公开(公告)号：KR1020060098771A

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：KR1020050018702

申请日：2005-03-07

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 심창훈 ,  안진용 ,  조석현 ,  강성형

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G2/06 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/10643 ,  H01L2924/00

Abstract: 기계적 파손이 적은 기판 내장용 적층형 칩 커패시터와 이를 구비하는 인쇄회로 기판을 제공한다. 본 발명에 따른 기판 내장용 적층형 칩 커패시터는, 복수의 유전체층을 적층하여 형성된 커패시터 본체와; 상기 커패시터 본체 내에 형성되어, 상기 유전체층들에 의해 분리된 복수의 제1 내부 전극 및 제2 내부 전극과; 상기 커패시터 본체 내에 수직으로 연장되어, 상기 제1 내부 전극에 연결된 제1 비아 및 상기 제2 내부 전극에 연결된 제2 비아를 포함한다. 상기 제1 및 제2 비아가 인쇄회로 기판의 배선과 연결될 수 있도록, 상기 제1 비아는 상기 커패시터본체의 상면으로 인출되고, 상기 제2 비아는 상기 커패시터 본체의 바닥면으로 인출된다.
적층형 칩 커패시터, 인쇄회로 기판

公开(公告)号：KR100616514B1

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：KR1020030079711

申请日：2003-11-12

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 최연규 ,  나은상 ,  전형표 ,  이미희 ,  강성형 ,  서동환

IPC: C01G23/00

Abstract: 본 발명은 무중력하에서 고온열처리에 의해 초미립이면서 결정화도가 높은 복합산화물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 이 제조방법은, 일반식 ABO
3 로 표시되는 페로브스카이트(perovskite)구조를 갖는 복합산화물 분말의 제조방법에 있어서,
A사이트 화합물과 B사이트 화합물의 혼합분말을 무중력상태에서 900~1050℃의 온도로 열처리하여 합성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 의해 얻어지는 티탄산바륨 분말은 0.2um이하로서 결정화도가 1.01(c/a)이상으로 높다.
티탄산바륨, 고상합성법, 무중력, 부유

公开(公告)号：KR1020050096740A

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：KR1020040022411

申请日：2004-03-31

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 강성형 ,  허강헌 ,  김정욱 ,  서동환

IPC: C01G23/04

Abstract: 본 발명은 유전체용 산화물 분말을 제조하는 방법 및 이 방법에 의하여 제조된 산화물 분말을 사용하여 제조된 유전체를 포함하는 적층 세라믹 콘덴서에 관한 것으로서, 고상 합성법에 의하여 입도분포가 좁은 범위를 갖고, OH
- 기의 함량이 낮고, C/A 축 비가 크고, 그리고 페로브스카이트 구조를 갖는 미립의 유전체용 산화물 분말 및 적층 세라믹 콘덴서를 제공하고자 하는데, 그 목적이 있는 것이다.
본 발명은 ABO
3 (A는 원자가가 2인 원소 및 희토류 원소중에서 선택된 1종 또는 2종이상이고, B는 Ti 임) 페로브스카이트 구조의 산화물 분말을 제조하는 방법에 있어서, 상기 A 자리 원소가 1종 또는 2종 이상이 용해된 화합물과 TiO
2 원료를 습식혼합하여 TiO
2 슬러리를 제조하고, 건조한 후, 250∼600℃의 온도범위에서 열처리하여 상기 A 자리 원소 함유 산화물이 TiO
2 입자 표면에 코팅되도록 한 다음, A 자리 원소/Ti 비가 1.000이 되도록 A 자리 원소 함유 산화물을 첨가하여 습식혼합한 후, 건조 및 분쇄한 후, 700∼1200℃의 온도에서 열처리하여 페로브스카이트 구조를 갖는 유전체용 산화물 분말을 제조하는 방법 및 이 방법에 의하여 제조된 산화물 분말을 사용하여 제조된 유전체를 포함하는 적층 세라믹 콘덴서를 그 요지로 한다.

公开(公告)号：KR100506731B1

公开(公告)日：2005-08-08

申请号：KR1020020083554

申请日：2002-12-24

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 서동환 ,  김종희 ,  강성형 ,  최순목 ,  윤혁준

IPC: H01G4/12

CPC classification number: C03C3/068 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/12 ,  C03C3/066 ,  C04B35/16 ,  C04B35/481 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1236 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/162

Abstract: 본 발명은 유전체 조성물과 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터 및 세라믹 전자 부품에 관한 것이다.
본 발명의 유전체 조성물은,
주조성물이 x{
αBaO,
(1-α)SrO}-y{SiO
2 }-z{
(1-β) ZrO
2 , βAl
2 O
3 }
(단, x+y+z=100, x, y, z는 중량비로 나타내어 55≤x≤75, 10≤y≤35, 5≤z≤30, α, β는 몰로 나타내어 0.4≤α≤0.8, 0.01≤β≤0.07)으로 표현되고,
이 주조성물 100중량부에 대해 아연보론실리케이트 글래스 (Zn-B-silicate glass)를 2~10중량부 포함한다.
또한, 본 발명의 적층 세라믹 커패시터는 복수의 유전체 세라믹 층과 상기 유전체 세라믹 층 사이에 형성된 내부 전극 및 상기 내부 전극에 전기적으로 접속된 외부 전극을 포함하고,
상기 유전체 세라믹 층은,
주조성물이 x{
αBaO,
(1-α)SrO}-y{SiO
2 }-z{
(1-β) ZrO
2 , βAl
2 O
3 }
(단, x+y+z=100, x, y, z는 중량비로 나타내어 55≤x≤75, 10≤y≤35, 5≤z≤30, α, β는 몰로 나타내어 0.4≤α≤0.8, 0.01≤β≤0.07)으로 표현되고, 이 주조성물 100중량부에 대해 아연보론실리케이트 글래스 (Zn-B-silicate glass)를 2~10중량부 포함하는 유전체 조성물의 소결체이고,
상기 내부전극은 비금속의 도전성분을 포함한다. 또한, 본 발명에서는 유전체 조성물을 다층 세라믹 기판으로 한 세라믹 전자 부품 역시 제공된다.
이 유전체는 환원 분위기에서 비금속 내부 전극과 1000℃이하로 동시 소성이 가능하며, 정전 용량 온도 계수의 절대치가 30ppm/℃이내, 유전품질계수(Q)가 2000이상, 절연저항 1×10
13 Ω㎝이상, 유전율 13이하의 특성을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020040057102A

公开(公告)日：2004-07-02

申请号：KR1020020083554

申请日：2002-12-24

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 서동환 ,  김종희 ,  강성형 ,  최순목 ,  윤혁준

IPC: H01G4/12

CPC classification number: C03C3/068 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/12 ,  C03C3/066 ,  C04B35/16 ,  C04B35/481 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1236 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/162

Abstract: PURPOSE: A low temperature co-fired dielectric composition, a laminated ceramic capacitor, and a ceramic electronic element are provided to improve the processing speed by obtaining a low dielectric constant and a high dielectric quality coefficient. CONSTITUTION: A low temperature co-fired dielectric composition includes a main composition such as x(αBaO, (1-α)SrO-ySiO2)-z((1-β)ZrO3, βAl2O3) where x+y+z is 100, x is 55 to 75 weight percent, y is 10 to 35 weight percent, z is 5 to 30 weight percent, α belongs to a range of 0.4

Abstract translation: 目的：提供低温共烧电介质组合物，层压陶瓷电容器和陶瓷电子元件，以通过获得低介电常数和高介电质量系数来提高处理速度。 构成：低温共烧电介质组合物包括主要组成如x（αBaO，（1-α）SrO-ySiO2）-z（（1-β）ZrO3，βAl2O3），其中x + y + z为100， x为55〜75重量％，y为10〜35重量％，z为5〜30重量％，α属于0.4 <=α<= 0.8的范围，β属于0.01 <=β< = 0.07。 当主要成分为100重量％时，低温共烧电介质组合物包含2〜10重量％的Zn-B硅酸盐玻璃。