公开(公告)号：KR1020110108242A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：KR1020110006361

申请日：2011-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히가시지마지로

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/68742

Abstract: 본 발명은 기판 승강 부재의 승강 동작이 규제되고 있지 않을 때에, 톱 플레이트가 하강한 상태에서 기판 승강 부재를 상측 위치로 상승시켜도, 리프트핀이 파손되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
미리 정해진 처리 위치에 배치되어 있는 기판(W)에 처리액을 공급하고, 공급된 처리액에 의해 기판(W)을 처리하는 본 발명의 기판 처리 장치(22)는, 기판(W)을 처리 위치와 처리 위치보다도 상측의 위치 사이에서 승강 가능하게 설치되어 있는 기판 승강 부재(90)와, 기판 승강 부재(90)로부터 상측으로 돌출되어 설치되어 있고, 승강시키는 기판(W)이 배치되는 배치부(91b)와, 처리 위치에 배치되어 있는 기판(W)의 상측에 승강 가능하게 설치되어 있으며, 하강하고 있는 상태에서 기판(W)을 상측으로부터 덮는 상판부(110)와, 상판부(110)에 설치되고, 기판 승강 부재(90)가 상판부(110)에 접촉할 때에, 배치부(91b)와 상판부(110)의 접촉을 방지하는 접촉 방지부(130)를 구비한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种可以防止不属当调节基板升降构件的上下移动，即使在使基板在其中顶板下降到上部位置的状态下升降部件，所述升降销断裂的基板处理装置 的目的。

公开(公告)号：KR1020100138757A

公开(公告)日：2010-12-31

申请号：KR1020100054409

申请日：2010-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히가시지마지로 ,  난바히로미츠

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/302

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device manufacturing method is provided to improve the production efficiency by preventing the defect between a word line and a landing plug electrode. CONSTITUTION: This invention has an advantage of preventing the yield rate deduction by following the methodology as following. An element isolation film defining the active area is formed within a semiconductor substrate. The semiconductor substrate comprises a gate insulating layer on the top. In order to form a gate stack, the exposed portion of the gate insulating layer is etched. A spacer object film having the compressive stress is deposited on the open surface of the gate stack and the semiconductor substrate.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件制造方法，通过防止字线和着陆插头电极之间的缺陷来提高生产效率。 构成：本发明具有以下方法防止产量减免的优点。 在半导体衬底内形成限定有源区的元件隔离膜。 半导体衬底包括顶部的栅极绝缘层。 为了形成栅堆叠，蚀刻栅极绝缘层的露出部分。 具有压应力的间隔物膜沉积在栅极堆叠和半导体衬底的开放表面上。

公开(公告)号：KR1020100086444A

公开(公告)日：2010-07-30

申请号：KR1020100006069

申请日：2010-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 남바히로미츠 ,  히가시지마지로

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134

Abstract: PURPOSE: A chemical processing device and a chemical processing method are provided to uniformly supply the chemical of a high temperature to a surface for a short time by using a plurality of outlets of a chemical discharge nozzle. CONSTITUTION: A substrate holding mechanism(3) horizontally holds a substrate. A rotating mechanism(4) rotates the substrate holding mechanism by a hollow rotation shaft. A chemical discharge nozzle(5) supplies the chemical of a high temperature to the rear of the substrate. The chemical discharge nozzle includes a plurality of outlets(18a-18c). The chemical of the high temperature is uniformly supplied to the rear of the substrate through the outlets. A chemical supply unit(6) supplies the chemical to the chemical discharge nozzle.

Abstract translation: 目的：提供化学处理装置和化学处理方法，通过使用多个化学排放喷嘴的出口，将短时间内的高温化学物质均匀地供给到表面。 构成：基板保持机构（3）水平地保持基板。 旋转机构（4）通过中空旋转轴旋转基板保持机构。 化学排放喷嘴（5）将高温化学物质提供到基材的后部。 化学品排出喷嘴包括多个出口（18a-18c）。 通过出口将高温化学物质均匀地供给到基板的后部。 化学品供应单元（6）将化学品供应给化学品排放喷嘴。