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公开(公告)号：DE102014215415A1
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：DE102014215415
申请日：2014-08-05
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： ZHAVARANKAU MIKALAI , KATZ ARJE
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1) zum Haltern eines Lichtwellenleiters (20) mit einem hohlen Kern umfassend: eine Halterung (100) zum kraftschlüssigen Halten des Lichtwellenleiters (20), und eine weitere Halterung (300) zum kraftschlüssigen Halten des Lichtwellenleiters (20), wobei zumindest die eine Halterung (100) ein Basiselement (130) und eine relativ zu dem Basiselement (130) bewegbare Klemmvorrichtung (150) zum Ausbilden der kraftschlüssigen Verbindung mit dem Lichtwellenleiter (20) sowie ein Spannelement (200) umfasst, mit dem die Klemmvorrichtung (150) gegenüber dem Basiselement (130) verlagerbar ist.
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62.发明专利
公开(公告)号：DE102009046881B4
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：DE102009046881
申请日：2009-11-19
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： KÜHN SILVIO DIPL ING , GESCHE ROLAND DR , PORTEANU HORIA-EUGEN
Abstract: Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas, umfassend: – eine Wechselspannungsquelle (10); – einen Wanderwellenresonator (18); und – Kopplungsmittel (16), die dazu ausgelegt sind, die von der Wechselspannungsquelle (10) erzeugte Wechselspannung in den Wanderwellenresonator (18) derart einzukoppeln, dass elektromagnetische Wanderwellen entstehen, wobei der Wanderwellenresonator (18) dazu ausgelegt ist, die elektrische Feldstärke der elektromagnetischen Wanderwellen derart zu überhöhen, dass in einem Bereich des Wanderwellenresonators (18) in einem Gas ein Plasma gezündet wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Bereich des Wanderwellenresonators (18), in dem das Plasma gezündet wird, derart angeordnet ist, dass das Plasma nach außen hin für eine Plasmabehandlung zugänglich ist.
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公开(公告)号：DE102014203479B3
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：DE102014203479
申请日：2014-02-26
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： EPPICH BERND
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Lichtleitvorrichtung (60). Die Lichtleitvorrichtung (60) umfasst k > 1 erste zueinander parallele Umlenkvorrichtungen (U11, U21, U31, Sp1, Sp3), die entlang einer ersten Richtung (X) angeordnet sind, und k zweite zueinander parallele Umlenkvorrichtungen (U12, U22, U32, Sp2, Sp4), die entlang einer zur ersten Richtung senkrechten zweiten Richtung (Y) angeordnet sind. Eine dritte Richtung (Z) ist zur ersten und zweiten Richtung (X, Y) senkrecht. Jede der zweiten Umlenkvorrichtungen (U12, U22, U32, Sp2, Sp4) ist bezüglich einer der ersten Umlenkvorrichtungen (U11, U21, U31, Sp1, Sp3) in einer selben vierten Richtung (P) angeordnet. Die ersten Umlenkvorrichtungen (U11, U21, U31, Sp1, Sp3) weisen in eine fünfte Richtung gerichtete optische Achsen auf und die zweiten Umlenkvorrichtungen (U12, U22, U32, Sp2, Sp4) weisen entgegengesetzt zur fünften Richtung gerichtete optische Achsen auf. Die fünfte Richtung ist Winkelhalbierende eines Winkels zwischen der dritten und der vierten Richtung.
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公开(公告)号：DE102012223986B4
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：DE102012223986
申请日：2012-12-20
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： WEYERS MARKUS , KNEISSL MICHAEL , KÜLLER VIOLA , EINFELDT SVEN , KNAUER ARNE
Abstract: Template (10) für laterales Überwachsen mindestens einer Gruppe III-Nitrid-basierten Schicht entlang einer ersten Richtung (X), wobei das Template (10) zumindest in einem Teilbereich durch Vertiefungen (20, 21, 22, 23, 24, 25) strukturiert ist, die sich in die erste Richtung erstrecken und durch annähernd parallele Stege (30, 31, 32) getrennt sind, die sich hauptsächlich in der ersten Richtung (X) erstrecken und in einer zu der ersten Richtung (X) senkrechten zweiten Richtung (Y) hintereinander angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass der strukturierte Teilbereich Verbindungsstege (41, 43, 44) aufweist, die die parallelen Stege (30, 31, 32) so miteinander verbinden, dass die Vertiefungen vollständig durch Stege eingeschlossen sind.
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公开(公告)号：DE102013211769A1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：DE102013211769
申请日：2013-06-21
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： DROPKA NATASCHA , FRANK-ROTSCH CHRISTIANE , LANGE RALPH-PETER , KRAUSE PETRA
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Kristallisationsanlage zur Herstellung von Kristallen durch gerichtete Erstarrung aus elektrisch leitenden Schmelzen, umfassend: i. mindestens einen Tiegel (10) zur Aufnahme der Schmelze; ii. ein Heizer-Magnet-Modul (20), mit ein oder mehreren Spulen (21) und dazugehörigen elektrischen Zuleitungen (200), wobei jedem Tiegel ein Heizer-Magnet-Modul zugeordnet ist; und iii. eine Steuer- und Stromversorgungseinheit für das Heizer-Magnet-Modul (20). Das dem jeweiligen Tiegel zugeordnete Heizer-Magnet-Modul (20) ist derart angeordnet und elektrisch angesteuert ist, dass ein Lorentzkraftdichtefeld (40) erzeugbar ist, welches derart gerichtet ist, dass die resultierende Kraftwirkung, relativ zu einer geometrischen Mittelachse (50) des Tiegels (10), entgegen der Wachstumsrichtung nach außen oder parallel wirkt. Ein weiterer Aspekt der Erfindung bildet ein Verfahren unter Verwendung erfindungsgemäßer Kristallisationsanlage, sowie einen Ingot, der mittels Verfahren und/oder Kristallisationsanlage herstellbar ist.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102009027436B4
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：DE102009027436
申请日：2009-07-02
Applicant: CALISOLAR GMBH , FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： CZUPALLA MATTHIAS DIPL ING , KIESSLING FRANK-MICHAEL DR , KLEIN OLAF DR , LANGE RALPH-PETER , LUX BERND , MILLER WOLFRAM DIPL PHYS , RUDOLPH PETER PROF DR , ZIEM MARIO DIPL ING , KIRSCHT FRITZ DR
Abstract: Verfahren zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, die in der Diamant- oder Zinkblendestruktur kristallisieren, wobei ein in -Ziehrichtung orientierter Kristallkeim in die Schmelze (3) eingebracht wird, die in einem Tiegel (2) enthaltene Schmelze (3) beheizt, parallel zur Ziehrichtung Facettenwachstum der {110}-Flächen mit einer Facettenbreite d ausgelöst und der wachsende Kristall (1) aus der Schmelze (3) gezogen wird, wobei eine Querschnittsfläche des gezogenen Kristalls (1) senkrecht zur Ziehrichtung eine quadratische Form aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass radiale Temperaturgradienten unterhalb 10 K/cm erzeugt werden, indem mindestens zwei in vorgebbarer Richtung laufende magnetische Wanderfelder erzeugt und diese auf die Schmelze (3) zur Einwirkung gebracht werden, wobei (i) die Beheizung der Schmelze (3) und die Erzeugung der magnetischen Wanderfelder durch mindestens zwei kombinierte Heizer-Magnetfeld-Anordnungen (4, 6) ausgeführt wird, wobei die Beheizung und Erzeugung der mindestens zwei magnetischen Wanderfelder über eine Steuerung der Parameter Phasenwinkel, Frequenz und/oder Stromstärke eines eingespeisten Wechselstromes und/oder Gleichstromes ausgeführt wird; oder (ii) die Beheizung der Schmelze (3) und die Erzeugung der mindestens zwei magnetischen Wanderfelder voneinander getrennt mittels Heizeinrichtungen (13, 14) und mittels Magnetfeld-Anordnungen (4, 6) ausgeführt wird.
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公开(公告)号：DE102011075103B4
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：DE102011075103
申请日：2011-05-02
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： WEYERS MARKUS , KNIGGE ANDREA DR , WUERFL HANS-JOACHIM
IPC: H01L31/10 , H01L31/108 , H01L31/109
Abstract: Photodetektor, aufweisend: ein Trägersubstrat (10); eine Absorberschicht (12) aus einem ersten halbleitenden Material; eine erste Elektrodenstruktur (14) mit einer Vielzahl von Fingern (18), eine zweite Elektrodenstruktur (20) mit einer Vielzahl von Fingern (24), wobei die Finger (18) der ersten Elektrodenstruktur (14) und die Finger (24) der zweiten Elektrodenstruktur (20) berührungslos ineinander greifen, einen ersten Kontakt (26) und einen zweiten Kontakt (28), wobei der erste Kontakt (26) vom zweiten Kontakt (28) beabstandet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Finger (18) der ersten Elektrodenstruktur (14) und die Finger (24) der zweiten Elektrodenstruktur (20) eine Deckschicht (30) aus einem zweiten halbleitenden Material aufweisen, wobei die Deckschicht (30) auf der Absorberschicht (12) angeordnet ist und die Absorberschicht (12) im Bereich der Finger (18, 24) direkt kontaktiert, und das erste halbleitende Material und das zweite halbleitende Material derart ausgebildet sind, dass sich an der Grenzschicht zwischen der Absorberschicht (12) und der Deckschicht (30) im Bereich der Finger (18, 24) ein zweidimensionales Elektronengas ausbildet.
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68.发明专利
公开(公告)号：ES2449699T3
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：ES10801372
申请日：2010-11-23
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： RIEMANN HELGE , ABROSIMOV NIKOLAI V , FISCHER JOERG , RENNER MATTHIAS
Abstract: Procedimiento para la fabricación de monocristales a partir de material semiconductor con las propiedades delmaterial de un monocristal extaído por zonas, en el que el monocristal es generado en un cristal de vacunación apartir de la colada, que se encuentra como mar de colada sobre un montón que está constituido por materialsemiconductor granulado, que es extraído hacia arriba a través de un inductor plano (llamado inductor de Pancace),atravesado por una corriente HF, que presenta un arrollamiento y una ranura como alimentación de corriente, através del orificio central de este inductor plano, caracterizado por que el material semiconductor granulado (2) seencuentra en un recipiente (1) permeable para campos magnéticos de alta frecuencia, cuya pared no entra encontacto con el mar de colada (7) y en la superficie de este montón (2) se genera a través del acoplamiento depotencia térmica del inductor plano (4) dispuesto por encima del recipiente (1) así como a través de la actuacióntérmica de al menos otro inductor (8, 9), que está dispuesto fuera del recipiente (1), un campo de temperatura, quegarantiza la aparición de un mar de colada (7) abierto y suficientemente profundo en la superficie del montón (2) degrano grueso, que está incrustado en material semiconductor (2) no fundido.
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公开(公告)号：DK2504470T3
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：DK10801372
申请日：2010-11-23
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： RIEMANN HELGE , ABROSIMOV NIKOLAI V , FISCHER JOERG , RENNER MATTHIAS
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公开(公告)号：DE102010040767B4
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：DE102010040767
申请日：2010-09-14
Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Inventor： CRUMP PAUL DIPL PHYS , ERBERT GOETZ DIPL PHYS , WENZEL HANS DIPL PHYS
Abstract: Laserdiode mit hoher Augensicherheit umfassend ein optoelektronisches Halbleiterbauelement, aufweisend: eine aktive Schicht (10), die zur Strahlungserzeugung geeignet ist, eine erste Wellenleiterschicht (12), die auf einer ersten Seite der aktiven Schicht (10) angeordnet ist, eine erste Mantelschicht (14), die auf der ersten Wellenleiterschicht (12) angeordnet ist, eine zweite Wellenleiterschicht (16), die auf einer zweiten Seite der aktiven Schicht (10) angeordnet ist, und eine zweite Mantelschicht (18), die auf der zweiten Wellenleiterschicht (16) angeordnet ist, wobei sich die erste Seite und die zweite Seite in Bezug auf die aktive Schicht (10) gegenüberliegen, wobei eine Reflexionsfacette (20) zur Reflexion der von der aktiven Schicht (10) emittierten Strahlung und eine Austrittsfacette (22) zur Reflexion und Auskopplung der von der aktiven Schicht (10) emittierten Strahlung vorgesehen sind, wobei die Reflexionsfacette (20) und die Austrittsfacette (22) jeweils im Randbereich der aktiven Schicht (10) angeordnet sind und wobei sich die Reflexionsfacette (20) und die Austrittsfacette (22) in Bezug auf die aktive Schicht (10) gegenüberliegen, wobei die aktive Schicht (10), die erste Mantelschicht (14), die erste Wellenleiterschicht (12), die zweite Wellenleiterschicht (16) und die zweite Mantelschicht (18) derart ausgebildet sind, dass die Bedingungen 0,01 μm ≤ dwL ≤ 1,0 μm und &Dgr;n ≥ 0,04 erfüllt sind, wobei dwL die Summe der Schichtdicke der ersten Wellenleiterschicht (12), der Schichtdicke der aktiven Schicht (10) und der Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) ist, und &Dgr;n ein Maximum der Brechzahldifferenz zwischen der ersten Wellenleiterschicht (12) und der ersten Mantelschicht (14) und der Brechzahldifferenz zwischen der zweiten Wellenleiterschicht (16) und der zweiten Mantelschicht (18) ist, und das Halbleiterbauelement einen Rippenwellenleiter (24) mit einem effektiven Indexsprung &Dgr;neff > 0,06 aufweist, so dass die Fernfelddivergenz, in der 95% der Strahlungsenergie eingeschlossen sind, entlang einer vertikalen Richtung und/oder entlang einer lateralen Richtung mehr als 70° beträgt.
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