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公开(公告)号：KR100271761B1
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：KR1019970061935
申请日：1997-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A method for controlling a developing apparatus for manufacturing a semiconductor device is provided to improve productivity, by generally using photoresist, and by shortening manufacturing time. CONSTITUTION: Photoresist is applied on a predetermined layer formed on a semiconductor substrate. Exposure and development processes are sequentially formed to selectively eliminate the photoresist. The predetermined layer exposed by selectively eliminating the photoresist is etched. The photoresist remaining in a predetermined region of the semiconductor substrate after the photoresist is selectively removed, is completely stripped by using dimethylacetamide.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制用于制造半导体器件的显影装置的方法，以通过通常使用光致抗蚀剂并缩短制造时间来提高生产率。 构成：将光刻胶施加在形成在半导体衬底上的预定层上。 依次形成曝光和显影处理以选择性地去除光致抗蚀剂。 通过选择性地去除光致抗蚀剂而暴露的预定层被蚀刻。 光致抗蚀剂被选择性除去之后残留在半导体衬底的预定区域中的光致抗蚀剂通过使用二甲基乙酰胺被完全剥离。
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公开(公告)号：KR100253086B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019970035185
申请日：1997-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02071 , H01L21/02063
Abstract: PURPOSE: A cleaning composition and a method for manufacturing semiconductor devices using the same are provided to have a good cleaning effect and to prevent consumption of a hemispheric silicon layer upon a cleaning process. CONSTITUTION: A cleaning composition comprises HF of 0.01 - 10 weight%, H2O2 of 1 - 10weight%, isopropyl alcohol(IPA) of 0.01 - 30 weight% and H2O of a small quantity. A method for manufacturing semiconductor devices using the cleaning composition forms an insulating film(12) on a semiconductor substrate(10). A contact hole is formed at a specific location of the insulating film(12). A polysilicon layer as the first conductive layer is formed on the entire surface. A storage electrode pattern(14') is formed by a conventional photolithography process. The insulating film(12) is under-cut so that a portion of the bottom of the storage electrode pattern(14') can be exposed. After a dielectric film of a capacitor is formed on the exposed surface of the storage electrode pattern(14'), an upper electrode of a capacitor is formed. A hemispheric silicon layer (HSG,16) is formed on the exposed surface of the storage electrode pattern(14').
Abstract translation: 目的：提供一种清洁组合物和使用其的制造半导体器件的方法以具有良好的清洁效果并且防止在清洁过程中半球硅层的消耗。 构成：清洁组合物包含0.01-10重量％的HF，1-10重量％的H 2 O，0.01-30重量％的异丙醇（IPA）和少量的H 2 O。 使用该清洗组合物制造半导体器件的方法在半导体衬底（10）上形成绝缘膜（12）。 在绝缘膜（12）的特定位置处形成接触孔。 在整个表面上形成作为第一导电层的多晶硅层。 存储电极图案（14'）通过常规的光刻工艺形成。 绝缘膜（12）被切下，使得存储电极图案（14'）的底部的一部分能够被暴露。 在存储电极图案（14'）的暴露表面上形成电容器的电介质膜之后，形成电容器的上部电极。 在存储电极图案（14'）的露出表面上形成半球硅层（HSG，16）。
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公开(公告)号：KR100189777B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019950056415
申请日：1995-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N21/00
Abstract: 본 발명은 용액에 함유된 불순물 입자들의 수를 측정하는 불순물 입자 측정 시스템에 관한 것으로, 본 발명에 따른 시스템은 화학약품 용액이 흐르는 통로(10)상에 설치되는 불순물 입자 계수기(12)와, 3-웨이 밸브들(14, 16)과, 세정액 탱크(18)와, 순수 탱크(20)와, 표준 용액 탱크(22)와, 이 탱크들(18, 20, 22)의 용액을 순환시키기 위한 순환계로 구성됨으로써, 비전문가들에 의해서도 직업 수행이 가능하고 세정을 위한 계수기의 철거가 불필요하므로 작업 시간이 단축되고 작업의 신뢰성 및 효율성이 향상된다.
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公开(公告)号：KR1019980040774A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960060011
申请日：1996-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 전필권
IPC: H01L21/304
Abstract: 공정에 이용된 용기를 자동으로 세정시켜서 케미컬을 수용하는 용기의 청결성을 유지시키도록 하는 반도체장치 제조용 용기 세정 시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 케미컬을 수용하는 용기를 자동으로 세정하는 반도체장치 제조용 용기 세정 시스템에 있어서, 이소프로필 알콜(IPA)과 초순수와 질소 및 케미컬을 공급받아서 자동 이소프로필 순환 세정공정과 자동 초순수 순환 세정공정과 히팅 및 질소 퍼지 공정 및 진공배기공정을 순차적으로 수행하는 세정장치, 상기 세정장치의 외곽을 코일로 둘러싸고 가열시키는 히팅수단 및 상기 공정들이 순차적으로 수행되도록 상기 세정장치 및 상기 히팅수단의 동작을 제어하는 제어수단을 구비하여 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 용기를 상당한 수준의 청결성을 갖도록 세정할 수 있고, 세정이 자동화되어 작업이 편리하며, 오염이 발생되지 않아서 케미컬의 순도가 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980040763A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960060000
申请日：1996-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 전필권
IPC: H01L21/66
Abstract: 회전력을 제공하는 동력장치의 회전축과 설비의 구동축 사이에 정확한 회전력을 전달하도록 연결 설치되는 반도체설비의 커플러 조립체에 관한 것이다.
본 발명은 상호 대응하는 결합구조의 암· 수 커플러가 다수개 공급라인에 각각 설치되어 이루어진 커플러 조립체에 있어서, 상기 암· 수 커플러의 결합 부위에 각기 다른 형상의 요철을 형성하여 상호 부합되는 형상의 상기 암· 수 커플러만이 결합되도록 형성됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 커플러 조립체의 상호 대응하는 암· 수 커플러가 정확히 대응 결합되도록 형성됨에 따라 제대로 연결되는지를 확인 작업이 없으며, 케미컬의 혼합 사고를 방지하고, 케미컬 혼합 사고에 의한 공정 불량을 방지하며, 불필요한 케미컬 공급라인의 세정 및 교체가 없게 되는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019970048401A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950056415
申请日：1995-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N21/00
Abstract: 본 발명은 용액에 함유된 불순물 입자들의 수를 측정하는 불순물 입자측정 시스템에 관한 것으로, 본 발명에 따른 시스템은 화확약품 용액이 흐르는 통로(10)상에 설치되는 불순물 입자 계수기(12)와, 3-웨이 밸브들(14,16)과, 세정액 탱크(18)와, 순수 탱크(20)와, 표준 용액 탱크(22)와, 이 탱크들(18,20,22)의 용액을 순환시키기 위해 순환계로 구성됨으로써, 비전문가들에 의해서도 작업 수행이 가능하고 세정을 위한 계수기의 철거가 불필요하므로 작업 시간이 단축되고 작업의 신뢰성 및 효울성이 향상된다.
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公开(公告)号：KR1020120083170A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：KR1020110004678
申请日：2011-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C25D5/02 , C25D21/12 , H01L21/288 , H01L21/312
CPC classification number: C25D21/12
Abstract: PURPOSE: A plating method using a photo-resist residue analysis method for a plating solution is provided to determine the use of plating solution by analyzing the content of photo-resist residue in a plating solution. CONSTITUTION: A plating method using a photo-resist residue analysis method for a plating solution is as follows. The plating solution(15) is provided to a plating bath(10). A first wafer(51) having lower metal wires and photo-resist pattern is dipped in the plating bath. The plating processes are composed of first and second steps. An analyzing step analyzing photo-resist residue is performed between the two steps.
Abstract translation: 目的：提供一种使用电镀液的光致抗蚀剂残留分析方法的电镀方法，以通过分析电镀液中的光致抗蚀剂残留物的含量来确定电镀液的用途。 构成：使用电镀液的光致抗蚀剂残留分析方法的电镀方法如下。 电镀液（15）设置在镀浴（10）中。 将具有下金属线和光致抗蚀剂图案的第一晶片（51）浸入镀浴中。 电镀工艺由第一步和第二步组成。 在两个步骤之间执行分析光刻胶残留物的分析步骤。
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公开(公告)号：KR100792694B1
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：KR1020050074938
申请日：2005-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N21/25
Abstract: 케미컬 용액의 오염도 측정 방법 및 이의 시스템에 관한 것으로서, 제1 파장에서 케미컬 용액의 샘플에 대한 제1 광학 특성을 검출하고, 제2 파장에서의 예상 광학 특성을 상기 제1 광학 특성을 이용하여 예측한다. 그리고, 제2 파장에서 상기 샘플의 제2 광학 특성을 검출한다. 이어서, 상기 제2 광학 특성과 상기 예상 광학 특성을 비교하여 상기 샘플 내의 특정 오염 물질의 오염도를 측정한다.
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