公开(公告)号：WO2012150177A3

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：PCT/EP2012057665

申请日：2012-04-26

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV ,  KNIGGE ANDREA ,  WEYERS MARKUS ,  WUERFL HANS-JOACHIM

Inventor： KNIGGE ANDREA ,  WEYERS MARKUS ,  WUERFL HANS-JOACHIM

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: The aim of the invention is to specify a UV photodetector that has high sensitivity and a low dark current. According to the invention, the fingers (18) of the first electrode structure (14) and the fingers (24) of the second electrode structure (20) are formed by a cover layer (30) made of a second semiconducting material, wherein the cover layer (30) is arranged on the absorber layer (12) and directly contacts the absorber layer (12) in the region of the fingers (18, 24), and the first semiconducting material and the second semiconducting material are designed in such a way that a two-dimensional electron gas (2DEG) is formed at the boundary layer between the absorber layer (12) and the cover layer (30) in the region of the fingers (18, 24). The design of the fingers (18, 24) of the cover layer (30) can be achieved by the removal of the 2DEG in the region between the fingers by etching. Alternatively, electron mobility at the boundary layer between the cover layer (30) and the absorber layer (12) outside of the regions forming the fingers (18, 24) can be sufficiently reduced by ion implantation.

Abstract translation: 本发明提供一种具有高灵敏度和低暗电流UV光电探测器的一个目的。 所述第一电极结构的所述指状物（18）（14）和第二半导电材料。根据本发明的覆盖层（30）的所述第二电极结构（20）的指状物（24），所述吸收体层上的覆盖层（30）（12） 布置并在手指（18，24）直接接触，并且所述第一半导体材料和第二半导体材料的区域中的吸收层（12）被构造成使得（在吸收器层（12）和顶层之间的边界层30 ）在手指（区域18,24）的二维电子气（2DEG）形成。 所述覆盖层（30）的指状物（18，24）的形成可以发生在手指之间的区域中，通过蚀刻，通过去除2DEG。 可替换地，电子迁移率可以是在形成覆盖层（30）和吸收层（12）之间的界面，通过离子注入充分降低部手指（18，24）的外侧。

公开(公告)号：DE102011075103B4

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102011075103

申请日：2011-05-02

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： WEYERS MARKUS ,  KNIGGE ANDREA DR ,  WUERFL HANS-JOACHIM

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/108 ,  H01L31/109

Abstract: Photodetektor, aufweisend: ein Trägersubstrat (10); eine Absorberschicht (12) aus einem ersten halbleitenden Material; eine erste Elektrodenstruktur (14) mit einer Vielzahl von Fingern (18), eine zweite Elektrodenstruktur (20) mit einer Vielzahl von Fingern (24), wobei die Finger (18) der ersten Elektrodenstruktur (14) und die Finger (24) der zweiten Elektrodenstruktur (20) berührungslos ineinander greifen, einen ersten Kontakt (26) und einen zweiten Kontakt (28), wobei der erste Kontakt (26) vom zweiten Kontakt (28) beabstandet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Finger (18) der ersten Elektrodenstruktur (14) und die Finger (24) der zweiten Elektrodenstruktur (20) eine Deckschicht (30) aus einem zweiten halbleitenden Material aufweisen, wobei die Deckschicht (30) auf der Absorberschicht (12) angeordnet ist und die Absorberschicht (12) im Bereich der Finger (18, 24) direkt kontaktiert, und das erste halbleitende Material und das zweite halbleitende Material derart ausgebildet sind, dass sich an der Grenzschicht zwischen der Absorberschicht (12) und der Deckschicht (30) im Bereich der Finger (18, 24) ein zweidimensionales Elektronengas ausbildet.

公开(公告)号：DE102011004080A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：DE102011004080

申请日：2011-02-14

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： WUERFL HANS-JOACHIM ,  HILT OLIVER DR ,  WEYERS MARKUS ,  BRUNNER FRANK DR ,  BAHAT-TREIDEL ELDAD ,  CHO EUNJUNG DR

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L29/205

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Heterostruktur-Feldeffekttransistor (HFET) mit einem Substrat (201), einer auf dem Substrat (201) angeordneten Nukleationsschicht (202), einer auf der Nukleationsschicht (202) angeordneten kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203), einer auf der kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203) angeordneten ersten AlGaN-Schicht (204) und auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Source-Elektrode (205), einer auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Drain-Elektrode (206) und einer zwischen der Source-Elektrode (205) und der Drain-Elektrode (206) auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Gate-Elektrode (207). Erfindungsgemäß ist zwischen der kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203) und der ersten AlGaN-Schicht (204) eine unintentionally-doped GaN-Schicht vorgesehen. Ein zweiter Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines solchen HFETs.

公开(公告)号：DE102012207501A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：DE102012207501

申请日：2012-05-07

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： HILT OLIVER ,  ZHYTNYTSKA RIMMA ,  WUERFL HANS-JOACHIM

IPC: H01L23/62 ,  H01L23/60 ,  H01L29/68 ,  H01L29/861

Abstract: Die Erfindung ist mit einer Halbleiterschichtenstruktur befasst. Die beschriebene Halbleiterschichtenstruktur umfasst ein Substrat (109) und einer auf dem Substrat (109) aufgebrachten Pufferschicht (107). Die beschriebene Halbleiterschichtenstruktur ist dadurch gekennzeichnet, dass durch eine Stärke der Pufferschicht (107) und/oder durch eine Ionenimplantation des Substrats (109) eine Ableitspannungsschwelle festgelegt ist, die eine Spannung zwischen einer durch die Pufferschicht (107) vom Substrat (109) getrennten Ladung und einem Potenzial des Substrats (109) überschreiten muss, damit die Ladung durch die Pufferschicht (107) zum Substrat (109) hin abfließen kann. Die beschriebene Halbleiterschichtenstruktur ermöglicht eine Ableitung induktiv induzierter Ströme in sperrenden aktiven Strukturen ohne Schädigung der aktiven Strukturen.

公开(公告)号：DE102011075103A8

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102011075103

申请日：2011-05-02

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： WEYERS MARKUS ,  KNIGGE ANDREA DR ,  WUERFL HANS-JOACHIM

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/108 ,  H01L31/109