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公开(公告)号:CN1866459A
公开(公告)日:2006-11-22
申请号:CN200610067073.8
申请日:2006-03-31
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 安商爀
CPC classification number: H01J29/467 , H01J1/30 , H01J3/021 , H01J29/04 , H01J31/127
Abstract: 本发明公开了一种电子发射器件,包括第一基板和面对第一基板的第二基板。第一电极和第二电极形成在第一基板上并且互相绝缘。电子发射区被电连接至第一电极或第二电极至少之一。荧光粉层形成在第二基板上。阳极形成在荧光粉层的表面上。电子发射区的区域为发射区域,并且第一电极或第二电极至少之一包括互相平行地间隔开、并且插入发射区域到其间的一对线部和横贯发射区域以互连该对线部的连接器。
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公开(公告)号:CN1841636A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200610057628.0
申请日:2006-02-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 安商爀
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481
Abstract: 本发明公开了一种电子发射装置,包括在基板上形成的用于发射电子的电子发射区,用于控制电子发射的驱动电极,和与驱动电极电绝缘的聚焦电极。驱动电极具有用于引起电子从电子发射区发射的有效部分,和与有效部分电连接的第一电压施加部分。聚焦电极具有用于将从电子发射区发射的电子聚焦的聚焦部分,和与聚焦部分电连接的第二电压施加部分。有限部分和聚焦部分彼此设置在不同的平面中,第一电压施加部分和第二电压施加部分不重叠。
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公开(公告)号:CN1276496C
公开(公告)日:2006-09-20
申请号:CN02144500.1
申请日:2002-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开了一种形成衬底的浮置结构、浮置栅电极和场致发射器件的方法。形成自衬底抬高的浮置结构的方法包括:在衬底上形成膨胀引发层,该层可以由与预定反应气体的反应而产生导致体积膨胀的副产物;在所得结构上形成用于浮置结构的目标层;在所得结构上形成孔,反应气体通过该孔供给;通过该孔供应反应气体,使得该目标层因膨胀引发层与反应气体的反应所产生的副产物而自衬底部分地抬高;以及通过该孔去除副产物,使得目标层自衬底抬升的部分可以完全与衬底分离,形成浮置结构。
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公开(公告)号:CN1794399A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200510096504.9
申请日:2005-08-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 提供了一种光电器件以及使用其的灯具和显示装置。该光电器件包括衬底;设置在所述衬底上且包括多个局部电场集中端部的导电的电场加强层;设置在所述电场加强层上且由发射二次电子的材料形成的电子放大层;以及设置在电子放大层上的光电材料层。该光电器件可以应用到各种领域以及被用作发光显示装置(OLED)以在低电压下产生高亮度的光。
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公开(公告)号:CN1722352A
公开(公告)日:2006-01-18
申请号:CN200510075958.8
申请日:2005-05-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 黄成渊
CPC classification number: H01J29/481 , H01J1/30 , H01J3/021 , H01J31/127
Abstract: 本发明公开一种具有导电层的电子发射装置,该导电层用于防止在该装置的绝缘层上积聚静电荷,该装置不需独立的驱动电路。该装置包括阴极电极,该阴极电极形成于基板上且通过形成于阴极电极上的绝缘层与栅极电极分开。阴极和栅极电极的交点形成显示区域,而在易受静电荷积聚影响的绝缘层的非显示区形成导电层,平行于阴极或栅极电极,一般通过绝缘层与这些电极分开。在装置的真空室外,导电层电连接于它们对应的电极。由此形成和连接的导电层将装置内部绝缘层上的静电荷释放至外部电路。
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公开(公告)号:CN1716495A
公开(公告)日:2006-01-04
申请号:CN200510074150.8
申请日:2005-03-31
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 李相辰
IPC: H01J1/30 , H01J9/02 , G02F1/1343
CPC classification number: H01J3/021 , H01J9/02 , H01J29/481
Abstract: 通过对包括至少一下介质子层和一上介质子层的介质层进行蚀刻形成阴极孔。下介质子层和上介质子层具有基本相同的介电常数,下介质子层具有高于上介质子层的蚀刻速度。形成在上、下介质子层中的阴极孔具有带有从下介质子层和上介质子层之间的至少一界线突出的突出部分的蚀刻轮廓。利用本发明公开的多种实施例,可以确保阴极和栅极之间的电阻从而防止发生电弧和信号失真。
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公开(公告)号:CN1591760A
公开(公告)日:2005-03-09
申请号:CN200410032287.2
申请日:1999-01-29
Applicant: 毫微—专卖股份有限公司
Inventor: 泽维·扬尼弗 , 罗纳德·查理斯·罗宾德
CPC classification number: H01J29/467 , H01J3/021 , H01J3/022 , H01J29/04 , H01J2329/00
Abstract: 多个场发射阴极(601)产生电子发射,其中,随后使用多种电极(602、603、604)控制和聚焦电子的发射形成电子束。与阴极射线管中所使用的技术相似的水平和垂直偏转技术(分别为605、606),用来扫描单个电子束到荧光显示屏(401)的区域上以产生图像。使用多个场发射阴极可提供比普通阴极射线管更扁平的屏深度。
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公开(公告)号:CN1322371A
公开(公告)日:2001-11-14
申请号:CN00802100.7
申请日:2000-09-25
Applicant: 皇家菲利浦电子有限公司
Inventor: N·C·范德瓦尔特 , G·G·P·范戈尔科姆 , P·H·F·特罗姆佩纳尔斯
CPC classification number: H01J29/481 , H01J3/021
Abstract: 一种阴极射线管包括电子源和具有输入孔和输出孔的电子束导引腔,其中,靠近输出孔(223),电子束导引腔(220)的壁的至少一部分包括二次发射系数为δ1并与阴极(205)配合的绝缘材料。而且,该阴极射线管包括能连接到第一电源装置的第一电极(226),在工作中,第一电源装置在阴极与输出孔之间施加具有第一电场强度E1的电场。δ1和E1的值要允许电子穿过电子束导引腔传输。该阴极射线管还包括用于在显示屏上获得光点的常规主透镜。按本发明,一个电子透镜设置在导引腔出口与主透镜之间,用于导引电子束按预定角度进入主透镜。
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公开(公告)号:CN104170050B
公开(公告)日:2018-01-12
申请号:CN201380014666.6
申请日:2013-03-14
Applicant: 纳欧克斯影像有限公司
CPC classification number: H01J3/14 , G01N23/046 , G01N2223/204 , G01N2223/419 , G01T1/161 , H01J1/3042 , H01J3/021 , H01J3/027 , H01J29/467 , H01J31/127 , H01J35/065 , H01J35/14 , H01J2235/068
Abstract: 本公开涉及一种图像采集装置,该图像采集装置包括电子接收结构和电子发射结构,并且还包括提供所述电子发射结构和所述电子接收结构之间的畅通空间的内部间隙。本公开还涉及一种x射线发射装置,该x射线发射装置包括x射线发射结构和电子发射结构,所述x射线发射结构包括阳极,该阳极为x射线靶标,其中,所述x射线发射装置可以包括提供所述电子发射结构和所述x射线发射结构之间的畅通空间的内部间隙。本公开还涉及一种x射线摄像系统,该x射线摄像系统包括图像采集装置和x射线发射装置。
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公开(公告)号:CN107527779A
公开(公告)日:2017-12-29
申请号:CN201710713843.X
申请日:2017-08-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明公开一种基于螺旋带状电子注冷阴极辐射源,涉及微波、毫米波、亚毫米波和太赫兹电真空器件技术领域,包括由阴极块、阴极发射面、阳极块以及电子枪封装绝缘体构成的螺旋带状电子注冷阴极电子枪、周期结构金属壳、收集极、导引磁场发生器,阴极发射面为矩形;阳极块的下表面为向右下倾斜的斜面,阳极块位于阴极块的右上方;周期结构金属壳开设有贯穿周期结构金属壳左右两端的电子注通道,电子注通道的中部设有沿电子注通道轴向延伸的高频结构;收集极、电子注通道、阴极发射面位于一条直线上。本发明提出一种结构简单,使用寿命长,性能优良的螺旋带状电子注冷阴极电子枪,利用其电子注纵向速度与高频场互作用交出能量,实现电磁辐射。
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