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公开(公告)号：KR101766588B1
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：KR1020160083693
申请日：2016-07-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/00 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/36 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명은수직형발광다이오드소자, 및이의제조방법을제공한다. 상기수직형발광다이오드소자는, p 전극으로동작하는도전성기판; 상기도전성기판상에배치된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치되는활성층; 상기활성층상에배치되는 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층상에배치되는 n 전극패턴; 상기 n형 GaN층에형성된복수의홀들을채우는금속산화물구조체; 및상기홀들의하부면에배치되어상기금속산화물구조체의결정성장의씨앗으로동작하는씨앗층을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种垂直型发光二极管器件及其制造方法。 垂直发光二极管器件包括：作为p电极操作的导电衬底; 设置在导电基板上的p型GaN层; 设置在p型GaN层上的有源层; 设置在有源层上的n型GaN层; 设置在n型GaN层上的n电极图案; 填充形成在n型GaN层中的多个孔的金属氧化物结构; 以及设置在孔的下表面上并且用作用于金属氧化物结构的晶体生长的晶种的晶种层。
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公开(公告)号：KR101763072B1
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020160071679
申请日：2016-06-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/0008 , H01L33/02 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명은 GaN 발광다이오드소자를제공한다. 이 GaN 발광다이오드소자는기판; 상기기판상에적층된 n형 GaN 층; 상기 n형 GaN 층상에적층된활성층; 상기활성층에적층된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에적층된투명전도성금속산화물을포함하는전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에서로이격되어배치된복수의상부전류주입전극들; 상기상부전류주입전극들을덮도록연장되는상부전극패턴; 및상기상부전극패턴과전기적으로연결하는상부전극패드를포함한다. 상기상부전극패턴은차례로적층된제1 상부전극패턴및 제2 상부전극패턴을포함하고, 상기제1 상부전극패턴은은(Ag) 또는은 합금박막이고, 상기제2 상부전극패턴은투명전도성금속산화물박막을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170051945A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150153682
申请日：2015-11-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/36 , H01L33/00 , H01L21/324
Abstract: 전극구조물은반도체층및 상기반도체층상에형성되며, 금속패턴들사이로정의되는메쉬형상을가지며, 상기금속패턴들을이루는금속물질의응집현상을통하여상기금속패턴들각각의내부에구비된광투과윈도우를포함하는금속전극을포함한다. 이로써, 광투과효율및 오믹콘택특성이개선될수 있다.
Abstract translation: 电极结构是在所述金属图案的内部，通过所述金属图案的金属材料的团聚分别一个透光窗具有网格形状，其在形成于所述半导体层和所述半导体层，所述金属图案上之间限定 还有一个金属电极。 结果，可以提高光传输效率和欧姆接触特性。
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公开(公告)号：KR101725783B1
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020160091166
申请日：2016-07-19
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/30 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명의일 실시예에따른발광다이오드소자는도전성기판; 상기도전성기판상에배치된금속반사층; 상기금속반사층상에배치된투명절연층; 상기투명절연층에형성된복수의관통홀의하부에배치된 n 오믹콘택플러그; 상기관통홀의상부에배치된 n형갈륨아세나이드(GaAs) 플러그; 상기투명절연층상에배치된 n 클래딩층; 상기 n 클래딩층 상에배치된활성층; 상기활성층상에배치된 p 클래딩층; 상기 p 클래딩층 상에배치된 p형 GaP 창문층; 상기 p형 GaP 창문층상에배치된 p 오믹콘택패턴; 상기 p 오믹콘택층상에배치된투명전도성금속산화막패턴; 및상기투명전도성금속산화막상에배치된 p 전극패드를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的发光二极管器件包括导电衬底; 设置在导电基板上的金属反射层; 设置在金属反射层上的透明绝缘层; 设置在透明绝缘层中形成的多个通孔下方的n欧姆接触插塞; 设置在通孔上部的n型砷化镓（GaAs）插塞; 设置在透明绝缘层上的n覆层; 设置在n-覆层上的有源层; 设置在有源层上的p-覆盖层; p型GaP窗口层，设置在p型包层上; 设置在p型GaP窗口层上的p欧姆接触图案; 设置在p欧姆接触层上的透明导电金属氧化物膜图案; 以及设置在透明导电金属氧化物膜上的p电极焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101172476B1
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：KR1020090136086
申请日：2009-12-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/302 , H01L21/027
Abstract: 본 발명은 전기방사법을 이용한 기판의 패턴구조 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전기방사(electrospinning)법을 사용하여 형틀층을 만든 후 추가 에칭 또는 증착 방법을 사용함으로써 기판에 패턴구조를 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 전기방사법을 이용한 기판의 패턴구조 형성방법에 따르면, 마스크 및 스탬프 제작 없이 전기방사만 실시하기 때문에 기존 방식에 비해 공정수를 감소시킬 수 있고, 공정비용도 줄일 수 있다. 또한, 비교적 표면상태가 거칠고 굴곡이 있는 물질층의 경우에도 손쉽게 패턴 구조를 형성할 수 있도록 하며, 기판 자체를 움직여주는 무빙 스테이지(moving stage)의 각 방향에 대한 속도 조절만으로 패턴 사이 간격을 쉽게 조절할 수 있고, 이를 매뉴얼화함으로써 더욱 복잡한 패턴의 형성도 가능하게 되는 효과가 있다.
전기방사법, 나노파이버, 패턴구조, 나노 아일랜드 구조, 반도체소자, 에칭-
公开(公告)号：KR101011108B1
公开(公告)日：2011-01-25
申请号：KR1020090023328
申请日：2009-03-19
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 제조방법은 기판 상에 N형 클래드층, 활성층 및 P형 클래드층을 순차적으로 형성하는 구조형성단계; 상기 P형 클래드층의 상면이 요철 구조가 되도록 패터닝하는 패터닝단계; 및 상기 패터닝된 P형 클래드층 상면에 금속나노입자층을 형성하는 금속층형성단계를 포함하며, 상기 금속층형성단계는 상기 패터닝된 P형 클래드층의 요철 구조 중 오목부에만 선택적으로 금속나노입자층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 따라 제조되는 발광소자는 P형 클래드층의 요철 구조 중 상기 활성층에 인접한 오목부 영역에만 금속나노입자층을 선택적으로 형성시킴으로써, 표면 플라즈몬과 빛의 공명 내지 결합 효과를 더욱 개선된 형태로 발생시킬 수 있음은 물론, 이와 함께 빛이 금속층에 구속되어 방출되지 못하는 문제점을 동시에 해소할 수 있어, 더욱 높은 효율의 발광소자를 실현할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100990645B1
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020080127336
申请日：2008-12-15
Applicant: 삼성엘이디 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 고결정질을 가지는 질화물 단결정의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 희생층 상에 질화물 단결정 씨드를 형성하고, 상기 질화물 단결정 씨드를 중심으로 질화물 단결정을 성장시키는 것을 특징으로 한다. 이로 인하여, 고결정질의 질화물 단결정의 성장이 가능하고, 성장용 기판의 제거시 습식 식각 방법을 이용할 수 있어, 발광 효율이 우수한 반도체 발광 소자를 제조할 수 있다.
질화물 단결정 씨드, 희생층, 습식 식각, 반도체 발광 소자.-
公开(公告)号：KR100886110B1
公开(公告)日：2009-02-27
申请号：KR1020070108604
申请日：2007-10-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Inventor： 성태연
IPC: H01L33/02
Abstract: 반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자용 지지기판은 광학적으로 투명하며 전기적으로 부도체의 물질로 선택된 선택지지기판; 상기 선택지지기판 상부에 형성되며, GaN, InGaN, AlGaN, ZnO, InN, In
2 O
3 , ITO, BeMgO, MgZnO, SiO
2 , Si
3 N
4 중 적어도 하나 이상을 포함하는 질소 또는 산소와 결합된 단결정, 다결정 또는 비정질상의 물질로 이루어지거나 Si 단결정, 다결정, 또는 비정질상 물질로 이루어진 희생층; 상기 희생층의 상부에 형성되며, 열 및 전기 전도체로 이루어진 히트 씽크층; 및 상기 히트 씽크층의 상부에 형성되며, 브레이징 금속을 포함하는 재질로 이루어진 본딩층을 구비하여 이루어진다.
본 발명에 따른 반도체 발광소자용 지지기판을 이용하여 수직구조의 반도체 발광소자를 제조하면, 최초 성장기판으로부터 분리(Lift-Off)된 반도체 단결정 다층구조체의 손상을 줄일 수 있어서, 전체적인 성능이 향상된 수직구조의 그룹 3-5족 질화물계 반도체 발광소자를 제공할 수 있게 된다.
삭제Abstract translation: 公开了一种用于半导体发光器件的支撑基板和用于制造使用该支撑基板的垂直半导体发光器件的方法。 根据本发明的用于半导体发光器件的支撑衬底包括选自光学透明和不导电材料的选择性支撑衬底; 以及形成在选择的支撑衬底上的上电极，上电极由GaN，InGaN，AlGaN，ZnO，InN，In
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公开(公告)号：KR100755591B1
公开(公告)日：2007-09-06
申请号：KR1020060056373
申请日：2006-06-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 삼성전기주식회사
Abstract: A method for fabricating a nitride based light emitting device is provided to improve an external luminous efficiency by forming plural protrusions on a surface of an electrode in nano scale. A nitride based light emitting layer comprising an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer is formed on a substrate. A transparent conductive layer having a light transmitting rate of 85 % or more is formed on the nitride based light emitting layer. Wet etching is performed on a surface of the transparent conductive layer to form plural protrusions having a diameter of 250 to 1000 nm, and then is subjected to an annealing process to crystallize the bosses.
Abstract translation: 提供一种用于制造氮化物基发光器件的方法，以通过在纳米尺度的电极表面上形成多个突起来提高外部发光效率。 在基板上形成由n型半导体层和p型半导体层构成的氮化物系发光层。 在氮化物系发光层上形成透光率为85％以上的透明导电层。 在透明导电层的表面上进行湿蚀刻，形成直径为250〜1000nm的多个突起，然后进行退火处理，使凸台结晶化。
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