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公开(公告)号：KR1020140143875A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：KR1020130065491
申请日：2013-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/02 , B82Y40/00 , C09K11/0805 , C09K11/0811 , C09K11/56 , C09K11/62 , C30B7/14 , C30B29/40 , C30B29/48 , C30B29/60 , Y02P20/542
Abstract: 유기 용매 중에서 금속 전구체, 비금속 전구체, 리간드 화합물, 및 이온성 액체를 포함하는 반응 혼합물을 얻는 단계; 및 상기 반응 혼합물 내에서 상기 금속 전구체와 상기 비금속 전구체 간의 반응을 수행하여 제1 반도체 나노 결정을 형성하는 단계를 포함하는 나노 결정 합성 방법이 제공된다.
Abstract translation: 本发明提供一种纳米晶体合成方法，包括：从有机溶剂中获得包括金属前体，非金属前体，配体化合物和离子液体的反应混合物的步骤; 以及通过在反应混合物中进行金属前体和非金属前体之间的反应来形成第一半导体纳米晶体的步骤。
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62.发明授权
公开(公告)号：KR101462655B1
公开(公告)日：2014-12-02
申请号：KR1020080087959
申请日：2008-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B82B3/00
CPC classification number: C09K11/565 , B82Y30/00 , C01B19/007 , C01G1/12 , C01G11/02 , C01P2002/84 , C01P2002/86 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C09C1/10 , C09K11/883
Abstract: 본발명의구현예들은장기적안정성이우수한나노결정-금속산화물복합체를간단하고용이한방법으로제조하는방법, 높은발광효율및 균일한발광파장을갖는나노결정-금속산화물복합체및 이를사용한발광소자를개시한다.
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公开(公告)号：KR1020140062544A
公开(公告)日：2014-05-26
申请号：KR1020120127465
申请日：2012-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/02 , C09K11/883 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , Y02B20/181 , H01L2924/00014
Abstract: The present invention relates to a light emitting device and, especially, to a white light emitting device including a fluorescent substance and semiconductor nanocrystals. Provided is the light emitting device including a blue light source, a fluorescent substance, and semiconductor nanocrystals and forming white light that a color rendering index (CRI) and a red color rending index (R9) are more than 90. By including the fluorescent substance and the semiconductor nanocrystals, light emitting efficiency of the light emitting device is not reduced with the high color rendering index and red color rendering index.
Abstract translation: 本发明涉及一种发光器件，特别涉及包括荧光物质和半导体纳米晶体的白色发光器件。 提供了包括蓝色光源，荧光物质和半导体纳米晶体的发光器件，并且形成显色指数（CRI）和红色反射指数（R9）大于90°的白光。通过包括荧光物质 并且半导体纳米晶体，发光器件的发光效率不会随着高显色指数和红色显色指数而降低。
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公开(公告)号：KR1020110110669A
公开(公告)日：2011-10-07
申请号：KR1020100030137
申请日：2010-04-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 나노결정, 말단에 반응성 작용기를 가지는 실리콘 수지(silicone resin) 및 실란기-함유 화합물, 실라잔 화합물 및 이들의 조합에서 선택되는 화합물을 포함하는 나노결정/수지 조성물이 제공된다. 또한 실리콘 수지 매트릭스, 상기 실리콘 수지 매트릭스에 분산되어 있는 복수의 나노결정 클러스터 및 상기 나노결정 클러스터를 둘러싸는 버퍼층을 포함하고, 상기 버퍼층은 실란기-함유 화합물, 실라잔 화합물 및 이들의 조합에서 선택되는 화합물을 포함하는 나노결정-수지 복합체가 제공된다.
Abstract translation: 纳米颗粒 - 树脂组合物包括纳米颗粒，在其末端具有反应性官能团的硅氧烷树脂和选自含硅烷基化合物，硅氮烷化合物或包含至少一种前述物质的组合的化合物。 此外，纳米粒子 - 树脂复合体包括：硅酮树脂基体，其包含其末端具有反应性官能团的有机硅树脂的固化产物，分散在有机硅树脂基质中的多个纳米颗粒簇，以及封装纳米颗粒的缓冲层 簇。 缓冲层包括选自含硅烷基化合物，硅氮烷化合物或包含至少一种前述化合物的组合的化合物。
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公开(公告)号：KR1020110109714A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020100029560
申请日：2010-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: H01L33/504 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , G02F1/133603 , G02F2001/133614 , H01L33/505 , Y02B20/181 , G02F1/133609 , G02F1/133514 , G02F2202/36
Abstract: 백색 발광 다이오드 및 상기 백색광을 이용하여 화상을 구현하는 액정 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 백색 발광 다이오드는 청색광을 방출하는 LED 광원 및 상기 LED 광원으로부터 입사된 광을 백색광으로 전환시키는 광전환층을 포함하고, 상기 광전환층은 녹색 발광 반도체 나노결정 및 적색 발광 반도체 나노결정을 포함한다. 상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광피크 파장은 약 530nm 이상이고, 상기 적색 반도체 나노 결정의 발광피크 파장은 약 615nm 이상이고, 상기 녹색 및 적색 발광 반도체 나노결정의 발광피크의 반치폭(Full width at half maximum, FWHM)이 약 45nm 이하이다. 또한 상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼이 녹색 컬러 필터를 투과하는 비율은 녹색 컬러 필터의 최대 투과율의 95% 이상이고, 적색 컬러 필터를 투과하는 비율은 적색 컬러 필터 최대 투과율의 약 10% 미만이며, 상기 적색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼이 적색 컬러 필터를 투과하는 비율은 적색 컬러 필터의 최대 투과율의 약 95% 이상이고, 녹색 컬러 필터를 투과하는 비율은 녹색 컬러 필터의 최대 투과율의 약 10% 미만이다.
Abstract translation: 提供了使用白光实现图像的白色发光二极管和液晶显示装置。 白色发光二极管包括蓝色发光二极管（“LED”）光源，以及将来自LED光源的入射光转换成白光的光转换层。 光转换层包括绿色发光半导体纳米晶体和红色发光半导体纳米晶体。 绿色发光半导体纳米晶体的发光峰值波长为约520nm（nm）以上，红色半导体纳米晶体的发光峰值波长为约610nm（nm）以上，全宽为半峰（FWHMs ）绿色和红色发光半导体纳米晶体的发光峰值约为45纳米（nm）以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090115262A
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：KR1020080041004
申请日：2008-05-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to increase a life and light emission efficiency and obtain high color reproduction by forming a flat mold resin unit after curing of the mold resin unit. CONSTITUTION: A circuit board(21) has a concave part. A reflective surface and an excitation source(23) are mounted on a bottom part of the concave unit. A mold resin unit is formed in the upper part of the reflective surface and the excitation source. A surface induction film(26) is formed on the upper side of the mold resin unit. A light conversion layer(24) is formed on the surface induction film. The mold resin unit includes the epoxy or silicon based polymer.
Abstract translation: 目的：提供发光器件及其制造方法，以通过在模制树脂单元固化之后形成平模树脂单元来提高寿命和发光效率并获得高色彩再现。 构成：电路板（21）具有凹部。 反射表面和激发源（23）安装在凹形单元的底部。 模制树脂单元形成在反射表面的上部和激发源中。 表面感应膜（26）形成在模制树脂单元的上侧。 在表面感应膜上形成光转换层（24）。 模制树脂单元包括环氧树脂或硅基聚合物。
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公开(公告)号：KR100901947B1
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：KR1020060066231
申请日：2006-07-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/504 , C09K11/02 , C09K11/08 , C09K11/565 , C09K11/883 , Y02B20/181
Abstract: 본 발명은 청색 발광 다이오드(LED) 상에 적색 발광체와 녹색 발광체를 포함하는 발광층이 형성된 백색 발광 다이오드로서, 상기 발광층이 1종 이상의 무기 형광체와 1종 이상의 반도체 나노결정을 모두 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 백색 발광 다이오드는 색순도가 좋고 발광효율 및 광안정성이 향상되어 각종 표시장치의 광원으로 사용될 수 있다.
백색 발광 다이오드, 청색 발광 다이오드, 녹색 발광 반도체 나노결정, 적색 발광 반도체 나노결정, 액정 표시장치, 백라이트 유닛-
公开(公告)号：KR100900866B1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：KR1020070044974
申请日：2007-05-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드 칩과 상기 발광다이오드 칩의 발광면 위에 실장된 나노결정-금속산화물 복합체 모노리스(nanocrystal-metal oxide monolith)를 포함하는 나노결정-금속산화물 복합체를 이용하는 발광 다이오드 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서와 같이 나노결정-금속산화물 복합체를 모노리스(monolith) 형태로 제조하여 발광다이오드의 발광층으로 형성하면, 나노결정의 특성을 유지하면서 고농도로 분산할 수 있으며, 안정성을 향상시킬 수 있다. 특히 본 발명의 발광 다이오드 소자는 발광다이오드 소자의 인캡슐레이션에 사용되는 고분자 수지에 의한 화학적 손상이 감소되어 발광효율이 우수하고 안정성이 뛰어난 이점을 가진다.
발광 다이오드 소자, 발광 다이오드 칩, 나노결정-금속산화물 복합체, 모노리스, 발광효율, 안정성-
公开(公告)号：KR1020090024618A
公开(公告)日：2009-03-09
申请号：KR1020080077613
申请日：2008-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B82B3/00
CPC classification number: C01B19/007 , B82Y30/00 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09C1/10 , C09C1/12 , Y10T428/2995
Abstract: A nano crystalline-metal oxide complex is provided to stand well in mechanical stress and to improve workability and mechanical stability. A nano crystalline-metal oxide complex is manufactured by combining nano-crystalline with metal oxide having organic functional group. The metal oxide having organic functional group is a compound expressed by a chemical formula 1. In the chemical formula 1; A is N, NH, S, COO-, PO3H- or PO32-; R1 is alkylene more than one carbon number, alkene more than two carbon numbers or cyclic compound more than three carbon numbers; B is one or more; M is Ti, Zn, Si, Sn, W, Ta,Zr, Hf, Al, Y, Fe, Ce or Cr; R2, R3 and R4 are alkylene more than one carbon number, alkene more than two carbon number and dimorphism cyclic compound more than 3 carbon numbers comprising N, S, O and P; k is an integer of 1 to 20; l, m and n are an integer including 0; and x, y and z are an integer of 1 to 3.
Abstract translation: 提供纳米结晶 - 金属氧化物复合物以在机械应力中保持良好并且改善可加工性和机械稳定性。 通过将纳米结晶与具有有机官能团的金属氧化物组合制造纳米结晶金属氧化物复合物。 具有有机官能团的金属氧化物是由化学式1表示的化合物。在化学式1中， A是N，NH，S，COO-，PO3H-或PO32-; R1是亚烷基多于一个碳数，烯烃多于2个碳数或环状化合物多于3个碳数; B是一个或多个; M是Ti，Zn，Si，Sn，W，Ta，Zr，Hf，Al，Y，Fe，Ce或Cr; R2，R3和R4是多于一个碳数的亚烷基，多于2个碳原子的烯烃和包含N，S，O和P的多于3个碳数的二形态环状化合物; k为1〜20的整数， l，m和n是包括0的整数; x，y和z为1〜3的整数。
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公开(公告)号：KR1020080104574A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：KR1020070051517
申请日：2007-05-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , B82Y20/00
CPC classification number: H01L27/14667 , H01L27/1462 , H01L27/14694 , H01L27/14696 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/036
Abstract: The image sensor using the semiconductor nanocrystal using the light conducting property of nano-crystalline is provided to implement the high definition and high-sensitivity by using the undoped semiconductor quantum structure. The image sensor comprises the pixel electrode(230), the photoconductive conversion layer(240R, 240G, 240B), the color filter(250R, 250G, 250B), the common electrode(260) formed on the semiconductor substrate(210). The photoconductive conversion layer includes the semiconductor nanocrystal. The insulating layer(220) is laminated on the surface of the semiconductor substrate. The electric charge transportation means is buried in the insulating layer.
Abstract translation: 提供使用纳米晶体的导光性的使用半导体纳米晶体的图像传感器，以通过使用未掺杂的半导体量子结构来实现高清晰度和高灵敏度。 图像传感器包括形成在半导体衬底（210）上的像素电极（230），光电导转换层（240R，240G，240B），滤色器（250R，250G，250B），公共电极（260）。 光电导转换层包括半导体纳米晶体。 绝缘层（220）层叠在半导体基板的表面上。 电荷输送装置埋在绝缘层中。
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