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公开(公告)号：KR1020090129624A
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：KR1020080055641
申请日：2008-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3409
Abstract: PURPOSE: A memory system and a reading fail preventing method thereof are provided to prevent read fail by a soft program, thereby improving the performance and reliability of the memory system. CONSTITUTION: A memory system(10) comprises a flash memory(100) and a memory controller(200). The flash memory performs write, read, and erase operation according to the control of the memory controller. The flash memory stores read count data(105). The read count data is stored in the meta domain or user data area of the flash memory. The memory controller applies a read command, an address, and a control signal to the flash memory in the reading operation process. The flash memory receives the read command and the address from the memory controller. The flash memory supplies a read voltage to a corresponding word line.
Abstract translation: 目的：提供一种存储系统及其读取失败防止方法，以防止软程序的读取失败，从而提高存储系统的性能和可靠性。 构成：存储系统（10）包括闪存（100）和存储器控制器（200）。 闪存根据存储器控制器的控制执行写入，读取和擦除操作。 闪存存储读取计数数据（105）。 读取计数数据存储在闪速存储器的元域或用户数据区中。 存储器控制器在读取操作过程中向闪速存储器应用读取命令，地址和控制信号。 闪存从存储器控制器接收读取命令和地址。 闪存将读取电压提供给相应的字线。
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公开(公告)号：KR1020090129622A
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：KR1020080055639
申请日：2008-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/30 , G11C7/04 , G11C11/5621 , G11C16/26 , G11C16/3404 , G11C16/3454
Abstract: PURPOSE: A memory system is provided to reduce a bit error by a change of a threshold voltage in a memory cell by using a temperature sensor. CONSTITUTION: A memory system(100) comprises a flash memory(110) and a memory controller(120). According to the temperature change, the memory system controls the level of a bias voltage in the flash memory. The flash memory performs erase, write, and read operation according to the control of the memory controller. The flash memory comprises a plurality of memory cells storing data. Compensate data(105) is stored in the specific area of the memory cell. The memory controller comprises a memory interface(121), a host interface(122), an ECC(Error Checking And Correction) circuit(123), a CPU(Central Processing Unit)(124), a RAM(Random Access Memory)(125), and a temperature sensor(126). The memory controller controls the threshold voltage of the flash memory according to the compensate data stored in the flash memory.
Abstract translation: 目的：提供一种存储器系统，通过使用温度传感器通过改变存储器单元中的阈值电压来减少位误差。 构成：存储系统（100）包括闪存（110）和存储器控制器（120）。 根据温度变化，存储器系统控制闪速存储器中的偏置电压的电平。 闪存根据存储器控制器的控制进行擦除，写入和读取操作。 闪存包括存储数据的多个存储单元。 补偿数据（105）存储在存储单元的特定区域中。 存储器控制器包括存储器接口（121），主机接口（122），ECC（错误检查和校正）电路（123），CPU（中央处理器）（124），RAM（随机存取存储器） 125）和温度传感器（126）。 存储器控制器根据存储在闪速存储器中的补偿数据来控制闪速存储器的阈值电压。
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公开(公告)号：KR100922389B1
公开(公告)日：2009-10-19
申请号：KR1020070067129
申请日：2007-07-04
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7206
Abstract: 여기에 개시된 색인 스킴은 하나의 리프 노드 및 리프 노드와 관련있는 인덱스 노드들을 플래시 메모리의 하나의 페이지에 저장함으로써 하나의 리프 노드에 대한 수정, 삽입 또는 삭제를 위한 플래시 메모리의 기입 동작을 최소화할 수 있다. 그러므로 플래시 메모리에 대한 액세스 소요 시간이 단축되고, 기입 횟수를 최소화함에 따라서 플래시 메모리의 수명이 연장된다.
색인, 트리, 플래시 메모리, SSD-
公开(公告)号：KR100866627B1
公开(公告)日：2008-11-03
申请号：KR1020070008903
申请日：2007-01-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F8/4442
Abstract: 컨트롤 플로우를 이용한 페이지 프리로드 방법 및 그 시스템이 개시된다. 상기 프리로드 방법은 적어도 하나의 페이지로 구성되는 제1프로그램 코드의 각 페이지별 프리로드 페이지에 대한 정보를 추출하고, 상기 제1프로그램 코드 및 추출된 상기 프리로드 페이지에 대한 정보를 포함하는 제2프로그램 코드를 생성하는 단계, 생성된 제2프로그램 코드를 비휘발성 메모리에 저장하는 단계, 및 상기 비휘발성 메모리에 저장된 상기 제2프로그램 코드의 페이지 중 어느 하나의 페이지를 메인메모리에 로드할 때, 상기 어느 하나의 페이지에 저장된 상기 프리로드 페이지에 대한 정보에 기초하여 상기 비휘발성 메모리에 저장된 페이지 중 적어도 하나의 페이지를 상기 메인메모리에 프리로드 하는 단계를 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020080075707A
公开(公告)日：2008-08-19
申请号：KR1020070014980
申请日：2007-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박찬익
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0623 , G06F3/0652 , G06F3/0679 , G06F12/14 , G06F17/30117 , G06F2212/1052 , G06F2212/7209
Abstract: A computing system capable of transferring delete information to a flash storage unit is provided to prevent a merge operation for an invalid file to improve the operating performance of a storage unit and process a deleted file into an invalid file to secure a sufficient effective storage space of a storage medium. A computing system includes a storage unit(200) for storing files and a host(100). The host generates a delete command when a file stored in the storage unit is deleted. The storage unit processes the deleted file into an invalid file in response to the delete command. The storage unit includes a storage medium(210) storing the files and a controller(220) for controlling the storage medium.
Abstract translation: 提供能够将删除信息传送到闪存存储单元的计算系统，以防止无效文件的合并操作提高存储单元的操作性能，并将删除的文件处理成无效文件，以确保足够的有效存储空间 存储介质。 计算系统包括用于存储文件的存储单元（200）和主机（100）。 当存储在存储单元中的文件被删除时，主机将生成删除命令。 存储单元响应于删除命令将删除的文件处理成无效文件。 存储单元包括存储文件的存储介质（210）和用于控制存储介质的控制器（220）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080075706A
公开(公告)日：2008-08-19
申请号：KR1020070014974
申请日：2007-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박찬익
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/061 , G06F3/064 , G06F3/0679
Abstract: A computing system based on a characteristic of a flash storage unit is provided to set a cluster size and a data transmission unit of a host according to a characteristic of flash memories included in a storage unit to improve data transmission performance. A computing system includes a host(100) and a storage unit(200). The host generates an inquiry command. The storage unit includes flash memories(210) and transmits characteristic information of the flash memories to the host in response to the inquiry command. The host includes a file system for setting a cluster size according to the characteristic information and a device driver for setting a data transmission unit according to the characteristic information.
Abstract translation: 提供了一种基于闪速存储单元的特性的计算系统，用于根据包含在存储单元中的闪速存储器的特性来设置主机的簇大小和数据传输单元，以提高数据传输性能。 计算系统包括主机（100）和存储单元（200）。 主机生成查询命令。 存储单元包括闪存（210），并响应于查询命令向闪存发送闪存的特征信息。 主机包括用于根据特征信息设置簇大小的文件系统和用于根据特征信息设置数据传输单元的设备驱动程序。
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公开(公告)号：KR1020060089491A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1020050010750
申请日：2005-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F3/064 , G06F3/061 , G06F3/0679 , G06F12/0246
Abstract: 본 발명은 플래시 메모리를 포함한 데이터 저장 장치 및 그것의 머지 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 데이터 저장 장치는 플래시 메모리와 컨트롤러를 포함한다. 상기 플래시 메모리는 FAT 정보를 저장한다. 그리고 상기 컨트롤러는 머지 동작 시 상기 FAT 정보를 참조하여 상기 플래시 메모리의 데이터 블록에 저장된 데이터를 새로운 데이터 블록으로 선택적으로 복사한다. 본 발명에 따른 데이터 저장 장치 및 그것의 머지 방법은 FAT 정보를 참조하여 머지 동작을 선택적으로 수행하기 때문에 종래의 머지 방법에 비하여 머지 동작 시간을 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100568115B1
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：KR1020040050507
申请日：2004-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7205
Abstract: 여기에는 플래시 메모리를 제어하는 방법이 제공된다. 본 발명의 플래시 메모리 제어 방법에 의하면, 명령이 입력될 때, 머지 상태 정보가 상기 플래시 메모리의 머지 상태를 나타내는 지의 여부가 판별된다. 만약 상기 플래시 메모리가 머지 상태에 있지 않으면, 상기 플래시 메모리에 머지 동작이 요구되는 지의 여부가 판별된다. 만약 머지 동작이 요구되지 않으면, 상기 입력된 명령이 처리되도록 상기 플래시 메모리가 제어된다.
Abstract translation: 这提供了一种控制闪存的方法。 根据本发明的闪存控制方法，当输入指令时，判断合并状态信息是否指示闪存的合并状态。 如果闪存未处于合并状态，则确定闪存中是否需要合并操作。 如果不需要合并操作，则控制闪存以便处理输入命令。
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公开(公告)号：KR1020060021099A
公开(公告)日：2006-03-07
申请号：KR1020040069929
申请日：2004-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/10
Abstract: 본 발명은 기입 단위가 서로 다른 호스트와 낸드 플래시 메모리에 있어서, 낸드 플래시 메모리에 데이터를 기입하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 상기 호스트로부터 제 1 단위의 데이터를 받아들여 저장하는 단계와 더미 동작을 수행하는 단계가 이루어진다. 이러한 동작은 N-1번째 제 1 단위의 데이터가 받아들여질 때까지 행하여진다. 그리고 N번째 제 1 단위의 데이터가 받아들여질 때 상기 더미 동작이 수행된 데이터와 N번째 데이터가 낸드 플래시 메모리에 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020060010617A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020040059384
申请日：2004-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/08
CPC classification number: G06F12/123 , G06F12/08 , G06F2212/2022 , Y02D10/13
Abstract: A page replacement method is provided. The page replacement method includes (a) establishing a first page list in which a plurality of pages in a main memory are listed in an order that they have been used, (b) establishing a second page list in which some of the pages in the main memory whose images are stored in a storage medium are listed in an order that they have been used, and (c) storing data downloaded from the storage medium in the pages included in the second page list in an order opposite to the order that the corresponding pages are listed in the second page list.
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