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公开(公告)号：TWI582545B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104130160
申请日：2015-09-11
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 高德福萊德 荷曼 菲力普 , GODFRIED, HERMAN PHILIP , 凡 布索 休博特斯 佩特羅斯 里奧納多斯 亨利卡 , VAN BUSSEL, HUBERTUS PETRUS LEONARDUS HENR , 利克 阿利傑 強納森 , RIJKE, ARIJ JONATHAN , 歐普特 羅特 威黑墨斯 派翠克 伊麗莎白 瑪麗亞 , OP'T ROOT, WILHELMUS PATRICK ELISABETH MA
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70558 , G03F7/20 , G03F7/70008 , G03F7/70058 , G03F7/70358 , G03F7/709
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公开(公告)号：TWI581845B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104141959
申请日：2015-12-14
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 羅伯茲 康納利 馬利亞 , ROPS, CORNELIUS MARIA , 斯透斯 沃特 希爾多羅斯 馬修斯 , STALS, WALTER THEODORUS MATHEUS , 貝瑟斯 大衛 , BESSEMS, DAVID , 加多比吉歐 吉凡尼 路卡 , GATTOBIGIO, GIOVANNI LUCA , 布蘭科 卡巴羅 維特 馬努兒 , BLANCO CARBALLO, VICTOR MANUEL , 優莫林 艾瑞克 亨瑞庫司 艾居迪司 卡薩瑞納 , EUMMELEN, ERIK HENRICUS EGIDIUS CATHARIN , 凡 德 翰 羅納德 , VAN DER HAM, RONALD , 凡 登 禪登 費德瑞克 安東尼斯 , VAN DER ZANDEN, FREDERIK ANTONIUS , 溫拿特 威爾赫馬斯 安東尼爾斯 , WERNAART, WILHELMUS ANTONIUS
CPC classification number: G03B27/52 , B01D19/0005 , B01D19/0021 , G03F7/70341 , G03F7/70716 , G03F7/70775
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公开(公告)号：TW201715690A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105126541
申请日：2016-08-19
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 賈克 馬丁 賈庫柏斯 喬漢 , JAK, MARTIN JACOBUS JOHAN , 史密徳 韓卓克 真 海德 , SMILDE, HENDRIK JAN HIDDE , 黃得智 , HUANG, TE-CHIH , 卡拉多 維克托 艾曼紐 , CALADO, VICTOR EMANUEL , 范 布爾 亨利克斯 威爾翰瑪斯 瑪莉亞 , VAN BUEL, HENRICUS WILHELMUS MARIA , 凡 哈倫 理查 喬哈奈 法蘭西卡斯 , VAN HAREN, RICHARD JOHANNES FRANCISCUS
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/7065 , G03F7/70633 , G03F7/70683
Abstract: 一種基板具有藉由微影程序形成於其上之複數個疊對光柵。每一疊對光柵具有已知疊對偏置。疊對偏置之值包括(例如)以零為中心之區中之兩個值及以P/2為中心之區中之兩個值，P為該等光柵之節距。使用該等不同疊對偏置值之知識自用於該等光柵之不對稱性量測來計算疊對，每一總不對稱性量測由一對應權重因數加權。每一權重因數表示該各別疊對光柵內之特徵不對稱性之度量。該計算係用於改良量測程序及/或該微影程序之後續執行。該等不對稱性量測中之一些可另外由一第二權重因數加權以便消除或縮減相位不對稱性對於該疊對之貢獻。
Abstract in simplified Chinese: 一种基板具有借由微影进程形成于其上之复数个叠对光栅。每一叠对光栅具有已知叠对偏置。叠对偏置之值包括(例如)以零为中心之区中之两个值及以P/2为中心之区中之两个值，P为该等光栅之节距。使用该等不同叠对偏置值之知识自用于该等光栅之不对称性量测来计算叠对，每一总不对称性量测由一对应权重因子加权。每一权重因子表示该各别叠对光栅内之特征不对称性之度量。该计算系用于改良量测进程及/或该微影进程之后续运行。该等不对称性量测中之一些可另外由一第二权重因子加权以便消除或缩减相位不对称性对于该叠对之贡献。
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公开(公告)号：TW201715198A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105125819
申请日：2016-08-12
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 波里亞考夫 艾利希 奧利高維奇 , POLYAKOV, ALEXEY OLEGOVICH , 昆塔尼哈 李察 , QUINTANILHA, RICHARD , 白尼 凡丁 葉弗真葉米希 , BANINE, VADIM YEVGENYEVICH , 凡斯庫瑞恩 柯恩 艾德瑞安納斯 , VERSCHUREN, COEN ADRIANUS
IPC: G01B11/02 , G01N21/892 , G01N21/47 , G01N23/20
CPC classification number: H05G2/00 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G21K1/06
Abstract: 藉由至少第一次運用由逆康普頓散射而產生之EUV輻射(304)輻照藉由微影製成或用於微影中之一目標結構(T)來檢測該結構。偵測(312)在反射或透射中之由該目標結構散射之輻射(308)，且藉由一處理器(340)基於該所偵測之散射輻射來計算該目標結構之屬性。該輻射可具有在0.1奈米至125奈米之EUV範圍內之一第一波長。在使用同一源且控制一電子能量的情況下，可運用在該EUV範圍內之不同波長及/或運用較短(x射線)波長及/或運用較長(UV光、可見光)波長來輻照該結構多次。藉由在逆康普頓散射源中快速切換電子能量，可每秒執行在不同波長下之輻照若干次。
Abstract in simplified Chinese: 借由至少第一次运用由逆康普顿散射而产生之EUV辐射(304)辐照借由微影制成或用于微影中之一目标结构(T)来检测该结构。侦测(312)在反射或透射中之由该目标结构散射之辐射(308)，且借由一处理器(340)基于该所侦测之散射辐射来计算该目标结构之属性。该辐射可具有在0.1奈米至125奈米之EUV范围内之一第一波长。在使用同一源且控制一电子能量的情况下，可运用在该EUV范围内之不同波长及/或运用较短(x射线)波长及/或运用较长(UV光、可见光)波长来辐照该结构多次。借由在逆康普顿散射源中快速切换电子能量，可每秒运行在不同波长下之辐照若干次。
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公开(公告)号：TW201714023A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105125654
申请日：2016-08-11
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 奎恩斯 瑞尼 馬利奈斯 吉拉杜斯 喬翰 , QUEENS, RENE MARINUS GERARDUS JOHAN , 漢克 沃夫甘 哈慕特 , HENKE, WOLFGANG HELMUT
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F9/7026 , G03F9/7092
Abstract: 使用一微影裝置以在一基板(W)上製造複數個元件。獲得(904,906)表示橫越該基板之一構形變化之一高度圖(h(x,y))。在使用該高度圖的情況下，該裝置控制橫越該基板之多個場部位處之一場圖案之成像。該場圖案包含複數個個別元件區域(D1至D9)。對於該基板之邊緣附近之場部位，選擇性地使用該高度圖資料以便忽略一或多個個別元件區域中之構形變化。至少部分地基於針對當前曝光獲得之該高度圖資料判定是否將忽略一元件區域。替代地或另外，該選擇可基於在一或多個先前基板上及/或一先前層中之同一基板上之對應元件區域及場部位處進行之量測。
Abstract in simplified Chinese: 使用一微影设备以在一基板(W)上制造复数个组件。获得(904,906)表示横越该基板之一构形变化之一高度图(h(x,y))。在使用该高度图的情况下，该设备控制横越该基板之多个场部位处之一场图案之成像。该场图案包含复数个个别组件区域(D1至D9)。对于该基板之边缘附近之场部位，选择性地使用该高度图数据以便忽略一或多个个别组件区域中之构形变化。至少部分地基于针对当前曝光获得之该高度图数据判定是否将忽略一组件区域。替代地或另外，该选择可基于在一或多个先前基板上及/或一先前层中之同一基板上之对应组件区域及场部位处进行之量测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI577244B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW101130890
申请日：2012-08-24
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 坎班 丹東尼斯 帝朵勒 懷慕斯 , KEMPEN, ANTONIUS THEODORUS WILHELMUS , 洛卜史塔 艾瑞克 羅勒夫 , LOOPSTRA, ERIK ROELOF , 羅卓普 歌恩 , RENTROP, CORNE , 迪 葛瑞夫 丹尼司 , DE GRAAF, DENNIS , 可伯斯 福列慈 , GUBBELS, FRITS , 海葉詩 葛雷格 理查 , HAYES, GREGORY RICHARD , 凡 德 威爾 賀伯特思 約翰尼司 , VAN DE WIEL, HUBERTUS JOHANNES
CPC classification number: H05G2/008 , G03F7/70033 , G03F7/70916 , H05G2/005 , H05G2/006
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公开(公告)号：TWI576675B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104138096
申请日：2015-11-18
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 巴塔哈爾亞 卡司徒夫 , BHATTACHARYYA, KAUSTUVE
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70616 , G01B11/24 , G01B11/27 , G03F7/705 , G03F7/70633
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公开(公告)号：TW201712441A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105126450
申请日：2016-08-18
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G03F7/70116 , G03F7/70566
Abstract: 一種用於一微影設備之照明系統，其包含：一偏振調整設備，其經配置以接收線性偏振輻射，該偏振調整設備包含經組態以使偏振定向旋轉不同量之區域；一導引設備，其可操作以將該輻射導引通過該偏振調整設備之一或多個區域；一控制器，其經組態以控制該導引設備以便控制輻射被導引通過的該偏振調整設備之該一或多個區域中之區域，其中該控制器經組態以將輻射被導引通過的該等區域中之區域限制於使線性偏振之定向旋轉實質上相同量之一或多個區域；及一擴散器，其經組態以接收自該偏振調整設備輸出之輻射且增加該輻射傳播之一角度範圍，同時實質上保持該輻射之偏振狀態。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于一微影设备之照明系统，其包含：一偏振调整设备，其经配置以接收线性偏振辐射，该偏振调整设备包含经组态以使偏振定向旋转不同量之区域；一导引设备，其可操作以将该辐射导引通过该偏振调整设备之一或多个区域；一控制器，其经组态以控制该导引设备以便控制辐射被导引通过的该偏振调整设备之该一或多个区域中之区域，其中该控制器经组态以将辐射被导引通过的该等区域中之区域限制于使线性偏振之定向旋转实质上相同量之一或多个区域；及一扩散器，其经组态以接收自该偏振调整设备输出之辐射且增加该辐射传播之一角度范围，同时实质上保持该辐射之偏振状态。
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公开(公告)号：TWI574585B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW102116676
申请日：2013-05-10
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V. , 創浦半導體製造雷射系統公司 , TRUMPF LASERSYSTEMS FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING GMBH
Inventor： 貝格斯泰德 羅伯特A , BERGSTEDT, ROBERT A. , 佩特 克里斯多福P , PATE, CHRISTOPHER P. , 阿坎德 傑森M , ARCAND, JASON M. , 蘭伯特 馬汀 , LAMBERT, MARTIN
IPC: H05G2/00
CPC classification number: G02B27/145 , G02B26/0816 , G02B27/1006 , G02B27/141 , G03F7/70033 , H05G2/005 , H05G2/008
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公开(公告)号：TWI574119B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104103339
申请日：2015-01-30
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 奈其巴格魯 葛尼斯 , 凡 巴倫 馬堤恩 , VAN BAREN, MARTIJN , 凡 波克特 法蘭克 喬漢斯 賈柏斯 , VAN BOXTEL, FRANK JOHANNES JACOBUS , 賽伯斯 科恩 , CUYPERS, KOEN , 勾森 傑若恩 杰若德 , GOSEN, JEROEN GERARD , 凡 柏克哈文 羅倫堤斯 約翰納斯 安卓那斯 , VAN BOKHOVEN, LAURENTIUS JOHANNES ADRIANUS
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70858 , G03F7/70358 , G03F7/70716 , G03F7/70908
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