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公开(公告)号：KR102154188B1
公开(公告)日：2020-09-09
申请号：KR1020140111708
申请日：2014-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
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公开(公告)号：KR1020170126072A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：KR1020160055607
申请日：2016-05-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/8234 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/10885 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10852 , H01L27/10876
Abstract: 반도체소자가제공된다. 반도체소자는셀 영역, 코어영역, 및상기셀 영역과상기코어영역사이의경계영역을포함하는기판, 활성영역들과공통적으로연결되며제 1 방향을따라상기경계영역으로연장되는셀 도전라인들, 상기셀 도전라인들과연결되며상기경계영역상으로부터상기코어영역으로연장되는코어도전라인들, 및상기경계영역에서, 상기코어도전라인들아래에제공되고상기셀 도전라인들각각으로부터수평적으로연장되는더미라인들을포함하고, 상기더미라인들각각은제 1 절연패턴, 상기제 1 절연패턴상의제 2 절연패턴, 및상기제 1 절연패턴의측벽상의스페이서를포함하고, 상기더미라인들의측벽은단차부분(step portion)을포함하고, 상기제 1 절연패턴의상면은상기단차부분보다낮다.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件。 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域，核心区域以及单元区域和核心区域之间的边界区域;单元导线，共同连接到有源区域并且沿着第一方向延伸到边界区域; 连接到单元导线并从边界区域的顶部延伸到核心区域的核心导线以及在核心导线下方延伸并从每个单元导线水平延伸的第二导电导线， 其中每条虚拟线包括第一绝缘图案，第一绝缘图案上的第二绝缘图案以及第一绝缘图案的侧壁上的间隔件， 并且第一绝缘图案的顶表面低于台阶部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130135603A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR1020120059323
申请日：2012-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/143
Abstract: A phase change memory device includes a phase change memory unit and a heat sink. The phase change memory unit includes a phase change material pattern; a lower electrode formed in the lower part of the phase change material pattern and heating the phase change material pattern; and an upper electrode formed in the upper part of the phase change material pattern. The upper surface of the heat sink is lower than the lower surface of the upper electrode. The heat sink is separated from the phase change memory unit and absorbs the heat emitted from the phase change memory unit. [Reference numerals] (AA) Example 3;(BB) Second direction
Abstract translation: 相变存储器件包括相变存储器单元和散热器。 相变存储器单元包括相变材料图案; 形成在所述相变材料图案的下部的下部电极，并加热所述相变材料图案; 以及形成在相变材料图案的上部的上电极。 散热器的上表面比上电极的下表面低。 散热器与相变存储器单元分离并吸收从相变存储器单元发出的热量。 （标号）（AA）实施例3;（BB）第二方向
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公开(公告)号：KR101300838B1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：KR1020070105262
申请日：2007-10-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04L9/3271 , H04L2209/08 , H04L2209/805
Abstract: 로테이션을 이용한 태그 인증 방법 그리고 상기 방법을 수행하는 태그 및 리더를 개시한다. 태그 인증 방법은, 리더가 제1 난수를 생성하여 태그로 전송하는 단계, 상기 리더가 상기 태그로부터 제2 난수 및 제1 검증값을 수신하는 단계, 상기 리더가 상기 제1 난수 및 상기 제2 난수에 기초하여 제2 검증값을 계산하는 단계 및 상기 리더가 상기 제1 검증값 및 상기 제2 검증값을 비교하는 단계를 포함한다.
RFID(Radio Frequency Identification), 리더(reader), 태그(tag), 로테이션 함수(rotation function)-
公开(公告)号：KR1020060059443A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098538
申请日：2004-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852
Abstract: 커패시터 및 이를 갖는 디램 장치를 제조하는 방법에서, 커패시터를 형성하기 위하여 우선 기판 상에 콘택 플러그의 표면을 노출시키는 개구부를 갖는 몰드 막을 형성한다. 상기 개구부 측벽, 저면 및 몰드막의 상부면에 하부 전극용 금속막을 연속적으로 형성한다. 상기 개구부 내부를 채우는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 하부 전극용 금속막을 부분적으로 제거시켜 실린더형 하부 전극을 형성한다. 상기 몰드막 하부의 구조물들이 손상되는 것을 상기 포토레지스트 패턴에 의해 저지하면서 상기 몰드막을 선택적으로 제거한다. 상기 포토레지스트 패턴을 제거한다. 다음에, 상기 층간 절연막, 하부 전극 외벽, 내벽 및 내부 저면 상에 유전막을 형성한 후 상부 전극을 형성함으로서 커패시터를 완성한다. 상기 공정에 의하면, 커패시터의 하부 전극과 전기적으로 접속하는 콘택 플러그의 손상을 최소화할 수 있다.
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公开(公告)号：KR200183044Y1
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：KR2019960015573
申请日：1996-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박태진
IPC: H01J29/16
Abstract: 본 고안은 디스플레이 장치의 고압 안정화 회로에 관한 것으로, 상세하게는 수평동기 주파수를 인식하는 마이컴이, 주파수 대역에 따라 스위칭 신호를 제공하고, 이 신호에 따라 코일의 인덕턴스가 결정되는 트랜스 포머를 플라이백 트랜스 포머의 1차 코일측에 연결 하므로서, 수평 주파수의 변화, 또는 고압의 변화에 따라 FBT에 적정 전압을 공급할 수 있는 광대역 고압 안정화 회로에 관한 것으로, CRT의 애노드 단에 고전압을 제공하기 위한 고압 드라이브 회로와, 출력 전압을 증폭하는 고압 출력 회로와, CRT의 애노드단에 고압을 유도하는 FBT와, 수평동기 주파수를 입력 받아 전류 조절 대역폭을 달리 출력하는 마이컴과, 마이컴의 제어 신호에 의해 코일의 인덕턴스가 결정되어 FBT의 2차측 코일에 유기되는 전압을 가변 시킬 수 있는 트랜스 포머를 구� ��하여, 입력되는 수평 주파수에 따라 전류를 콘트롤 함으로서 고압 출력단(32)의 1차측 코일에 흐르는 전류를 조절하여 고압 출력단의 안정된 동작을 기대할 수 있는 효과를 가진다.
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公开(公告)号：KR100195620B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960065937
申请日：1996-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박태진
IPC: G09G1/00
Abstract: 음극선관을 화상의 표시장치로 사용하고 있는 기기에서 전원을 온하거나 또는 DPMS(Display Power Management Signaling)에서 전원 온 모드로 복귀할 경우에 히터를 빠른 속도로 가열하는 것으로서 음극선관의 히터에 인가되는 정격 전압보다 높은 전압을 발생하는 전원 발생 수단을 구비하고, 기기의 전원을 온하거나 DPMS에서 전원 온 모드일 경우에 초기의 미리 설정된 시간동안 순간 가열 신호 발생수단이 발생하는 펄스신호에 따라 초기 가열 수단이 상기 전원 발생 수단이 발생한 정격 전압보다 높은 전압을 히터에 인가하여 히터가 빠른 속도로 가열되게 함으로써 음극선관이 안정된 화상을 재현할 수 있는 시간을 단축하며, 초기의 미리 설정된 시간이 경과될 경우에 상기 전원 발생 수단이 발생한 전압을 전압 강압 수단이 정격 전압으로 강하시킨 후 히터에 � ��정된 전압을 인가하여 계속 가열시킨다.
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