公开(公告)号：KR100846482B1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：KR1020070005440

申请日：2007-01-17

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김영식 ,  쿠보다슈니치 ,  김태곤 ,  임승재 ,  조제희

IPC: C09K11/71

Abstract: A red phosphor is provided to realize excellent light conversion efficiency and color purity, and to impart improved reliability to a light emitting device including a light emitting diode. A red phosphor is represented by the formula of (Sr1-x-y-zCaxEuyMnz)2P2O7 (wherein x= 0.1, y ranges from 0.02 to 0.03, and z ranges from 0.08 to 0.12), and has the maximum emission peak at a wavelength rage of 600 nm or higher. The red phosphor is excited by the irradiation of electromagnetic waves of a UV or near-UV range. Preferred examples of the red phosphor include (Sr0.78Ca0.1Eu0.02Mn0.1)2P2O7, (Sr0.8Ca0.1Eu0.02Mn0.08)2P2O7, (Sr0.76Ca0.1Eu0.02Mn0.12)2P2O7, or (Sr0.77Ca0.1Eu0.03Mn0.1)2P2O7.

Abstract translation: 提供红色荧光体以实现优异的光转换效率和色纯度，并且对包括发光二极管的发光器件提高了可靠性。 红色荧光体由（Sr1-xy-zCaxEuyMnz）2P2O7（式中，x = 0.1，y为0.02〜0.03，z为0.08〜0.12）的式表示，在波长范围内具有最大的发光峰 600nm以上。 通过照射UV或近UV范围的电磁波来激发红色荧光体。 红色荧光体的优选实施例包括（Sr 0.78 Ca 0.1 O 0.02 Mn 0.1）2 P 2 O 7，（Sr 0.8.Ca 0.1E 0.02 O 0.8）2 P 2 O 7，（Sr 0.76 Ca 0.1 O 0.02 Mn 0.012）2 P 2 O 7或（SrO 3） 77Ca0.1Eu0.03Mn0.1）2P2O7。

公开(公告)号：KR100799857B1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：KR1020030075220

申请日：2003-10-27

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김현수 ,  조제희 ,  윤석호

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00014

Abstract: 저접촉 저항 및 고반사도를 동시에 만족할 수 있는 고반사막 전극 및 그를 구비하는 반도체 발광 소자가 개시된다. 개시된 반도체 발광 소자는 투명 기판과, 전자 주입층의 제 1 영역 상에 형성된 활성층과, 활성층 상에 형성된 정공 주입층과, 정공 주입층 상에 형성되며 높은 반사율과 낮은 접촉 저항을 동시에 제공할 수 있는 제 1 전극 구조와, 전자 주입층의 제 2 영역 상에 형성된 제 2 전극 구조 및 제 1 및 제 2 전극 구조와 전기적으로 결합된 회로 기판을 구비한다. 따라서, 정공 주입층 상에 접촉하는 컨택 메탈의 면적을 조절함으로써 컨택 메탈층에 의한 빛의 흡수를 감소시키면서도 반도체 발광 소자의 광효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광 소자를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100780186B1

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：KR1020060026476

申请日：2006-03-23

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 조제희 ,  김형근 ,  손철수

IPC: G02F1/1335 ,  H01L33/50 ,  H01L33/48

Abstract: 본발명은발광다이오드를이용한 LCD 백라이트유니트에관하여개시한다. 개시된 LCD 백라이트유니트는: 청색광원, 적색광원및 녹색광원을구비하며, 상기녹색광원은, UV 발광다이오드; 상기 UV 발광다이오드로부터의광으로여기되는녹색형광체;를구비하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR100664981B1

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：KR1020040017668

申请日：2004-03-16

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 곽준섭 ,  조제희

IPC: H01L33/22

Abstract: ＩＩＩ - Ｖ 족 ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자의 제조방법에 대해 개시된다. 개시된 발광소자의 제조방법은, n형 GaN층 상에 활성층, p형 GaN층 및 p형 전극을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 n형 GaN층의 하부면에 에칭 플레이트를 배치하는 단계와, 상기 에칭 플레이트 상방으로부터 이온식각을 하여 상기 n형 GaN층의 하부면에 다수의 돌기들을 형성하는 단계와, 상기 식각된 n형 GaN층 상에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100664980B1

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：KR1020040016473

申请日：2004-03-11

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 조제희 ,  윤석호 ,  이정욱

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/06 ,  H01L33/325

Abstract: 모노리식 백색발광소자에 관해 개시한다. 발광소자는 활성층에 서브밴드를 형성하는 실리콘 또는 희토류금속이 도핑되어 있다. 활성층은 하나 또는 둘이며, 둘인 경우에는 그 사이에 크래딩레이어가 개재된다. 이러한 발광구조에 의해 백색광의 반도체 발광이 가능해지고 따라서 형광체의 도움이 필수적이지 않다. 이러한 모노리식 백색발광소자는 제작이 용이하고 저렴하다. 또한 그 응용분야가 기존의 형광체 도움에 의한 백색광 발광소자에 비해 넓다.
모노리식, 백색광

公开(公告)号：KR1020060119159A

公开(公告)日：2006-11-24

申请号：KR1020050041771

申请日：2005-05-18

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 조제희 ,  임동석 ,  성태연 ,  손철수

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: A method for manufacturing an ohmic contact layer of a light emitting diode and a method for manufacturing a light emitting diode using the same are provided to obtain a high light transmissivity and excellent electrical characteristics. A method for manufacturing an ohmic contact layer of a light emitting diode includes a first conductive transparent material layer(100) and a second conductive material layer(120) having through holes corresponding to a plurality of islands of a nano size. The first conductive transparent material layer is formed on semiconductor material layers(50). A mask layer having the plurality of islands is formed on the first conductive transparent material layer. The second conductive material layer is formed on the first conductive transparent material layer and the islands. The islands and the second conductive material layer thereon are removed by a lift off using an etching solution.

Abstract translation: 提供一种用于制造发光二极管的欧姆接触层的方法和使用其的发光二极管的制造方法，以获得高透光率和优异的电特性。 一种用于制造发光二极管的欧姆接触层的方法包括：第一导电透明材料层（100）和具有对应于多个纳米尺寸岛的通孔的第二导电材料层（120）。 第一导电透明材料层形成在半导体材料层（50）上。 在第一导电透明材料层上形成具有多个岛的掩模层。 第二导电材料层形成在第一导电透明材料层和岛上。 使用蚀刻溶液通过剥离除去其上的岛和第二导电材料层。

公开(公告)号：KR100616513B1

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：KR1020030077185

申请日：2003-11-01

Applicant: 삼성전기주식회사 ,  한국화학연구원

Inventor： 강윤찬 ,  조제희 ,  손철수

IPC: G02F1/13357

CPC classification number: C09K11/7783 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/181 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 적색형광체가 개시된다.
본 발명에 따른 적색형광체는 하기 식 (1)의 구조를 갖는다.
(Li
(2-z)-x M
x )(MoO
4 )
y :Eu
z ,Sm
q (1)
(상기 식에서, M=K, Mg, Na, Ca, Sr 또는 Ba이고, 0≤x≤2, 0.5≤y≤5, 0.01≤z≤1.5, 0.001≤q≤1.0 임)
본 발명에 따른 적색형광체는 특히 405 nm 근처의 여기 광원에 의해 고휘도의 발광특성을 가지며 기존의 형광체에 비해 휘도가 6배 이상 높기 때문에, UV 여기 광원을 갖는 적색 LED, 백색 LED 및 능동발광형 액정 디스플레이 소자에 사용될 수 있다. 또한 본 발명에 따라 제조된 백색 LED소자는 연색지수가 90이상으로서 색표현이 우수하다
적색형광체, 백색 LED

公开(公告)号：KR100543696B1

公开(公告)日：2006-01-20

申请号：KR1020020054327

申请日：2002-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성전기주식회사

Inventor： 조제희 ,  오혜정

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  Y10S257/918 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 고효율 발광 다이오드가 개시된다. 개시된 고효율 발광 다이오드는, 기판과, 기판의 상면에 적층되는 제1화합물 반도체층과, 상기 제1화합물 반도체층 상의 일부 영역에 형성되는 제1전극과, 제1화합물 반도체층 상의 제1전극을 제외한 영역 상에 적층되며 430nm 이하의 파장대역의 광이 생성되는 활성층과, 활성층 상에 형성되는 제2화합물 반도체층 및, 기판의 상면면적에 대한 점유면적비가 20% 내지 50%가 되도록 상기 제2화합물 반도체층의 상면에 형성되는 제2전극을 구비한다. 제2전극의 면적을 조절하여 발광량을 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050092575A

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：KR1020040017668

申请日：2004-03-16

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 곽준섭 ,  조제희

IPC: H01L33/22

Abstract: ＩＩＩ - Ｖ 족 ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자의 제조방법에 대해 개시된다. 개시된 발광소자의 제조방법은, n형 GaN층 상에 활성층, p형 GaN층 및 p형 전극을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 n형 GaN층의 하부면에 에칭 플레이트를 배치하는 단계와, 상기 에칭 플레이트 상방으로부터 이온식각을 하여 상기 n형 GaN층의 하부면에 다수의 돌기들을 형성하는 단계와, 상기 식각된 n형 GaN층 상에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100499131B1

公开(公告)日：2005-07-04

申请号：KR1020020062116

申请日：2002-10-11

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 조제희 ,  손철수 ,  진영구

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22

Abstract: 광방출 다이오드 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 화합물 반도체층과, 상기 n형 화합물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 화합물 반도체층과, 상기 n형 화합물 반도체층과 접촉되도록 구비된 n형 전극 및 상기 p형 화합물 반도체층과 접촉되도록 구비된 p형 전극을 구비하되, 적어도 상기 활성층의 광이 방출되는 표면은 비평면으로써 연속된 곡면인 것을 특징으로 하는 광방출 다이오드 및 그 제조방법을 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 활성층 표면에서 활성층 내부로 전반사되는 광량을 줄일 수 있고, 그 결과 활성층의 광방출률이 종래보다 훨씬 높아지기 때문에 외부에서 측정되는 총광량이 증가되며, 광방출 방향의 균일도도 증가시킬 수 있다. 그리고 상기 웨이브 형상과 관련하여 별도의 공정이 추가되지 않는 이점이 있다.