

公开(公告)号：EP3180288A1

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：EP14755503.1

申请日：2014-08-11

Applicant: Raytheon Company

Inventor： KENNEDY, Adam, M. ,  DIEP, Buu, Q. ,  BLACK, Stephen, H. ,  WONG, Tse, E. ,  KOCIAN, Thomas, Allan ,  TRACY, Gregory, D.

IPC: B81C1/00 ,  H01L23/10 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/10 ,  B81B7/0051 ,  B81B2201/0207 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/035 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A sealed package having a device 102 disposed on a wafer structure and a lid structure 108 bonded to the device wafer. The device wafer includes: a substrate 104; a metal ring 107DW disposed on a surface portion of substrate around the device and a bonding material 118 disposed on the metal ring. A first layer of the metal ring includes a stress relief buffer layer 109DW having a higher ductility than that of the surface portion of the substrate and a width greater than the width of the bonding material. The metal ring extends laterally beyond at least one of the inner and outer edges of the bonding material. The stress relief buffer layer has a coefficient of thermal expansion greater than the coefficient of expansion of the surface portion of the substrate and less than the coefficient of expansion of the bonding material.

Abstract translation: 具有设置在晶片结构上的器件102和结合到器件晶片的盖结构108的密封封装。 器件晶片包括：衬底104; 设置在装置周围的基板的表面部分上的金属环107DW和设置在金属环上的结合材料118。 金属环的第一层包括应力消除缓冲层109DW，该应力消除缓冲层109DW具有比衬底的表面部分更高的延展性并且宽度大于接合材料的宽度。 金属环横向地延伸超出键合材料的内边缘和外边缘中的至少一个。 应力消除缓冲层的热膨胀系数大于衬底的表面部分的膨胀系数并且小于接合材料的膨胀系数。

公开(公告)号：EP3026406A1

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：EP15196154.7

申请日：2015-11-24

Applicant: Melexis Technologies NV

Inventor： VAN BUGGENHOUT, Carl ,  VAN DER WIEL, Appolonius Jacobus ,  BUYDENS, Luc

IPC: G01J1/02 ,  G01J5/02 ,  G01J5/06 ,  G01J1/42 ,  G01J5/04 ,  G01J5/08 ,  G01J5/12 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0216 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L35/28 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2203/0315 ,  G01J1/0214 ,  G01J1/0295 ,  G01J1/4228 ,  G01J5/0225 ,  G01J5/024 ,  G01J5/0285 ,  G01J5/045 ,  G01J5/06 ,  G01J5/0803 ,  G01J5/12 ,  G01J2005/068 ,  H01L27/144 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/09 ,  H01L35/34

Abstract: A chip (100) for radiation measurements, the chip comprising a first substrate (110) comprising a first sensor (111) and a second sensor (116). The chip (100) moreover comprises a second substrate (120) comprising a first cavity (121) and a second cavity (126) both with oblique walls. An internal layer (128) is present on the inside of the second cavity (126). The second substrate (120) is sealed to the first substrate with the cavities (121, 126) on the inside such that the first cavity (121) is above the first sensor (111) and the second cavity (126) is above the second sensor (116).

Abstract translation: 一种用于辐射测量的芯片（100），所述芯片包括包括第一传感器（111）和第二传感器（116）的第一基板（110）。 芯片（100）还包括第二衬底（120），其包括具有倾斜壁的第一空腔（121）和第二空腔（126）。 内层（128）存在于第二空腔（126）的内部。 第二基板（120）被密封到第一基板上，在内部具有空腔（121,126），使得第一空腔（121）在第一传感器（111）之上，并且第二空腔（126）在第二基板 传感器（116）。

公开(公告)号：EP2394274A1

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：EP10739104.7

申请日：2010-02-04

Applicant: Northrop Grumman Systems Corporation

Inventor： BLUZER, Nathan ,  KRISHNASWAMY, Silai, V. ,  SMITH, Philip, C.

IPC: H01B13/00

CPC classification number: H01L31/08 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0207 ,  H01L23/3121 ,  H01L31/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of manufacturing a micro-electrical-mechanical system with thermally isolated active elements. Such a system may embody a bolometer, which is well suited for detecting electromagnetic radiation between 90GHz and 30THz while operating at room temperature. The method also discloses a generalized process for manufacturing circuitry incorporating active and passive micro-electrical-mechanical systems in a silicon wafer.

公开(公告)号：EP2172754A1

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：EP08017465.9

申请日：2008-10-06

Applicant: Sensirion AG

Inventor： Streiff, Matthias ,  Sunier, Robert ,  Mayer, Felix

IPC: G01J5/02 ,  G01J5/04 ,  G01J5/12 ,  B81B7/00

CPC classification number: G01J5/02 ,  B81B7/0067 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0278 ,  G01J5/04 ,  G01J5/045

Abstract: An infrared sensor comprises a temperature sensor (4) at a top side of a substrate (1) and an infrared filter element (19) located at a bottom side of the substrate (1). A lead frame is placed above the substrate (1) and a housing is cast having a window (42) extending to the filter element (19). A recess (27) in the lead frame (25) provides a large distance between the temperature sensor (4) and the metal of the lead frame (25), thereby reducing thermal conductance. This type of device is easy to manufacture.

Abstract translation: 红外线传感器包括位于基板（1）的顶侧的温度传感器（4）和位于基板（1）的底侧的红外线过滤元件（19）。 引线框架放置在基板（1）上方，并且铸造具有延伸到过滤元件（19）的窗口（42）的壳体。 引线框架（25）中的凹部（27）在温度传感器（4）和引线框架（25）的金属之间提供了很大的距离，从而降低了热导率。 这种类型的设备易于制造。

公开(公告)号：JP2017527113A

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：JP2017507405

申请日：2014-08-11

Applicant: レイセオン カンパニー ,  レイセオン カンパニー

Inventor： ケネディ，アダム，エム． ,  ディープ，ブ−，キュー． ,  ブラック，スティーブン，エイチ． ,  イー． ウオン，ツェ ,  イー． ウオン，ツェ ,  コチアン，トーマス，アラン ,  トレイシー，グレゴリー，ディー．

IPC: H01L23/02 ,  B81B7/02 ,  G01J1/02

CPC classification number: H01L23/10 ,  B81B7/0051 ,  B81B2201/0207 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/035 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: シールされたパッケージは、ウェファ構造体の上に配置されたデバイスおよびデバイスウェファに対して接合されたリッド構造体を含んでいる。デバイスウェファは、サブストレート;デバイスの周りのサブストレートの表面部分の上に配置された金属リング;および、金属リングの上に配置された接合材料;を含む。金属リングの第1レイヤは、応力緩和バッファレイヤを含み、サブストレートの表面部分よりも高い延性を有しており、かつ、接合材料の幅より幅が広い。金属リングは、接合材料の内側および外側エッジのうち少なくとも一つを越えて横方向に拡がっている。応力緩和バッファレイヤは、サブストレートの表面部分の熱膨張率よりも大きく、かつ、接合材料の熱膨張率よりも小さな熱膨張率を有する。