Abstract:
본 발명은, 피처리 기판의 하면에 에칭액 등의 약액을 공급한 후, 이 약액을 효율적으로 제거할 수 있는 액처리 장치 등을 제공하는 것을 목적으로 한다. 피처리 기판(W)은 기판 유지부(3)에 수평으로 유지되어 수직축 주위로 회전되고, 약액 공급부(343)로부터는 회전하고 있는 피처리 기판(W)의 하면에 약액이 공급되는 한편, 린스액 공급부(343)로부터는 이 약액이 공급된 면에 린스액이 공급된다. 그리고, 제1 단계에서 제1 회전 속도로 회전시키면서 피처리 기판(W)에 약액을 공급하고, 제2 단계에서 약액의 공급을 정지시키며, 또한 피처리 기판(W)을 상기 제1 회전 속도보다 빠른 제2 회전 속도로 회전시켜 약액을 털어낸 후, 제3 단계에서 피처리 기판(W)을 제1 회전 속도 이하의 제3 회전 속도로 회전시킨 상태에서 이 피처리 기판(W)에 린스액을 공급한다.
Abstract:
PURPOSE: A chemical processing device and a chemical processing method are provided to uniformly supply the chemical of a high temperature to a surface for a short time by using a plurality of outlets of a chemical discharge nozzle. CONSTITUTION: A substrate holding mechanism(3) horizontally holds a substrate. A rotating mechanism(4) rotates the substrate holding mechanism by a hollow rotation shaft. A chemical discharge nozzle(5) supplies the chemical of a high temperature to the rear of the substrate. The chemical discharge nozzle includes a plurality of outlets(18a-18c). The chemical of the high temperature is uniformly supplied to the rear of the substrate through the outlets. A chemical supply unit(6) supplies the chemical to the chemical discharge nozzle.
Abstract:
본 발명은 고온의 약액에 의한 처리로 기판의 이면을 에칭할 때에, 에칭의 균일성을 높게 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 기판인 웨이퍼(W)에 형성된 막을 고온 약액에 의한 에칭으로 제거하는 약액 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)를 이면을 하측으로 하여 수평으로 한 상태에서 회전 가능하게 유지하는 스핀 척(3)과, 연직으로 연장되는 중공의 회전축(12)을 통해 스핀 척(3)을 회전시키는 회전 기구(4)와, 회전축(12) 내에 설치되며 하방에서 상방을 향하여 고온 약액을 토출하여 웨이퍼(W) 이면에 고온 약액을 공급하는 약액 토출 노즐(5)과, 약액 토출 노즐(5)에 약액을 공급하는 약액 공급 기구(6)를 구비하고, 약액 토출 노즐(5)은, 약액을 토출하며, 웨이퍼(W) 이면의 중심 이외에, 웨이퍼(W) 이면의 중심으로부터의 거리가 서로 다른 위치에 고온 약액을 닿게 하는 복수의 토출구(18a, 18b, 18c)를 갖는다.
Abstract:
An objective of the present invention is to smoothly process a substrate by a processing liquid. The present invention provides a substrate processing apparatus (1) and a substrate processing method, which process a substrate (3) by a processing liquid supplied to the rotating substrate (3) to process the substrate (3), includes: a substrate rotating unit (12) that rotates the substrate (3); processing liquid supply units (13, 14) that supply the processing liquid to the substrate; a collection cup (32) disposed around the substrate (3) to collect the processing liquid supplied to the substrate (3) and form an air stream that flows downward by passing through from an opening (34) formed at the top to the periphery end of the substrate (3); and a negative pressure generating unit (36) which is provided at the inside of the collection cup (32) and at the outside of the opening (34) and generates a negative pressure which acts toward the outside of the substrate (3) so that the negative pressure is generated when processing the substrate (3) by the processing liquid.
Abstract:
본 발명은, 기판의 이면을 하측으로 하여 기판을 회전시키면서 비회전 부재에 형성된 노즐로부터 기판에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 수행하는 처리 장치에 있어서, 노즐이 형성된 부재에 액적이 남는 것을 억제하는 것을 과제로 한다. 기판인 웨이퍼를 이면을 하측으로 하여 수평으로 한 상태에서 회전시키면서 웨이퍼 이면에 처리액을 공급하여 액처리를 수행하는 액처리 장치에는, 웨이퍼(W)의 하방에 비회전 상태로 설치되며, 그 상면에, 처리액을 토출하는 처리액 토출 노즐(20) 및 건조용 가스를 토출하는 가스 토출 노즐(21)을 갖는 노즐 부재(5)가 설치되며, 처리액 토출 노즐(20)은 기판을 향하여 처리액을 토출하는 처리액 토출구(20a)를 갖고, 가스 토출 노즐(21)은 웨이퍼(W)를 향하여 건조용 가스를 토출하는 제1 가스 토출구(21a)와, 노즐 부재(5)의 상면을 따라 건조용 가스를 방사형으로 토출하는 복수의 제2 가스 토출구(21b)를 갖는다.