公开(公告)号：JP2014211636A

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：JP2014095773

申请日：2014-05-07

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  Shin Etsu Chem Co Ltd

Inventor： KATO HIDETO ,  KANBARA HIROSHI ,  TAKAHATA TOMOYOSHI ,  HIRANO SADANORI

IPC: G03F7/023 ,  B81C99/00 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: C09D163/04 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0108 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0236 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466

Abstract: 【解決手段】(A−1)クレゾールノボラック樹脂の一部又は全部のフェノール性水酸基がナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドによりエステル化されたクレゾールノボラック樹脂(i)、又は該クレゾールノボラック樹脂と、フェノール性水酸基がエステル化されていないクレゾールノボラック樹脂との混合物(ii)、(A−2)ノボラック樹脂(i)又はノボラック樹脂混合物(ii)とナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、(A−3)クレゾールノボラック樹脂とナフトキノンジアジドスルホン酸エステルのいずれかを含むと共に、架橋剤を含む組成物で形成させた厚さ2〜20μmを有するマイクロ構造体用光パターン形成性犠牲膜。【効果】本発明によれば、高精度な平面形状及び適切な側壁の形状を有し、かつ熱耐性に優れる犠牲膜パターンを得ることができる。【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：获得具有高精度和适当形状的侧壁并具有优异耐热性的平面形状的牺牲膜图案。解决方案：提供一种用于微结构的可光学图案化的牺牲膜，其厚度为 2〜20μm，由含有下述成分（A-1）〜（A-3）的组合物和交联剂构成。 组分是：（A-1）甲酚酚醛清漆树脂（i），其中树脂中的一些或所有酚羟基用萘醌二叠氮化物磺酰卤酯化，或上述甲酚酚醛清漆树脂的混合物（ii）和 酚羟基没有酯化的甲酚酚醛清漆树脂; （A-2）酚醛清漆树脂（i）或酚醛清漆树脂混合物（ii）和萘醌二叠氮磺酸酯; 和（A-3）甲酚酚醛清漆树脂和萘醌二叠氮磺酸酯。

公开(公告)号：JP2009291920A

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：JP2008150482

申请日：2008-06-09

Applicant: Canon Inc ,  キヤノン株式会社

Inventor： ISANO TASUKE ,  ASANO KOSUKE ,  KANEDA YASUSHI

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B05D5/00 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2203/038

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for accurately and easily manufacturing a three-dimensional structure. SOLUTION: A first structure 20 is formed on a substrate 10, a sacrifice layer 30 is applied thereto with spin coating, a second structure 40 is formed on the sacrifice layer 30, the sacrifice layer 30 is removed therefrom to form the three-dimensional structure 1, and thereby the second structure 40 drops onto the first structure 20. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种准确且容易地制造三维结构的方法。 解决方案：第一结构20形成在基板10上，牺牲层30用旋涂施加到其上，在牺牲层30上形成第二结构40，从中除去牺牲层30 维度结构1，从而第二结构40落到第一结构20上。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009511295A

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：JP2008534810

申请日：2005-10-10

Applicant: シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド

Inventor： キア シルバーブルック，

IPC: B41J2/05 ,  B81C1/00

CPC classification number: B41J2/1404 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2002/14403 ,  B41J2002/14475 ,  B41J2202/11 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0126

Abstract: 【課題】ＭＥＭＳプロセスで吊り下げられたビームを製造するための優れた方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳプロセスで吊り下げられたビームを形成する方法が開示される。 プロセスでは、基板（５）にピット（８）をエッチングする。 犠牲材料（１０）を、ピット（８）内及び周囲の基板表面上に付着させる。 次に、周囲の基板表面及びピット（８）の周囲から犠牲材料（１０）を除去し、したがって犠牲材料とピットの少なくとも２つの側壁の間にギャップがある。 次に、残りの犠牲材料がピットの側壁と接触するように、犠牲材料をリフローするように加熱する。 次に、通常は金属であるビーム（１２）の材料を、基板表面及びリフローした犠牲材料に付着させ、次に犠牲材料を除去して、吊り下げられたビームを形成する。 ビームは、インクジェットプリンタの加熱要素として使用することができる。
【選択図】図３４

公开(公告)号：JP2008536699A

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：JP2008506776

申请日：2006-04-14

Applicant: プレジデント・アンド・フエローズ・オブ・ハーバード・カレツジ

Inventor： ババク アミアパービツ， ,  バイロン ゲイツ， ,  ジョージ エム． ホワイトサイズ， ,  ディクラン ライアン， ,  ビンセント リンダー，

IPC: B81C1/00 ,  C25D5/02

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2203/0735 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 本発明は、重合体を含む犠牲材料を使用した製造方法を提供する。 ある実施形態における重合体は、製造プロセスで使用される、少なくとも１つの溶媒（例えば、水溶液）に対する溶解度を変更するために処理され得る。 犠牲材料の調製は、迅速かつ簡易であり、犠牲材料の溶解は、穏やかな環境で実行され得る。 本発明の犠牲材料は、選択された対応する物理的構造のために犠牲層が使用される、表面マイクロ加工、バルクマイクロ加工および他のマイクロ加工プロセスに役立つ。

公开(公告)号：KR101773492B1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：KR1020110056227

申请日：2011-06-10

Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

Inventor： 가토히데토 ,  간바라히로시 ,  후리하타도모요시 ,  히라노요시노리

IPC: G03F7/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: C09D163/04 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0108 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0236 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466

Abstract: 본발명은마이크로구조체의제조방법및 광패턴형성성희생막형성용조성물에관한것으로서, 본발명의마이크로구조체의제조방법은, (i) 기판상에희생막패턴을형성하는단계, (ii) 희생막패턴상에무기재료막을형성하는단계, (iii) 희생막패턴의형상을가지는공간을형성하는단계를포함하는마이크로구조체의제조방법에있어서, (i) 단계는, (A) (A-1) 1,2-나프토퀴논디아지드설폰산에스테르에의해페놀성수산기가에스테르화된크레졸노볼락수지, 또는상기크레졸노볼락수지와페놀성수산기가에스테르화되어있지않은크레졸노볼락수지, (A-2) (A-1)의노볼락수지와 1,2-나프토퀴논디아지드설폰산에스테르화합물, (A-3) 페놀성수산기가에스테르화되어있지않은크레졸노볼락수지와 1,2-나프토퀴논디아지드설폰산에스테르화합물중 어느하나와, 가교제를포함하는광 패턴형성성희생막형성용조성물로희생막을성막하는공정; (B) 상기광 패턴형성성희생막에제1 고에너지선에의한패턴조사를행하는공정; (C) 현상(現像)에의해포지티브형의희생막패턴을형성하는공정; 및 (D) 상기희생막패턴에제2 고에너지선조사를행하는조작및 가열하는조작을포함하고, 크레졸노볼락수지사이에가교를형성하는공정을포함하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造微结构，并且光学图案形成牺牲膜形成组合物的方法，本发明的微结构的制造方法包括：形成于（i）基板的图案牺牲层的步骤，（ⅱ）牺牲 （iii）形成具有牺牲膜图案形状的空间，其中步骤（i）包括以下步骤： ）用苯酚seongsusan屏幕1,2-萘醌重氮磺酸通过酯基团是酯 - 甲酚酚醛清漆树脂，或其中所述甲酚酚醛清漆树脂和甲酚酚醛清漆树脂的酚seongsusan组未酯化的，（A-2 （A-1）其中酚羟基未被酯化的甲酚酚醛清漆树脂与1,2-萘醌二 两性离子酯化合物和光图案型 牺牲膜的步骤中形成作为用于性别形成组合物一牺牲层; （B）使所述可光致图案化的牺牲膜经受第一高能束的图案照射; （C）通过显影（本图像）形成正型牺牲膜图案; （D）对牺牲膜图案进行第二高能量束照射并加热，并在甲酚酚醛清漆树脂之间形成桥的操作。

公开(公告)号：KR101032003B1

公开(公告)日：2011-05-02

申请号：KR1020030063487

申请日：2003-09-13

Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨

Inventor： 갤래거마이클케이. ,  그론벡다나에이. ,  아담즈티모티지. ,  칼버트제프리엠.

IPC: H01L21/768

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0108 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24628 ,  H01L2924/00

Abstract: 고체 구조내에 에어 갭(air gap)을 형성하는 방법이 제공된다. 이 방법에서, 희생 물질(sacrificial material)이 오버레이어(overlayer)에 의해 피복된다. 그후 희생 물질을 오버레이어를 통해 제거하여 에어 갭을 남긴다. 이러한 에어 갭은 전기 접속 구조와 같은 전자 디바이스에서 금속 라인 사이의 절연으로서 특히 유용하다. 에어 갭을 함유한 구조가 또한 제공된다.

公开(公告)号：KR1020020042303A

公开(公告)日：2002-06-05

申请号：KR1020000072123

申请日：2000-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤용섭 ,  최형

IPC: G02B26/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0108

Abstract: PURPOSE: A method for producing a micro mirror actuator is provided to level a micro mirror by laminating a polyimide film in order to enhance the reflectivity of the micro mirror and to simple a procedure for leveling the micro mirror. CONSTITUTION: A trench corresponding area is etched into a substrate(10). After etching the trench corresponding area, an insulating layer(25) and a metal film are deposited onto the substrate(10). A lower electrode(35) and a side electrode(37) are formed by patterning the metal film. An organic film(45) is deposited onto the substrate(10) of the lamination stack in order to maintain the trench corresponding area in a hollow state. Thereafter, a via hole is formed by patterning the organic film(45). A metal film is deposited onto the organic film(45) and thereafter patterning the metal film is done. Then, the organic film(45) is removed. After removing the organic film(45), a micro mirror, a torsion spring and a post are formed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造微反射镜致动器的方法，通过层压聚酰亚胺膜来平整微镜，以增强微反射镜的反射率和简化用于调整微反射镜的程序。 构成：将沟槽对应区域蚀刻到衬底（10）中。 在蚀刻沟槽对应区域之后，在衬底（10）上沉积绝缘层（25）和金属膜。 通过图案化金属膜形成下电极（35）和侧电极（37）。 为了将沟槽对应区域保持在中空状态，将有机膜（45）沉积在层压叠层的基板（10）上。 此后，通过图案化有机膜（45）形成通孔。 在有机膜（45）上沉积金属膜，此后对金属膜进行图案化。 然后，去除有机膜（45）。 在去除有机膜（45）之后，形成微反射镜，扭转弹簧和柱。

公开(公告)号：WO2013086083A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：PCT/US2012/068092

申请日：2012-12-06

Applicant: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION ,  KOHL, Paul, A. ,  SAHA, Rajarshi ,  FRITZ, Nathan

Inventor： KOHL, Paul, A. ,  SAHA, Rajarshi ,  FRITZ, Nathan

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B3/0018 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2203/0154

Abstract: The movable part of a MEMS device is encapsulated and protected while in wafer form so that commodity, lead-frame packaging can be used. An overcoat polymer, such as, epoxycyclohexyl polyhedral oligomeric silsesquioxanes (EPOSS) has been used as a mask material to pattern the sacrificial polymer as well as overcoat the air-cavity. The resulting air-cavities are clean, debris-free, and robust. The cavities have substantial strength to withstand molding pressures during lead-frame packaging of the MEMS devices. A wide range of cavities from 20 pm x 400 pm to 300 μm x 400 um have been fabricated and shown to be mechanically stable. These could potentially house MEMS devices over a wide range of sizes. The strength of the cavities has been investigated using nano-indentation and modeled using analytical and finite element techniques. Capacitive resonators packaged using this protocol have shown clean sensing electrodes and good functionality.

Abstract translation: MEMS器件的可移动部件以晶片形式被封装和保护，从而可以使用商品的引线框架封装。 已经使用外涂聚合物，例如环氧环己基多面体低聚倍半硅氧烷（EPOSS）作为掩模材料来模制牺牲聚合物以及覆盖空气腔。 所产生的空气腔是干净，无碎片和坚固的。 空腔具有相当大的强度以承受MEMS器件的引线框架封装期间的成型压力。 已经制造了从20 pm x 400 pm到300 mum x 400um的宽范围的空腔，并显示为机械稳定的。 这些可能会在各种尺寸范围内容纳MEMS器件。 已经使用纳米压痕研究了腔的强度，并使用分析和有限元技术进行了建模。 使用该协议封装的电容谐振器已经显示出清洁的感测电极和良好的功能。

公开(公告)号：WO2013020039A2

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/US2012/049497

申请日：2012-08-03

Applicant: CAVENDISH KINETICS, INC ,  TROY, Brian I. ,  RENAULT, Mickael ,  MAGUIRE, Thomas L. ,  LACEY, Joseph Damian Gordon ,  BOBEY, James F.

Inventor： TROY, Brian I. ,  RENAULT, Mickael ,  MAGUIRE, Thomas L. ,  LACEY, Joseph Damian Gordon ,  BOBEY, James F.

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81B3/0008 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0108 ,  H01H1/0036 ,  H01H2001/0089

Abstract: The present invention generally relates to a MEMS device in which silicon residues from the adhesion promoter material are reduced or even eliminated from the cavity floor. The adhesion promoter is typically used to adhere sacrificial material to material above the substrate. The adhesion promoter is the removed along with then sacrificial material. However, the adhesion promoter leaves silicon based residues within the cavity upon removal. The inventors have discovered that the adhesion promoter can be removed from the cavity area prior to depositing the sacrificial material. The adhesion promoter which remains over the remainder of the substrate is sufficient to adhere the sacrificial material to the substrate without fear of the sacrificial material delaminating. Because no adhesion promoter is used in the cavity area of the device, no silicon residues will be present within the cavity after the switching element of the MEMS device is freed.

Abstract translation: 本发明一般涉及一种MEMS器件，其中来自粘合促进剂材料的硅残余物从空腔底板减少甚至消除。 粘合促进剂通常用于将牺牲材料粘附到衬底上方的材料上。 粘附促进剂与牺牲材料一起被去除。 然而，粘合促进剂在除去后将空穴中的硅基残留物留下。 发明人已经发现，在沉积牺牲材料之前，可以从空腔区域去除粘合促进剂。 保留在基材的其余部分上的粘合促进剂足以将牺牲材料粘附到基材上，而不用担心牺牲材料分层。 因为在器件的空腔区域中没有使用粘合促进剂，所以在MEMS器件的开关元件被释放之后，腔内将不存在硅残余物。

公开(公告)号：WO2007078495A3

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：PCT/US2006045925

申请日：2006-11-30

Applicant: QUALCOMM INC ,  WANG CHUN-MING ,  LAN JEFFREY ,  SASAGAWA TERUO

Inventor： WANG CHUN-MING ,  LAN JEFFREY ,  SASAGAWA TERUO

IPC: B81B3/00 ,  G02B26/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/047 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0111 ,  G02B26/001

Abstract: MEMS devices (such as interferometric modulators) may be fabricated using a sacrificial layer that contains a heat vaporizable polymer to form a gap between a moveable layer and a substrate. One embodiment provides a method of making a MEMS device that includes depositing a polymer layer over a substrate, forming an electrically conductive layer over the polymer layer, and vaporizing at least a portion of the polymer layer to form a cavity between the substrate and the electrically conductive layer. Another embodiment provides a method for making an interferometric modulator that includes providing a substrate, depositing a first electrically conductive material over at least a portion of the substrate, depositing a sacrificial material over at least a portion of the first electrically conductive material, depositing an insulator over the substrate and adjacent to the sacrificial material to form a support structure, and depositing a second electrically conductive material over at least a portion of the sacrificial material, the sacrificial material being removable by heat-vaporization to thereby form a cavity between the first electrically conductive layer and the second electrically conductive layer.

Abstract translation: MEMS器件（诸如干涉式调制器）可以使用含有可热蒸发聚合物的牺牲层来制造，以在可移动层和衬底之间形成间隙。 一个实施例提供了一种制造MEMS器件的方法，该方法包括：在衬底上沉积聚合物层;在聚合物层上形成导电层;以及蒸发至少一部分聚合物层，以在衬底和电气之间形成空腔 导电层。 另一个实施例提供了一种制造干涉式调制器的方法，该方法包括提供衬底，在衬底的至少一部分上沉积第一导电材料，在第一导电材料的至少一部分上沉积牺牲材料，沉积绝缘体 在衬底上并且与牺牲材料相邻以形成支撑结构，以及在牺牲材料的至少一部分上沉积第二导电材料，牺牲材料通过热汽化可去除，从而在第一电气 导电层和第二导电层。