公开(公告)号：KR100242792B1

公开(公告)日：2000-03-02

申请号：KR1019970023758

申请日：1997-06-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태송 ,  정형진 ,  정종학

IPC: G01N27/14

Abstract: 본 발명은, 히터의 노출에 따른 에너지 낭비를 막고 측정 부위의 가스 흐름이나 외부 조건에 의존하여 감지막에 전달되는 온도를 일정하게 조절하여 센싱 특성을 안정화시킨 반도체식 가스 센서를 제공하기 위하여, 박막증착용 알루미나 기판 앞면에 소정의 패턴으로 형성되는 백금 박막 전극과; 상기 전극이 형성된 기판의 앞면에 증착되는 NO
x 가스 감지용 산화텅스텐 박막과; 상기 알루미나 기판 뒷면에 형성되어 상기 감지막 부위의 온도를 일정하게 유지하기 위한 히터와; 상기 알루미나 기판의 뒷면에 형성되는, 상기 히터를 완전히 매몰시켜 상기 히터를 외부에 대하여 방열하기 위한, 알루미나, 뮬라이트, 코디에라이트, 마그네시아 및 지르코니아로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 재료로 만들어지는 쉬트;를 포함하는 센싱 특성이 안정화된 반도체식 판상 가스 센서 및 알루미나봉과; 상기 알루미나봉위에 형성되는 히터와; 상기 알루미나봉위에 감겨지는, 상기 히터를 완전히 매몰시켜 상기 히터를 외부에 대하여 방열하기 위한, 알루미나, 뮬라이트, 코디에라이트, 마그네시아 및 지르코니아로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 재료로 만들어지는 쉬트와; 상기 쉬트위에 소정의 패턴으로 형성되는 백금 박막 전극과; 상기 전극위에 증착되는 NO
x 가스 감지용 산화텅스텐 박막;을 포함하는 센싱 특성이 안정화된 반도체식 봉상 가스 센서 및 그의 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020000002283A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980022956

申请日：1998-06-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 윤영수 ,  정형진 ,  최원국 ,  신영화

IPC: H01M6/46

Abstract: PURPOSE: A thin film battery manufacturing method is provided to improve the performance of the thin film battery such as the current density, the total current storing density, the charging speed and so forth. CONSTITUTION: The thin film battery manufacturing method comprises the steps of: forming a trench on a substrate; evaporating a lower collector on the trench; evaporating a cathode and an electrolyte film on the lower collector; evaporating an anode; evaporating an upper collector regardless of the flatting process or doing it after performing the encapsulation process; and connecting the cathode with the upper collector by performing the photolithography process.

Abstract translation: 目的：提供薄膜电池制造方法，以提高薄膜电池的性能，如电流密度，总电流存储密度，充电速度等。 构成：薄膜电池制造方法包括以下步骤：在基板上形成沟槽; 在沟槽上蒸发下集电极; 在下集电器上蒸发阴极和电解质膜; 蒸发阳极; 无论平整过程如何蒸发上集电器，或在执行封装工艺后进行; 并通过执行光刻工艺将阴极与上部集电体连接。

公开(公告)号：KR100233999B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019960017011

申请日：1996-05-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태송 ,  김동주 ,  이전국 ,  정형진

IPC: H01L27/04

Abstract: 본 발명에 의한 Pb(Zr
1-X Ti
X )O
3 강유전 박막 제조방법은, 스퍼터링법이나 레이저 에블레이션법을 이용한 Pb(Zr
1-X Ti
X )O
3 강유전 박막 제조방법에 있어서, 상기 강유전 박막 제조시 이용되는 증착조건 중, 타겟 성분의 Pb량(또는 PbO량)을, 증착된 박막의 조성이 20-60% 범위의 과량의 PbO 성분이 함유되도록 조절하거나, 혹은 그 증착압력을 5-100mTorr로 조절하여, 상기 Pb(Zr
1-X Ti
X )O
3 강유전 박막을 저온증착하도록 이루어져, 1) 씨앗층을 도입하지 않고서도 기존의 경우보다 낮은 온도에서 우수한 결정성을 갖는 Pb(Zr
1-X Ti
X )O
3 강유전 박막을 제조할 수 있고, 2) 고온증착시 발생되는 박막 조성 조절의 어려움이나 상기 박막을 사용하여 제조한 강유전 기억소자의 스위칭 특성 저하 등과 같은 현상을 제거할 수 있으며, 3) Pb(Zr
1-X Ti
X )O
3 강유전 박막의 피로 특성을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 Pb(Zr
1-X Ti
X )O
3 강유전 박막을 구현할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019980085087A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019970021045

申请日：1997-05-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김현재 ,  정형진 ,  윤석진 ,  최지원 ,  세르게이쿠케이코

IPC: H01B3/12

Abstract: 하기 화학식 1로 나타내어지는 조성을 갖는 고주파용 유전체 조성물이 제공된다.
[화학식 1]
(Pb
(1-x) Ca
x )[(Fe
0.5 Nb
0.5 )
(1-y) Sn
y ]O
3
(상기 식 중, x 및 y의 범위는 각각 0.4≤x≤0.62 및 0.05≤y≤0.1이다.)

公开(公告)号：KR1019980014361A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960033310

申请日：1996-08-10

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  엘지전자부품 주식회사

Inventor： 김현재 ,  정형진 ,  최지원 ,  세르게이아이쿠치코

IPC: C04B35/462

Abstract: 본 발명은 유전율이 40 이상으로 크면서도 유전 손실이 적고, 공진 주파수의 온도 계수를 조절할 수 있는 고주파용 유전체 자기 조성물로써, x의 범위가 0.3≤x≤0.5이며. (1-x)CaTiO
3 -xCa(Al
1/2 Ta
1/2 )O
3 의 식으로 나타내어지는 고주파용 유전체 자기 조성물을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019980012100A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960028713

申请日：1996-07-16

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태송 ,  정형진 ,  김도경 ,  김윤창

IPC: H01L21/324

公开(公告)号：KR100114772B1

公开(公告)日：1997-04-29

申请号：KR1019960050579

申请日：1996-10-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  김현재 ,  김경용 ,  윤석진 ,  윤상옥 ,  나까무라데쯔오 ,  이또미찌루

IPC: C04B35/465

公开(公告)号：KR1019970015536A

公开(公告)日：1997-04-28

申请号：KR1019950029386

申请日：1995-09-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김현재 ,  정형진 ,  윤석진 ,  여동훈

IPC: C04B35/465

Abstract: 본 발명은 높은 품질 계수의 유전율을 가지며 공진 주파수의 온도 계수가 안정한 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것으로서, 이 조성물은 (1-x)CaTiO
3 -xLaAlO
3 (0.3≤x≤0.8)으로 표시되는 조성식을 갖는다. 본 발명에 의해 제조된 유전체 조성물은 유전율이 25.5 내지 45.2이고, Q·F
0 (GH
Z )가 22310 내지 101210이며 공진 주파수의 온도 계수가 9.2 내지 -61.55ppm/℃로서, CaTiO와 LaA1O
3 의 조성비를 조절함으로써 공진 주파수의 온도 계수의 조정이 용이하여 고주파 유전체 공진기 소재로 응용이 적합하다.

公开(公告)号：KR1019970001060B1

公开(公告)日：1997-01-25

申请号：KR1019960052597

申请日：1996-11-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  김현재 ,  김경용 ,  윤석진 ,  윤상옥 ,  나까무라데쯔로우 ,  이또오미쯔루 ,  손정호

IPC: C04B35/465

Abstract: Dielectric ceramic composition for high-frequency wave is described which has high quality coefficient(Q value) and dielectric constant, and good temperature coefficient of resonance frequency. The dielectric ceramic composition may be represented as following formula: (1-y)CaTiO3-yLa(Mg1/2Ti1/2)O3, where, y is from 0.3 to 0.9.The dielectric composition according to the invention has dielectric constant of 28.6 to 58.6, Qxfo(GHz) of 29,330 to 71,000, and the temperature coefficient of resonance frequency(TCF) ranging from -53.82 to +52.32 ppm/deg. C, which TCF being able to be controlled at a range of +-10ppm/deg. C depending on amount of addition of impurities, so that the ceramic composition may effectively be used in telecommunication system.

Abstract translation: 描述了具有高质量系数（Q值）和介电常数以及良好的共振频率温度系数的用于高频波的介电陶瓷组合物。 电介质陶瓷组合物可以用下式表示：（1-y）CaTiO3-yLa（Mg1 / 2Ti1 / 2）O3，其中y为0.3至0.9。根据本发明的电介质组合物的介电常数为28.6至 58.6，Qmax（GHz）为29,330〜71,000，共振频率（TCF）的温度系数为-53.82〜+ 52.32ppm / deg。 C，哪个TCF能够控制在+ -10ppm / deg的范围内。 C取决于杂质的添加量，使得陶瓷组合物可以有效地用于电信系统中。

公开(公告)号：KR1019970001056B1

公开(公告)日：1997-01-25

申请号：KR1019940015400

申请日：1994-06-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  김현재 ,  김경용 ,  윤석진 ,  윤상옥 ,  나까무라데쯔로우 ,  이또오미쯔루 ,  이나구마요시유끼

IPC: C04B35/46

CPC classification number: H01B3/12 ,  C04B35/465

Abstract: Material comprises a basic compsn.(1) (1-y)SrTiO3-y(La(1-x)Ndx)(Mg1/2Ti1/2)O3(where x=0-0.99 and y=0.4-0.9) which reduces the dielectric loss.

Abstract translation: 材料包括基本组成（1）（1-y）SrTiO3-y（La（1-x）Ndx）（Mg1 / 2Ti1 / 2）O3（其中x = 0-0.99和y = 0.4-0.9） 介电损耗。