-
公开(公告)号：KR101317004B1
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：KR1020110037949
申请日：2011-04-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 남바히로미츠
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67051
Abstract: 본 발명은, 피처리 기판의 하면에 에칭액 등의 약액을 공급한 후, 이 약액을 효율적으로 제거할 수 있는 액처리 장치 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.
피처리 기판(W)은 기판 유지부(3)에 수평으로 유지되어 수직축 주위로 회전되고, 약액 공급부(343)로부터는 회전하고 있는 피처리 기판(W)의 하면에 약액이 공급되는 한편, 린스액 공급부(343)로부터는 이 약액이 공급된 면에 린스액이 공급된다. 그리고, 제1 단계에서 제1 회전 속도로 회전시키면서 피처리 기판(W)에 약액을 공급하고, 제2 단계에서 약액의 공급을 정지시키며, 또한 피처리 기판(W)을 상기 제1 회전 속도보다 빠른 제2 회전 속도로 회전시켜 약액을 털어낸 후, 제3 단계에서 피처리 기판(W)을 제1 회전 속도 이하의 제3 회전 속도로 회전시킨 상태에서 이 피처리 기판(W)에 린스액을 공급한다.-
公开(公告)号：KR1020170142136A
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：KR1020170167469
申请日：2017-12-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 남바히로미츠
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/68735 , H01L21/68792 , H01L21/02052 , H01L21/02057
Abstract: 본발명은, 기판유지부의위쪽으로부터세정액을공급하는수단을갖지않은기판처리장치에서도, 기판유지부에유지되는제품기판의하면보다높은위치에있는기판처리장치의구성부재의세정을가능하게하는것을목적으로한다. 중앙부에개구(304)를갖고있는원판형의하측부재(301)와, 하측부재에연결되고하측부재와의사이에간극을형성하는원판형의상측부재(302)를구비하는제1 세정지그(300)를이용하여기판처리장치의구성부재를세정한다. 제1 세정지그의하측부재를기판유지부에의해유지하고, 제1 세정지그를회전시킨다. 제1 세정지그의아래쪽으로부터회전하는제1 세정지그를향해세정액을토출시키고, 이세정액을하측부재의개구를통과시켜상측부재의하면에도달시킨다. 세정액은, 원심력에의해, 상측부재와하측부재사이의간극을통해, 제1 세정지그의바깥쪽으로유출되고, 이유출된세정액에의해기판처리장치의구성부재가세정된다.
Abstract translation: 本发明还涉及一种不具有从基板保持部上方向基板处理装置供给清洗液的装置的基板处理装置，该基板处理装置具有基板保持部 的。 第一清洁夹具300具有在其中心具有开口304的盘形下部件301和连接到下部件并在盘形下部件302之间形成间隙的盘形上部件302。 ）用于清洁基板处理设备的组成部件。 第一清洁夹具的下构件由基板保持部保持并且第一清洁夹具旋转。 清洁液从第一清洁夹具的下部朝向旋转的第一清洁夹具排出，并且清洁液体穿过下部构件的开口而到达上部构件的下表面。 清洗液，通过离心力，通过上部件和下部件，且流出到所述第一清洁夹具的外部之间的间隙，它是由一个清洗液原因防爆清洁的基板处理装置的部件。
-
公开(公告)号：KR1020100086444A
公开(公告)日：2010-07-30
申请号：KR1020100006069
申请日：2010-01-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/0209 , H01L21/31111 , H01L21/32134
Abstract: PURPOSE: A chemical processing device and a chemical processing method are provided to uniformly supply the chemical of a high temperature to a surface for a short time by using a plurality of outlets of a chemical discharge nozzle. CONSTITUTION: A substrate holding mechanism(3) horizontally holds a substrate. A rotating mechanism(4) rotates the substrate holding mechanism by a hollow rotation shaft. A chemical discharge nozzle(5) supplies the chemical of a high temperature to the rear of the substrate. The chemical discharge nozzle includes a plurality of outlets(18a-18c). The chemical of the high temperature is uniformly supplied to the rear of the substrate through the outlets. A chemical supply unit(6) supplies the chemical to the chemical discharge nozzle.
Abstract translation: 目的：提供化学处理装置和化学处理方法，通过使用多个化学排放喷嘴的出口，将短时间内的高温化学物质均匀地供给到表面。 构成：基板保持机构（3）水平地保持基板。 旋转机构（4）通过中空旋转轴旋转基板保持机构。 化学排放喷嘴（5）将高温化学物质提供到基材的后部。 化学品排出喷嘴包括多个出口（18a-18c）。 通过出口将高温化学物质均匀地供给到基板的后部。 化学品供应单元（6）将化学品供应给化学品排放喷嘴。
-
公开(公告)号：KR1020170120057A
公开(公告)日：2017-10-30
申请号：KR1020170134117
申请日：2017-10-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/02087 , H01L21/30604 , H01L21/32134 , H01L21/67109 , H01L21/6838
Abstract: 본발명은기판의주연부분을처리액으로처리할때에, 기판의온도를신속하게승강시키는것을과제로한다. 기판처리장치는, 기판(W)을유지하는기판유지부(16)와, 기판의주연부분에제1 처리액을공급하는제1 처리액노즐(61)과, 기판의주연부분에제1 처리액보다낮은온도의제2 처리액을공급하는제2 처리액노즐(62)과, 기판의주연부분에제1 온도의제1 가스를공급하는제1 가스공급수단(51, 53 등)과, 기판에대하여상기제1 가스의공급위치보다반경방향중심측에제1 온도보다낮은제2 온도의제2 가스를공급하는제2 가스공급수단(42, 45 등)을구비하고있다.
Abstract translation: 本发明克服了在用处理溶液处理基板周边部分时快速升高和降低基板温度的问题。 的基板处理装置包括：基板（W）eulyu由基板保持部16，用于提供第一处理溶液到基片的在所述基板的周缘部的周缘部，第一处理的第一处理液喷嘴61所占据 和液体第二处理液喷嘴62，用于在低于所述第一气体供给装置，用于在所述衬底的周缘部中的第一温度供给第一气体的温度（51，53等）供给第二处理溶液， 和第二气体供给装置（42，45等），以提供第一较低温度的第二气体高于第二温度的径向中心比所述第一气体的供给位置到所述衬底。
-
公开(公告)号：KR101371118B1
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020100006069
申请日：2010-01-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/0209 , H01L21/31111 , H01L21/32134
Abstract: 본 발명은 고온의 약액에 의한 처리로 기판의 이면을 에칭할 때에, 에칭의 균일성을 높게 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
기판인 웨이퍼(W)에 형성된 막을 고온 약액에 의한 에칭으로 제거하는 약액 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)를 이면을 하측으로 하여 수평으로 한 상태에서 회전 가능하게 유지하는 스핀 척(3)과, 연직으로 연장되는 중공의 회전축(12)을 통해 스핀 척(3)을 회전시키는 회전 기구(4)와, 회전축(12) 내에 설치되며 하방에서 상방을 향하여 고온 약액을 토출하여 웨이퍼(W) 이면에 고온 약액을 공급하는 약액 토출 노즐(5)과, 약액 토출 노즐(5)에 약액을 공급하는 약액 공급 기구(6)를 구비하고, 약액 토출 노즐(5)은, 약액을 토출하며, 웨이퍼(W) 이면의 중심 이외에, 웨이퍼(W) 이면의 중심으로부터의 거리가 서로 다른 위치에 고온 약액을 닿게 하는 복수의 토출구(18a, 18b, 18c)를 갖는다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101882033B1
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：KR1020130156345
申请日：2013-12-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 남바히로미츠
IPC: H01L21/302 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/68735 , H01L21/68792
Abstract: 본발명은, 기판유지부의위쪽으로부터세정액을공급하는수단을갖지않은기판처리장치에서도, 기판유지부에유지되는제품기판의하면보다높은위치에있는기판처리장치의구성부재의세정을가능하게하는것을목적으로한다. 중앙부에개구(304)를갖고있는원판형의하측부재(301)와, 하측부재에연결되고하측부재와의사이에간극을형성하는원판형의상측부재(302)를구비하는제1 세정지그(300)를이용하여기판처리장치의구성부재를세정한다. 제1 세정지그의하측부재를기판유지부에의해유지하고, 제1 세정지그를회전시킨다. 제1 세정지그의아래쪽으로부터회전하는제1 세정지그를향해세정액을토출시키고, 이세정액을하측부재의개구를통과시켜상측부재의하면에도달시킨다. 세정액은, 원심력에의해, 상측부재와하측부재사이의간극을통해, 제1 세정지그의바깥쪽으로유출되고, 이유출된세정액에의해기판처리장치의구성부재가세정된다.
-
公开(公告)号：KR1020140111593A
公开(公告)日：2014-09-19
申请号：KR1020140023911
申请日：2014-02-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: An objective of the present invention is to smoothly process a substrate by a processing liquid. The present invention provides a substrate processing apparatus (1) and a substrate processing method, which process a substrate (3) by a processing liquid supplied to the rotating substrate (3) to process the substrate (3), includes: a substrate rotating unit (12) that rotates the substrate (3); processing liquid supply units (13, 14) that supply the processing liquid to the substrate; a collection cup (32) disposed around the substrate (3) to collect the processing liquid supplied to the substrate (3) and form an air stream that flows downward by passing through from an opening (34) formed at the top to the periphery end of the substrate (3); and a negative pressure generating unit (36) which is provided at the inside of the collection cup (32) and at the outside of the opening (34) and generates a negative pressure which acts toward the outside of the substrate (3) so that the negative pressure is generated when processing the substrate (3) by the processing liquid.
Abstract translation: 本发明的目的是通过处理液体平滑地处理衬底。 本发明提供一种基板处理装置（1）和基板处理方法，其通过供给到旋转基板（3）的处理液对基板（3）进行处理，从而对基板（3）进行处理，其特征在于，包括：基板旋转部 （12），其旋转所述基板（3）; 将处理液供给到基板的处理液供给单元（13,14） 设置在所述基板（3）周围的收集杯（32），以收集供给到所述基板（3）的处理液体，并且形成通过从形成在所述顶部的开口（34）穿过的周向端部 的基板（3）; 以及负压生成单元（36），其设置在所述收集杯（32）的内部并且在所述开口（34）的外部，并且产生朝向所述基板（3）的外侧作用的负压，使得 当通过处理液体处理基板（3）时产生负压。
-
公开(公告)号：KR101378140B1
公开(公告)日：2014-03-24
申请号：KR1020100086471
申请日：2010-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/02087 , H01L21/32134
Abstract: 기판에소수성의폴리실리콘막이형성되어있고, 이폴리실리콘막에친수성의자연산화막이적층되어있는경우에, 기판의주연부에서에칭불량이발생하지않고, 에칭폭의정밀도를향상시킬수 있는기판액처리방법, 기판액처리장치및 기억매체를제공한다. 우선, 폴리실리콘막이형성된기판(W)을회전시키면서당해기판(W)의주연부로불산을공급함으로써기판(W)의주연부에형성된자연산화막을에칭제거하여폴리실리콘막을노출시킨다. 이어서, 폴리실리콘막이노출된기판(W)을회전시키면서당해기판(W)의주연부로불초산을공급함으로써폴리실리콘막을에칭제거한다. 이러한동작은기판액처리장치(1)의제어부(50)가회전구동부(20), 불산공급부(54) 및불초산공급부(52)를제어함으로써행해진다.
-
公开(公告)号：KR101325899B1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：KR1020100011959
申请日：2010-02-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/67034 , H01L21/6708
Abstract: 본 발명은, 기판의 이면을 하측으로 하여 기판을 회전시키면서 비회전 부재에 형성된 노즐로부터 기판에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 수행하는 처리 장치에 있어서, 노즐이 형성된 부재에 액적이 남는 것을 억제하는 것을 과제로 한다.
기판인 웨이퍼를 이면을 하측으로 하여 수평으로 한 상태에서 회전시키면서 웨이퍼 이면에 처리액을 공급하여 액처리를 수행하는 액처리 장치에는, 웨이퍼(W)의 하방에 비회전 상태로 설치되며, 그 상면에, 처리액을 토출하는 처리액 토출 노즐(20) 및 건조용 가스를 토출하는 가스 토출 노즐(21)을 갖는 노즐 부재(5)가 설치되며, 처리액 토출 노즐(20)은 기판을 향하여 처리액을 토출하는 처리액 토출구(20a)를 갖고, 가스 토출 노즐(21)은 웨이퍼(W)를 향하여 건조용 가스를 토출하는 제1 가스 토출구(21a)와, 노즐 부재(5)의 상면을 따라 건조용 가스를 방사형으로 토출하는 복수의 제2 가스 토출구(21b)를 갖는다. -
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.02 seconds)
