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公开(公告)号：KR20180003916A
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：KR20160083698
申请日：2016-07-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 본발명은수평형발광다이오드소자및 그제조방법을제공한다. 이수평형발광다이오드소자는기판; 상기기판상에배치된 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층상에배치된활성층; 상기활성층상에배치되고, 복수의홀들이형성된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치된전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에배치된 p 전극; 상기홀들의하부면에배치된씨앗층; 상기씨앗층상에서결정상태로성장되고상기복수의홀들을채우는금속산화물구조체들; 및상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기활성층, 및상기 n형 GaN층의일부를제거하여노출된 n형 GaN층상에배치되는 n 전극;을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种侧向发光二极管器件及其制造方法。 横向发光二极管器件包括衬底; 设置在基板上的n型GaN层; 设置在n型GaN层上的活化层; 设置在激活层上的p型GaN层，在p型GaN层中形成多个孔; 设置在p型GaN层上的电流扩展层; 设置在电流扩展层上的p电极; 布置在所述多个孔的底表面上的种子层; 金属氧化物结构，以结晶状态生长在晶种层上以填充多个孔; 以及设置在通过去除电流扩展层，p型GaN层，激活层和n型GaN层的部分而暴露的n型GaN层上的n电极。
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公开(公告)号：KR101933761B1
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：KR1020160083698
申请日：2016-07-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 수평형 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 수평형 발광다이오드 소자는 기판; 상기 기판 상에 배치된 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층 상에 배치되고, 복수의 홀들이 형성된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층 상에 배치된 전류 퍼짐층; 상기 전류 퍼짐층 상에 배치된 p 전극; 상기 홀들의 하부면에 배치된 씨앗층; 상기 씨앗층 상에서 결정 상태로 성장되고 상기 복수의 홀들을 채우는 금속산화물 구조체들; 및 상기 전류 퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기 활성층, 및 상기 n형 GaN층의 일부를 제거하여 노출된 n형 GaN층 상에 배치되는 n 전극;을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101766588B1
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：KR1020160083693
申请日：2016-07-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/00 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/36 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명은수직형발광다이오드소자, 및이의제조방법을제공한다. 상기수직형발광다이오드소자는, p 전극으로동작하는도전성기판; 상기도전성기판상에배치된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치되는활성층; 상기활성층상에배치되는 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층상에배치되는 n 전극패턴; 상기 n형 GaN층에형성된복수의홀들을채우는금속산화물구조체; 및상기홀들의하부면에배치되어상기금속산화물구조체의결정성장의씨앗으로동작하는씨앗층을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种垂直型发光二极管器件及其制造方法。 垂直发光二极管器件包括：作为p电极操作的导电衬底; 设置在导电基板上的p型GaN层; 设置在p型GaN层上的有源层; 设置在有源层上的n型GaN层; 设置在n型GaN层上的n电极图案; 填充形成在n型GaN层中的多个孔的金属氧化物结构; 以及设置在孔的下表面上并且用作用于金属氧化物结构的晶体生长的晶种的晶种层。
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