公开(公告)号：CN103130174A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210082544.8

申请日：2012-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李德浩 ,  谢元智

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00301 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: 一种方法，包括在衬底的正面上形成微电子机械系统(MEMS)器件。在形成MEMS器件的步骤之后，在衬底中形成穿透开口，其中从衬底的背面形成穿透开口。用介电材料填充穿透开口，该介电材料使衬底的第一部分与衬底的第二部分隔离。在衬底的背面上形成电连接件。通过衬底的第一部分将电连接件电连接至MEMS器件。本发明还提供一种MEMS器件。

公开(公告)号：CN101806812B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010117435.6

申请日：2010-02-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 押尾政宏

IPC: G01P1/02 ,  G01C19/56

CPC classification number: G01P1/023 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00293 ,  G01C19/56 ,  G01P2015/0814

Abstract: 本发明提供一种能够发挥各传感器元件的特性且抑制长期的特性变动的小型的复合传感器及电子设备。所述复合传感器在封装件(30)形成有压力高的空间(90)与压力低的空间(80)，在压力高的空间(90)配置有加速度传感元件(40)，因此，获得低的Q值，在压力低的空间(80)配置有振动型角速度传感器元件(50)、(60)，因此，获得高的Q值，从而能够充分发挥加速度传感元件(40)及振动型角速度传感器元件(50)、(60)的特性。

公开(公告)号：CN102735280A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210090907.2

申请日：2012-03-30

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·霍尔蒂希 ,  T·施林普夫

IPC: G01D11/30 ,  B81B7/00

CPC classification number: G01D11/245 ,  B81B7/0074 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  Y10T29/49117

Abstract: 本发明涉及一种传感器模块，其具有能导电的导体件、第一传感器元件和第二传感器元件，其中，所述第一传感器元件设置在所述导体件的第一接收区域中并且所述第二传感器元件设置在所述导体件的第二接收区域中，所述导体件还具有一这样地设置在所述第一和第二接收区域之间的弯曲区域，使得所述第二接收区域相对于所述第一接收区域成角度地定向。

公开(公告)号：CN101661989B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200910167553.5

申请日：2009-08-24

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小池伸幸 ,  田村孝

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24 ,  G01P3/44

CPC classification number: B81B3/0081 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/032 ,  G01C19/56 ,  G01C25/00 ,  H01L41/0933 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1136 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明公开了压电装置、角速度传感、电子设备以及压电装置制造方法，其中，压电装置包括：基板、第一电极膜、压电膜和第二电极膜。第一电极膜形成在基板上。压电膜通过Pb1+X(ZrYTi1-Y)O3+X(0≤X≤0.3，0≤Y≤0.55)来表示并且通过X射线衍射法测量的烧绿石相的峰值强度相对于钙钛矿相的(100)平面取向、(001)平面取向、(110)平面取向、(101)平面取向以及(111)平面取向的峰值强度的和为10％以下，压电膜以400nm以上1,000nm以下的膜厚形成在第一电极膜上。第二电极膜层压在压电膜上。通过本发明，由于具有了良好的压电特性和耐热性，所以可以提供高可靠性。

公开(公告)号：CN102001614A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010269917.3

申请日：2010-08-27

Applicant: 美商明锐光电股份有限公司

Inventor： 吴华书 ,  钱元晧 ,  钟士勇 ,  曾立天 ,  叶裕德

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0735

Abstract: 本发明提供一种微机电(MEMS)装置与其制造方法。微机电装置组装包括一第一基板，其具有多个电子装置、多个第一接合区域以及多个第二接合区域。微机电装置组装尚包括一第二基板，其与第一基板于多个第一接合区域接合。第二基板上方设置一第三基板，其具有一凹槽区域以及多个托脚结构，且其与第一基板于多个第二接合区域接合。多个第一接合区域提供第一基板与第二基板间的导电路径，而多个第二接合区域提供第一基板与第三基板间的导电路径。

公开(公告)号：CN101927977A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910168952.3

申请日：2009-09-02

Applicant: 鑫创科技股份有限公司

Inventor： 谢聪敏 ,  李建兴

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2203/0714 ,  G01L9/0042 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0828

Abstract: 本发明是有关于一种用于制造MEMS装置的方法包含提供衬底。随后，在衬底上在第一侧形成结构介电层，其中隔膜嵌入于结构介电层中。从第二侧图案化衬底以在衬底中形成对应于隔膜的腔和多个通风孔。经由通风孔从衬底的第一侧和第二侧执行各向同性蚀刻工艺，以移除结构介电层的介电部分以暴露隔膜的中央部分，同时端部由结构介电层的残余部分固持。本发明的CMOS微机电系统(MEMS)装置的制造方法，可以减少的底切形成通风孔且还减少对隔膜的损坏。

公开(公告)号：CN1793936B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200510107009.3

申请日：2005-09-30

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 池上尚克

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  G01P15/18 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B3/0051 ,  B81B7/0012 ,  B81B2201/0235 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0842

Abstract: 本发明涉及一种用简单的制造方法提高耐冲击性的加速度传感器，该加速度传感器包括：挠性地支承锤固定部(13)的周边固定部(12)；固定在锤固定部(13)上的锤部(23)；为了与外壳底部(61)等传感器搭载部隔开规定间隔地配置该锤部(23)、而将周边固定部(12)固定在上述传感器搭载部上的台座部(21)；配置在与上述传感器搭载部对置的位置、用于限制锤部(23)位移的止动部(15)。在止动部(15)等上，利用分配器(dispenser)等，按一定量直接涂敷有固化性的弹性粘接剂(例如从液体固化为弹性体的硅类橡胶(50)等)。因此，施加在止动部(15)上的冲击力等通过弹性粘接剂吸收并抑制，加强了止动部(15)，提高了耐冲击性等的机械强度。

公开(公告)号：CN101687629A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022824.1

申请日：2008-03-28

Applicant: 诺思罗普·格鲁曼·利特夫有限责任公司

Inventor： 沃尔弗拉姆·盖格 ,  尤维·布伦格

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2203/0118

Abstract: 本发明涉及一种构件(2)尤其是微机械、微电子机械或微光电机械构件(2)以及制造这种构件的方法，其中构件(2)具有以层状结构嵌入的活动结构(27)。为了能够更好地接触活动结构(27)的电极(5)，通过将具有不同的第一蚀刻深度(D1)和第二蚀刻深度(D2)的第一凹部(14)和第二凹部(15)蚀刻到第一层组件(10)的覆盖层(13)中，来形成条状导体桥(34)，其中第一层组件(10)还包括基底(11)和绝缘层(12)。较深的凹部(14)用于隔离条状导体桥(34)，而较浅的凹部(15)提供活动结构(27)用的移动空间，其中由条状导体桥(34)来桥接所述移动空间。

公开(公告)号：CN101239698A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810085607.9

申请日：2008-01-21

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： A·A·梅拉西 ,  S·泽尔比尼 ,  B·西莫尼

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0831

Abstract: 在微机电装置(1)中，移动块(2)通过弹性悬挂元件(5)悬挂在衬底(3)上方，并且可以围绕所述弹性悬挂元件(5)旋转，覆盖结构(10)设置在移动块(2)上方并且具有朝向移动块(2)的内表面(10a)，以及止动结构(12，14)布置在所述覆盖结构(10)的内表面(10a)处并且向移动块(2)延伸，从而停止移动块(10)沿着衬底(3)的横截轴(z)远离衬底(3)的移动。相对于移动块(2)布置止动结构(12，14)从而减少相互的静电作用的影响，特别是使移动块(2)关于弹性悬挂元件(5)的合成扭矩最小化。

公开(公告)号：CN1267336C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN02819837.9

申请日：2002-08-02

Applicant: 惠普公司

Inventor： T·W·艾夫斯

IPC: B81B3/00 ,  G01P15/08 ,  G01C19/56

CPC classification number: G01P15/08 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0143 ,  G01P2015/0817

Abstract: 一种形成于微机电系统的衬底内的微机电装置，包含一个质量元件，后者确定一个相关区域。此装置还包含一个支持梁，它将该质量元件支撑得与衬底隔开。此支持梁包含一个由与衬底相连的第一固定端和与质量元件相连的第一自由端确定的第一梁元件。支持梁还包含一个由与衬底相连的第二固定端和与质量元件相连的第二自由端确定的第二梁元件。这些梁元件彼此隔开。一个第一横向元件把第一梁元件和第二梁元件连起来。最好是支持梁包含多个横向元件。可以用两个这种支持梁按桥式结构支撑微机电装置中的一个质量元件。