公开(公告)号：KR101229780B1

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：KR1020107024336

申请日：2009-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C03C17/002 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32229

Abstract: 분기 부분에서 비(非)수직으로 연신하는(extending) 동축관을 포함하는 동축관 분배기를 제공한다. 마이크로파에 의해 가스를 여기(excitation)시켜 피(被)처리체를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치(10)로서, 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(源)(900)과, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 전송하는 전송 선로(900a)와, 처리 용기(100)의 내벽에 형성되고, 마이크로파를 처리 용기 내에 방출하는 복수의 유전체판(305)과, 복수의 유전체판(305)에 인접하여, 마이크로파를 복수의 유전체판(305)에 전송하는 복수의 제1 동축관(610)과, 전송 선로(900a)를 거쳐 전송된 마이크로파를 복수의 제1 동축관(610)에 분배하여 전송하는 1단 또는 2단 이상의 동축관 분배기(700)를 갖는다. 동축관 분배기(700)는, 입력부(In)를 갖는 제2 동축관(620)과 제2 동축관(620)에 연결된 3개 이상의 제3 동축관(630)을 포함하고, 제3 동축관(630)의 각각은, 제2 동축관(620)에 대하여 비수직으로 연신한다.

公开(公告)号：KR101183047B1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：KR1020107025683

申请日：2009-06-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: (과제) 기판에 대한 처리의 균일성을 보다 향상시키는 것을 목적으로 하고 있다.
(해결 수단) 플라즈마 처리되는 기판(G)을 수납하는 금속제의 처리 용기(4)와, 처리 용기(4) 내에 플라즈마를 여기(excitation)시키기 위해 필요한 전자파를 공급하는 전자파원(85)을 구비하고, 전자파원(85)으로부터 공급되는 전자파를 처리 용기(4)의 내부에 투과시키는, 처리 용기(4)의 내부에 일부를 노출시킨 복수의 유전체(25)를, 처리 용기(4)의 덮개체(3) 하면에 구비한 플라즈마 처리 장치로서, 유전체(25)의 하면에, 덮개체(3)와 전기적으로 접속된 금속 전극(27)이 형성되고, 금속 전극(27)과 덮개체(3) 하면의 사이에 노출되는 유전체(25)의 부분이, 처리 용기(4)의 내부로부터 보아 실질적으로 다각형의 윤곽을 이루고, 복수의 유전체(25)는, 다각형의 윤곽의 꼭지각끼리를 인접시켜 배치되고, 처리 용기(4)의 내부에 노출된 덮개체(3) 하면과 금속 전극(27) 하면에, 전자파를 전반(propagation)시키는 표면파 전반부가 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR101104514B1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：KR1020090025098

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 고바야시도시키 ,  스기야마마사키 ,  가토미츠오 ,  히로에아키히코 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: (요약) 막의 이동도를 높여 고주파 전력을 서셉터에 인가할 때, 유도 자장의 발생을 상쇄한다.
(해결 수단) 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 용기(100)와, 처리 용기 내에 마련되고, 기판 G를 탑재하는 서셉터(105)와, 서셉터(105)의 동일 원주상에 마련된 세 개의 위치 P1~P3에서 서셉터에 접촉하는 세 개의 급전봉 B1~B3과, 세 개의 급전봉 B1~B3에 접속되고, 세 개의 급전봉 B1~B3을 통해서 셋 이상의 위치 P1~P3으로부터 서셉터(105)에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원(130)을 포함한다. 서셉터(105)의 동일 원주상의 세 개의 위치 P에서 서셉터(105)에 세 개의 급전봉 B1~B3을 접촉시킨다. 세 개의 급전봉 B1~B3에 고주파 전원(130)을 접속하고, 고주파 전원(130)으로부터 출력된 고주파 전력을 세 개의 급전봉 B를 통해서 세 개의 위치 P1~P3으로부터 서셉터(105)에 공급한다.

Abstract translation: （总结）当​​通过增加膜的迁移率将高频功率施加到基座时，感应磁场的产生被抵消。

公开(公告)号：KR101088876B1

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：KR1020097019137

申请日：2008-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오미타다히로

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238

Abstract: 동축관을 이용한 마이크로파의 전송 선로를 제공한다. 플라즈마 처리 장치(10)에서는 마이크로파원(900)으로부터 분기 도파관(905)을 거쳐 동축관(600)으로 전송시킨 마이크로파를 분기판(610)에 의해 복수의 마이크로파로 분배시켜 복수의 동축관의 내부 도체(315a)로 전송시킨다. 각 동축관의 내부 도체(315a)를 통해 전송된 마이크로파는, 각 내부 도체(315a)와 연결된 각 유전체판(305)으로부터 처리 용기(100)의 내부로 방출된다. 방출된 마이크로파에 의해 처리 용기(100)에 도입된 처리 가스를 여기시켜 기판(G)에 원하는 플라즈마 처리를 실시한다. 복수의 유전체판(305)을 이용함으로써 대면적화에 대응하여 확장성이 높고, 또한 전송 선로에 동축관을 이용함으로써 전송 선로의 컴팩트한 설계와 저주파수인 마이크로파의 공급의 양립을 도모할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100126586A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020107024336

申请日：2009-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C03C17/002 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32229

Abstract: 분기 부분에서 비(非)수직으로 연신하는(extending) 동축관을 포함하는 동축관 분배기를 제공한다. 마이크로파에 의해 가스를 여기(excitation)시켜 피(被)처리체를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치(10)로서, 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(源)(900)과, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 전송하는 전송 선로(900a)와, 처리 용기(100)의 내벽에 형성되고, 마이크로파를 처리 용기 내에 방출하는 복수의 유전체판(305)과, 복수의 유전체판(305)에 인접하여, 마이크로파를 복수의 유전체판(305)에 전송하는 복수의 제1 동축관(610)과, 전송 선로(900a)를 거쳐 전송된 마이크로파를 복수의 제1 동축관(610)에 분배하여 전송하는 1단 또는 2단 이상의 동축관 분배기(700)를 갖는다. 동축관 분배기(700)는, 입력부(In)를 갖는 제2 동축관(620)과 제2 동축관(620)에 연결된 3개 이상의 제3 동축관(630)을 포함하고, 제3 동축관(630)의 각각은, 제2 동축관(620)에 대하여 비수직으로 연신한다.

公开(公告)号：KR1020100020974A

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：KR1020097026408

申请日：2008-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오미타다히로 ,  호리구치타카히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  B05C13/00 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H05H1/46

Abstract: [PROBLEMS] To provide a plasma processing apparatus which can reduce the quantity of dielectric material to be used as much as possible. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A plasma processing apparatus is provided with a metal processing container (4) for storing a substrate (G) to be processed with plasma, and an electromagnetic wave source (34) for supplying the processing container (4) with an electromagnetic wave required for exciting plasma (P). The plasma processing apparatus is provided with one or more dielectric bodies (25) on the lower surface of a case (3) of the processing container (4). The dielectric body transmits the electromagnetic wave supplied from the electromagnetic wave source (34) into the processing container (4) and is partially exposed inside the processing container (4). A surface wave propagating section (51) for propagating the microwave along the metal surface exposed inside the processing container (4) is arranged adjacent to the dielectric body (25).

Abstract translation: 提供一种可以尽可能地减少要使用的电介质材料的量的等离子体处理装置。 解决问题的手段等离子体处理装置设置有用于存储用等离子体处理的基板（G）的金属加工容器（4）和用于向处理容器（4）供给的电磁波源（34） 激发等离子体（P）所需的电磁波。 等离子体处理装置在处理容器（4）的壳体（3）的下表面上设置有一个或多个电介质体（25）。 电介质体将从电磁波源（34）供给的电磁波传送到处理容器（4）内，部分露出在处理容器（4）的内部。 用于沿着暴露在处理容器（4）内部的金属表面传播微波的表面波传播部分（51）布置成与电介质体（25）相邻。

公开(公告)号：KR1020090031746A

公开(公告)日：2009-03-27

申请号：KR1020097001448

申请日：2007-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오미다다히로

IPC: G01R29/08 ,  G01R21/04

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  C23C16/52 ,  G01R1/24 ,  H01J37/32211 ,  H05H1/46

Abstract: [PROBLEMS] To accurately measure a standing wave as an index to identify the waveguide length Ug in a waveguide. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] By detecting temperature distribution of a conductive member constituting at least a part of a pipe wall of a waveguide in the longitudinal direction of the waveguide for propagation of an electromagnetic wave, a standing wave generated in the waveguide is measured according to the temperature distribution. The temperature distribution of the conductive member in the longitudinal direction of the waveguide can be accurately measured by temperature sensors arranged in the longitudinal direction of the waveguide, or a temperature sensor moving in the longitudinal direction of the waveguide, or an infrared camera.

Abstract translation: [问题]准确测量驻波作为波导中波导长度Ug的指标。 [解决问题的手段]通过检测构成波导管壁的至少一部分的导电构件在波导的纵向上的传播电磁波的温度分布，在波导中产生的驻波根据 到温度分布。 可以通过布置在波导的纵向的温度传感器或者在波导的纵向方向上移动的温度传感器或红外线照相机来精确地测量导电构件在波导的纵向方向上的温度分布。

公开(公告)号：KR100882969B1

公开(公告)日：2009-02-13

申请号：KR1020070031091

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 오카신스케 ,  호리구치다카히로 ,  니시무라가즈아키 ,  기타무라마사유키 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 복수의 슬롯(37)에 통과시킨 마이크로파를, 대들보(26)로 지지된 복수매의 유전체 파트(31)에 투과시키고, 투과시킨 마이크로파에 의해 가스를 플라즈마화하여 기판 G를 플라즈마 처리한다. 유전체 파트(31)를 지지하는 대들보(26)는, 그 단부 주변에서의 플라즈마 전자 밀도 N
e 가 컷오프의 플라즈마 전자 밀도 N
c 이상으로 되도록 기판측으로 돌출하여 마련된다. 이 대들보(26)의 돌출에 의하여, 이웃하는 유전체 파트(31)를 투과한 마이크로파의 전계 에너지에 의해 발생한 표면파에 의한 간섭이나, 이웃하는 유전체 파트(31) 아래쪽의 플라즈마가 확산될 때에 플라즈마 내를 전파하여 이웃하는 플라즈마에 도달하는 전자나 이온에 의한 간섭이 억제된다.

Abstract translation: 微波等离子体处理装置100中，其中微波穿过所述多个狭槽37的，并透过光束（26）由多个，等离子气体的支撑的电介质部31的由微波发射 衬底G被等离子体处理。 支撑介电部分31的梁26具有等离子体电子密度N.

公开(公告)号：KR1020080040792A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：KR1020087007569

申请日：2006-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오카신스케 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: [PROBLEMS] To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method by which plasma can be uniformly generated on the entire lower surface of a dielectric body. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] In a plasma processing apparatus (1), microwaves are permitted to propagate into a dielectric body (32) arranged on an upper surface of a processing chamber (4) through a plurality of slots (70) formed on a lower surface (31) of a waveguide tube (35), a process gas supplied into the processing chamber (4) is brought into the plasma state by electric field energy in an electromagnetic field formed on a surface of the dielectric body, and a substrate (G) is processed with plasma. On a lower surface of the dielectric body (32), a plurality of recessed sections (80a-80g) having different depths are formed. Plasma generation on the lower surface of the dielectric body (32) is controlled by permitting the recessed sections (80a-80g) to have different depths.

Abstract translation: [问题]提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，通过该方法可以在电介质体的整个下表面上均匀地产生等离子体。 解决问题的手段在等离子体处理装置（1）中，允许微波通过形成在处理室（4）上的多个槽（70）传播到布置在处理室（4）的上表面上的电介质体（32） 另外，在波导管（35）的下表面（31），供给到处理室（4）的处理气体通过电介质体的表面形成的电磁场中的电场能量进入等离子体状态， （G）用等离子体处理。 在电介质体（32）的下表面形成具有不同深度的多个凹部（80a〜80g）。 通过允许凹部（80a-80g）具有不同的深度来控制电介质体（32）的下表面上的等离子体产生。

公开(公告)号：KR1020080030100A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020087004094

申请日：2006-08-04

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: C23C16/511 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: Provided is a plasma processing apparatus which can perform uniform processing even when a substrate to be processed has a large area. The plasma processing apparatus propagates microwaves introduced into wave guide tubes (102) to dielectric plates (104) through slots (103), and performs plasma processing to the surface of the substrate (107) by converting a gas supplied into a vacuum container (101) into the plasma state. In the plasma processing apparatus, a plurality of waveguide tubes (102) are arranged in parallel, a plurality of dielectric plates (104) are arranged for waveguide tubes (102), respectively, and partitioning members (106) formed of a conductor and grounded are arranged between the adjacent dielectric plates (104). The in-tube wavelength of the waveguide tube (102) is adjusted to be an optimum value by vertically moving a plunger (111). Furthermore, unintended plasma generation is eliminated in a space between the dielectric plate and the adjacent member, and stable plasma can be efficiently generated. As a result, high-speed and uniform processings, such as etching, form forming, cleaning, ashing, can be performed.

Abstract translation: 提供一种等离子体处理装置，即使在待处理基板面积大的情况下也能够进行均匀的处理。 等离子体处理装置通过槽（103）将引入导波管（102）的微波传播到电介质板（104），通过将供给到真空容器（101）的气体进行转换，对基板（107）的表面进行等离子体处理 ）进入等离子体状态。 在等离子体处理装置中，多个波导管（102）平行配置，分别配置有用于波导管（102）的多个电介质板（104）和由导体形成的分隔部件（106） 布置在相邻的电介质板（104）之间。 通过垂直移动柱塞（111）将波导管（102）的管内波长调节为最佳值。 此外，在电介质板和相邻构件之间的空间中消除了意外的等离子体产生，并且可以有效地产生稳定的等离子体。 结果，可以进行诸如蚀刻，成形，清洁，灰化等高速均匀的处理。