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公开(公告)号：CN102153276A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010613457.1
申请日：2010-12-30
Applicant: 上海亨通光电科技有限公司
IPC: C03B37/018 , C03C13/04
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B2201/36
Abstract: 本发明涉及光纤制造方法技术领域，具体讲的是一种掺稀土光纤预制棒的制备方法，该方法包括以下制备步骤：选择石英基管，内通CCl2F2及O2，燃烧抛光，及沉积阻挡层；制备稀土金属氯化物，并对其进行脱水处理；选择中间体AlCl3并对其脱水处理；及对脱水后的稀土金属氯化物、AlCl3加热气化并混合；将玻璃生成组份物SiCl4、GeSl4和POCl3加热气化；将混合后的金属氯化物气体与气化后的玻璃生成组份物经旋转搅拌混合并在石英基管内沉积形成掺稀土的芯层；最后将所生成之产物缩棒以形成光纤预制棒。本发明的优点是：可精确控制各稀土掺物质的浓度和均匀性，从而使稀土光纤的性能进一步优化。
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公开(公告)号：CN102092935A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010613458.6
申请日：2010-12-30
Applicant: 上海亨通光电科技有限公司
IPC: C03B37/014
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B2201/36
Abstract: 本发明涉及光纤制造方法技术领域，具体讲的是一种用于制备掺稀土光纤预制棒的设备。此制备装置包括一载气混合通道，用于对送入其中的AlCl3气体、稀土氯化物气体进行混合，所述载气混合通道一端分别连通有AlCl3气化炉、稀土氯化物气化炉，另一端通过输送气体通道连通有反应管，所述输送气体通道还连通有一玻璃组分气化炉，其特征在于：所述稀土氯化物气化炉和载气混合通道设置于一石墨电阻加热炉内，且共用所述石墨电阻加热炉之加热器件。本发明的优点是：可精确控制各稀土掺物质的浓度和均匀性，从而使稀土光纤的性能进一步优化。
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公开(公告)号：CN102087378A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010564715.1
申请日：2010-11-15
Applicant: 德雷卡通信技术公司
IPC: G02B6/02 , G02F1/39 , C03B37/018
CPC classification number: C03C3/06 , C03B37/01838 , C03B2201/12 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03C4/0071 , C03C4/10 , C03C4/12 , C03C13/046 , C03C14/004 , C03C14/006 , C03C2201/31 , C03C2201/32 , C03C2201/3476 , C03C2201/3482 , C03C2201/3488 , C03C2201/36 , C03C2203/40 , H01S3/06729
Abstract: 本发明涉及一种放大光纤，其包括适于传送和放大光信号的中央纤芯；以及包围中央纤芯并适于将传送的光信号限制在中央纤芯内的包层。中央纤芯由包含纳米粒子的纤芯基质形成，纳米粒子包括纳米粒子基质和稀土掺杂元素。纤芯基质还包括附加掺杂物。此外，中央纤芯中的稀土掺杂元素的浓度以重量计位于200ppm至1000ppm范围内，中央纤芯中的纳米粒子基质的浓度以重量计位于0.5wt％至5wt％范围内，优选地位于1.5wt％至4wt％范围内，并且中央纤芯中的附加掺杂物的浓度以重量计位于1wt％至10wt％范围内。
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公开(公告)号：CN101426744A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780013293.5
申请日：2007-09-04
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司 , 信越石英株式会社
CPC classification number: C03C3/06 , C03B19/06 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/24 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03C4/20 , C03C2201/23 , C03C2201/24 , C03C2201/3411 , C03C2201/3435 , C03C2203/10 , C03C2203/54
Abstract: 本发明始于用于半导体制造的已知石英玻璃元件，该元件至少在近表面区具有第一掺杂剂和第二氧化掺杂剂的共掺杂，所述第二掺杂剂含一种或多种浓度各为0.1～3wt％的稀土金属(以SiO2和掺杂剂的总质量为基准计算)。由此开始，为了提供用于在腐蚀作用环境中半导体制造的以高纯度和高耐干腐蚀著称并避免了由用氧化铝共掺杂所造成的已知缺点的石英玻璃元件，按照本发明建议：第一掺杂剂应是氮以及石英玻璃内亚稳定羟基的平均含量应小于30wtppm。
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公开(公告)号：CN1994946A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610169735.2
申请日：2006-12-28
Applicant: 北京交通大学
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01838 , C03B2201/30 , C03B2201/36
Abstract: 一种石英基铋镓铒铝共掺光纤及其制作方法，涉及的石英基铋镓铒铝共掺光纤，通过在石英基光纤纤芯中同时掺入铋镓铒铝四种元素来实现。这种铋镓铒铝光纤具有很高的吸收系数，在1530nm处的吸收系数可以达到58dB/m以上。利用这种石英基的铋镓铒铝共掺光纤制作的C波段和L波段掺铒光纤放大器中掺杂光纤长度缩短到所需普通掺铒光纤长度的十分之一以下，并实现了平坦的增益谱。利用这种具有高吸收系数的光纤制作光纤激光器时，光纤长度仅几十厘米就可，使光纤激光器的偏振态容易保持，这在混合集成中具有广阔的应用前景。本发明对于制造光纤激光器和放大器都具有十分重要的意义和经济效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1984851A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580022597.9
申请日：2005-06-23
Applicant: 利基有限公司
IPC: C03B37/014 , C03C13/04 , G02B6/02 , F23D11/00
CPC classification number: C03B37/0142 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03B2207/14 , C03B2207/34 , C03C3/06 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及光增强型光学材料的制备。采用高速气体(20)将液体反应物(10)雾化成液滴(15)。随后将液滴(15)引入火焰(100)中。反应物(10，30)在火焰(100)中氧化和通过形成小颗粒(50)而冷凝。收集至少部分所述颗粒(50)并熔融形成光波导材料，所述光波导材料随后拉制形成光波导(750)。根据本发明，雾化气体(20)流的速度是声速的0.3－1.5倍。所述高速增强了雾化，并提高了在火焰(100)中的反应速度。停留时间下降到使所制备的颗粒(50)中不希望出现的相变基本降到最低的程度。结果制备了非常均匀的材料。尤其是在制备铒掺杂型氧化硅中，获得了低百分比的成簇铒离子。
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公开(公告)号：CN1558873A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN01823802.5
申请日：2001-10-18
Applicant: 科学和工业研究委员会 , 巴-以兰大学
Inventor： 兰詹·森 , 密斯·米纳提·查特吉 , 米兰·坎蒂·纳斯卡尔 , 米尔梅·帕尔 , 穆库尔·钱德拉·保罗 , 西尔玛·库马尔·巴德拉 , 卡迈勒·达斯古普塔 , 迪比亚杜·甘古利 , 塔伦·班迪奥帕迪亚雅 , 阿哈龙·热当基安
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01838 , C03B37/016 , C03B2201/02 , C03B2201/12 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2201/36 , C03C1/02 , C03C1/026 , Y02P40/57
Abstract: 本发明公开了一种通过使用涂覆有稀土氧化物的二氧化硅纳米颗粒作为前体材料用于制造掺杂稀土(RE)光纤的方法，更具体来说，本发明的方法包括以下步骤：在环境温度下制备涂覆有稀土氧化物的二氧化硅纳米颗粒的稳定分散体(溶胶)；采用浸涂技术或任何其它常规方法，在二氧化硅玻璃管的内表面上涂覆所述二氧化硅溶胶的薄涂层，所述二氧化硅溶胶含有选自Ge、Al、P等的适当的掺杂剂；进而采用MCVD技术制成光纤的预型体，然后形成预期形状的光纤。本发明的新颖之处在于，在形成纤芯时，省略了CVD工艺中在熔凝二氧化硅玻璃管内高温形成疏松粉末层的步骤，省略了通过溶液掺杂技术或其他方法将稀土离子引入疏松粉末层中的步骤，在溶胶中直接加入稀土氧化物避免了稀土离子微晶和簇的形成，并防止了包括纤芯中稀土浓度变化在内的组成改变，从而大大增加了工艺的再现性和可靠性，此外，在环境温度下将Ge(OET)4加入以上的二氧化硅溶胶减少了在高温下实现预期的数值孔径所需的GeCl4的量。
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公开(公告)号：CN1490267A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03128323.3
申请日：2003-07-14
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/012 , C03B37/014 , C03B37/018 , C03B20/00 , C03C13/04 , G02B6/00
CPC classification number: C03B37/01823 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03B2207/20
Abstract: 本发明涉及一种掺稀土光纤的工艺制造方法。这种工艺采用等离子体化学气相沉积，在圆管形的石英衬管内壁上沉积掺杂的二氧化硅层。反应所需的稀土化合物及其它共掺杂剂蒸气采用气柜和高温流量计进行蒸发和控制。这种方法由于采用了蒸发器将各种掺杂剂(稀土化合物及共掺杂剂)如同在制造常规光纤时的四氯化硅、四氯化锗一样直接输送到反应管内，进行直接沉积，避免了溶液法引入的污染，而且保证了掺杂的均匀性。
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公开(公告)号：CN1307544A
公开(公告)日：2001-08-08
申请号：CN99807807.7
申请日：1999-06-30
Applicant: SDL股份有限公司
IPC: C03B37/018 , C03B37/027 , C03C25/10
CPC classification number: C03B37/01838 , C03B37/01807 , C03B37/027 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03B2207/90 , C03C25/105
Abstract: 本发明揭示了一种制造稀土金属掺杂物含量较高的光导纤维预制棒的方法及设备。这样的光纤预制棒可拉伸加工成数值孔径小、纤芯衰减率低、泵激功率吸收高的光导纤维。高浓度的稀土金属掺杂是通过“混合气相加工(HVP)”法或“混合液相加工(HLP)”法各自独立运用,或两者联合运用而实现的。HVP法包括:在足够高的温度下气化稀土金属卤化物,然后或同时用非反应性惰性气体(例如氦气)流将形成的稀土金属卤化物蒸气转运到玻璃成形氧化反应区。根据HLP法,先按HVP方法提供第一部分稀土金属掺杂剂蒸气,与玻璃成形组分的蒸气混合,在玻璃管的内表面形成一层粉尘沉积层。然后将该粉尘沉积管浸在掺杂溶液中,该溶液包含第二部分稀土金属掺杂料。该管然后经热烧缩,成为稀土金属掺杂量提高的光纤预制棒。本发明的设备包括各种元部件,例如管子,它们分别用于将由固态掺杂剂形成的稀土金属掺杂剂蒸气引入主玻璃沉积管,引入玻璃成形物质蒸气和氧气,用于在主管中进行反应。
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公开(公告)号：CN103675991B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201310491351.2
申请日：2013-08-29
Applicant: OFS飞泰尔公司
Inventor： 蒂里·F·陶内伊
CPC classification number: G02B6/02338 , B29D11/00682 , C03B2201/36 , C03B2203/23 , G02B6/02004 , G02B6/036 , G02B6/03644 , H01S3/06704 , H01S3/06733 , H01S3/06754 , H01S3/1618
Abstract: 本发明是增大包层吸收同时保持单模操作的双包层增益产生光纤。在芯区与内包层区之间设有沟槽区的光纤设计中，增大单模的双包层的增益产生光纤的包层吸收。在实现增大包层吸收的同时，保持单模操作。
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