公开(公告)号：CN101035398A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200610153629.5

申请日：2006-09-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴相铉 ,  许廷娜 ,  李晶姬 ,  郑太远

IPC: H05B33/02

CPC classification number: H01J29/24 ,  H01J29/28

Abstract: 本发明公开了一种电致发光器件。所述电致发光器件包括：第一电极和第二电极，从彼此分开预定的距离设置且彼此面对；无机发光层，形成于所述第一和第二电极之间；介电层，形成于所述第二电极的内表面上；和场发射层，形成于所述无机发光层的上表面和下表面的至少之一上且由纳米棒形成。根据本发明的电致发光器件可以具有增加的从无机发光材料发射的可见光亮度，具有增加的发光效率，因为可以通过将比较低的电压施加到电致发光器件而获得期望的可见光亮度，所以具有减小的驱动电压。

公开(公告)号：CN1652284A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510006406.1

申请日：2005-01-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李常贤 ,  李晶姬 ,  朴相铉 ,  郑太远 ,  许廷娜 ,  金元锡

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供了一种制造场致发射器的方法。首先，在基板上形成图案化的导电层。接着，用场致发射材料和金属粉末的混合物涂覆导电层的上表面，并热处理该混合物从而改善该混合物对导电层的附着力。然后，除去沉积在除导电层以外的部分上的场致发射材料和金属。由此，场致发射器的寿命和场致发射特性得到极大改善，并且制造出具有优异特性的大面积场致发射器。

公开(公告)号：CN1978318B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200610171895.0

申请日：2006-10-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李晶姬 ,  杜锡光 ,  林东民 ,  朴相铉 ,  郑太远 ,  许廷娜

IPC: C01B31/02 ,  B01J32/00 ,  B01J23/40 ,  B82B3/00

Abstract: 提供一种包含金属颗粒的碳纳米管或不包含金属的碳纳米管以及切割碳纳米管的方法，该碳纳米管具有增加的表面积。根据该方法，碳纳米管的分散性可通过简化碳纳米管的结构变化或表面修饰而得到提高，从而使活性物质能够嵌入到碳纳米管的内壁，同时提高嵌入效率。

公开(公告)号：CN101000846A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200610151860.0

申请日：2006-09-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李晶姬 ,  朴相铉 ,  郑太远 ,  许廷娜

IPC: H01J9/02 ,  H01J9/00 ,  H01J63/00 ,  H01J29/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J63/06 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127

Abstract: 本发明提供了一种电子发射装置的制造方法。该方法包括：(a)在基板上形成阴极电极；(b)通过构图在所述阴极电极上形成发射体；(c)在其中形成有所述发射体的所述基板结构的表面上，通过涂敷并干燥光敏玻璃糊料形成掩埋所述发射体的光敏玻璃糊料层；以及(d)通过曝光、显影和煅烧所述光敏玻璃糊料层构图(c)的所得物来形成门绝缘层。由于自对准而减少了用于制造电子发射装置的制造方法的工艺数目并简化了工艺，由此降低了制造成本。

公开(公告)号：CN1868871A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610089816.1

申请日：2006-05-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑太远 ,  许廷娜 ,  李晶姬 ,  朴相铉

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  H01L51/0048 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供一种碳纳米管结构以及使该碳纳米管结构成形的方法。该碳纳米管结构包括衬底、形成在该衬底上且以预定形状成形的碳纳米管、以及形成在该碳纳米管的表面上从而将该碳纳米管保持在所述预定形状的金属层。该碳纳米管结构具有高的纯度和改进的电导率。

公开(公告)号：CN1710693A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200510079261.8

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 许廷娜 ,  朴相铉 ,  郑太远 ,  金钟玟

IPC: H01J9/227

CPC classification number: H01J9/227

Abstract: 提供一种制造磷光层结构的方法，其中在阳极基底上的障壁间形成磷光层的工艺过程有所改进。该方法包括制备具有为障壁所分开的内部空间的基底；在障壁和内部空间上形成牺牲层，以平化基底的上表面；在牺牲层上形成磷光层；和除去牺牲层以使得磷光层可处于内部空间中。

公开(公告)号：CN1794399A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510096504.9

申请日：2005-08-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 许廷娜 ,  李晶姬 ,  郑太远

IPC: H01J1/35 ,  H01J1/34

CPC classification number: H01J3/023 ,  H01J1/35 ,  H01J3/021 ,  H01J63/06

Abstract: 提供了一种光电器件以及使用其的灯具和显示装置。该光电器件包括衬底；设置在所述衬底上且包括多个局部电场集中端部的导电的电场加强层；设置在所述电场加强层上且由发射二次电子的材料形成的电子放大层；以及设置在电子放大层上的光电材料层。该光电器件可以应用到各种领域以及被用作发光显示装置(OLED)以在低电压下产生高亮度的光。

公开(公告)号：CN1734698A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510087978.7

申请日：2005-07-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 许廷娜 ,  朴相铉 ,  郑太远

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025

Abstract: 本发明公开了一种形成发射器的方法以及一种利用该方法制造场致发射装置(FED)的方法。形成发射器的方法包括：在电极上形成由聚合物组成的体积可变结构，该聚合物响应于外部刺激可逆地膨胀和收缩；将电子发射材料注入体积可变结构中；排列电子发射材料；以及除去聚合物以形成发射器。

公开(公告)号：CN1702806A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073822.3

申请日：2005-05-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金元锡 ,  金起永 ,  李常贤 ,  许廷娜 ,  李玹姃

IPC: H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种稳定场发射器的方法。该方法包括在场发射器的碳纳米管上执行等离子体处理。等离子体处理平坦化碳纳米管的表面，稳定碳纳米管的电流密度且增加场发射器的耐久性。

公开(公告)号：CN1696358A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510067231.5

申请日：2005-04-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李常贤 ,  郑太远 ,  许廷娜

IPC: C30B29/62

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B25/02 ,  C30B29/605 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/825

Abstract: 本发明提供了一种使用晶体结构制备纳米线的方法。在该制备纳米线的方法中，使用具有多个晶面的晶粒作为籽晶，在所述晶粒上沉积晶格常数差异在预定范围之内的晶体生长材料，由此允许从至少一个晶面上生长纳米线。所以，使用晶体生长原理通过简单的方法可以产生位置选择性，并且产生具有好结晶度的比如纳米线等的纳米结构。此外，通过调节用作籽晶的晶粒的特征可以产生具有不同形状的异质结结构。