公开(公告)号：KR1020120088175A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：KR1020110009334

申请日：2011-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김국주 ,  김진호 ,  채승기 ,  전필권 ,  박선희 ,  변경은

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L21/76829 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A semiconductor element and a manufacturing method thereof are provided to prevent the defect of the semiconductor element due to moisture and gas of an inner film by increasing discharging paths of moisture and gas. CONSTITUTION: A first interlayer insulating film(14) is formed on a substrate(10). A first conductive pattern(20) and a second interlayer insulating film(22) are formed on the first interlayer insulating film. A second conductive pattern(28) is formed on the second interlayer insulating film. A third interlayer insulating film(30) is formed in the gap between the second conductive patterns.

Abstract translation: 目的：提供半导体元件及其制造方法，以通过增加水分和气体的排放路径来防止由于内膜的湿气和气体导致的半导体元件的缺陷。 构成：在衬底（10）上形成第一层间绝缘膜（14）。 第一导电图案（20）和第二层间绝缘膜（22）形成在第一层间绝缘膜上。 第二导电图案（28）形成在第二层间绝缘膜上。 第三层间绝缘膜（30）形成在第二导电图案之间的间隙中。

公开(公告)号：KR100741991B1

公开(公告)日：2007-07-23

申请号：KR1020060059054

申请日：2006-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  제일모직주식회사

Inventor： 황동원 ,  김국주 ,  라정인 ,  전필권 ,  채승기 ,  이양구

IPC: C09K13/08 ,  C09K13/06

Abstract: Provided are a silicon oxide etching solution, which is able to etch silicon oxide easily while minimizing damage to metal silicide, and a method of forming a contact hole using the etching solution, which prevents damage to the metal silicide. The silicon oxide etching solution is applied to a process for enlarging the width of a contact hole(30) formed on an oxide film(20) covering a metal silicide pattern, and comprises 0.01-2wt% of ammonium bifluoride, 2-35wt% of an organic acid, 0.05-1wt% of an inorganic acid, and an excess of a low polar organic solvent. The silicone oxide film(20) includes a BPSG oxide film(22) and a high density plasma silicon oxide film(24). The silicon oxide etching solution has an etching selectivity for the high density plasma oxide film(24) and the BPSG oxide film(22) of 1:1.2-2.5.

Abstract translation: 本发明提供一种能够在使金属硅化物的损伤最小化的同时容易地蚀刻氧化硅的氧化硅蚀刻液以及使用该蚀刻液形成接触孔的方法，该方法防止金属硅化物的损伤。 该氧化硅蚀刻溶液被应用于用于扩大在覆盖金属硅化物图案的氧化物膜（20）上形成的接触孔（30）的宽度的工艺，并且包含0.01-2wt％的氟化氢铵，2-35wt％的 有机酸，0.05-1重量％的无机酸和过量的低极性有机溶剂。 氧化硅膜（20）包括BPSG氧化物膜（22）和高密度等离子体氧化硅膜（24）。 氧化硅蚀刻溶液对于高密度等离子体氧化物膜（24）和BPSG氧化物膜（22）具有1：1.2-2.5的蚀刻选择性。

公开(公告)号：KR1020060112356A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050034666

申请日：2005-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌정 ,  이양구 ,  전필권 ,  박상오 ,  우재영

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/04 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67126

Abstract: A cleaning apparatus is provided to prevent micro particles from being absorbed to a wafer by forming a laminar flow in which drying fluid flowing through the surface of a wafer flows uniformly while the wafer is erect in a dry chamber. Process liquid for cleaning a processed article is filled in a cleaning bath(110). Fluid for drying the processed article is supplied to the upper part of a dry chamber(120) disposed in the upper part of the cleaning bath. A transfer unit transfers the processed article, transferring between the dry chamber and the cleaning bath. An exhaust plate(140) exhausts the drying fluid supplied to the inside of the dry chamber, disposed in the lower part of the dry chamber to seal the dry chamber and capable of gliding. A plurality of exhaust holes(116) are formed in the upper surface of the exhaust plate, having different areas according to the disposition position of the holes.

Abstract translation: 提供一种清洁装置，用于通过形成流过晶片表面的干燥流体在晶片在干燥室中直立的同时流动的层流，从而防止微粒子被晶片吸收。 用于清洁加工品的处理液被填充在清洗槽（110）中。 用于干燥经处理制品的流体被供应到设置在清洗槽上部的干燥室（120）的上部。 转运单元传送处理过的物品，在干燥室和清洗槽之间传送。 排气板（140）将供给到干燥室内部的干燥流体排出，设置在干燥室的下部，以密封干燥室并能够滑动。 在排气板的上表面形成有多个排气孔（116），根据孔的配置位置具有不同的面积。

公开(公告)号：KR1020050099721A

公开(公告)日：2005-10-17

申请号：KR1020040024897

申请日：2004-04-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황동원 ,  전필권 ,  이성재 ,  이재석 ,  전상문 ,  도인회

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02057

Abstract: 금속 이온과 결합하여 착화합물을 형성할 수 있는 적어도 1 종류의 유기 화합물로 이루어지는 킬레이트제와, 순수(de-ionized water)와, pH 조절제로 이루어지는 웨이퍼 세정액의 금속 측정 시약과, 웨이퍼 세정액의 금속 오염 모니터링 장치 및 방법에 관하여 개시한다. 금속 측정 시약은 전이금속 이온 또는 중금속 이온과 결합하여 착화합물을 형성할 수 있는 제1 킬레이트제, 3족 금속 이온과 결합하여 착화합물을 형성할 수 있는 제2 킬레이트제, 또는 상기 제1 킬레이트제 및 상기 제2 킬레이트제의 혼합물로 이루어진다. 세정조 내의 세정액에서의 금속 오염을 실시간으로 모니터링하여, 세정액 중의 Al을 포함한 모든 금속에 대하여 그 오염량을 실시간으로 정확하게 검출하기 위하여 세정액과 상기 금속 측정 시약이 소정의 부피비로 혼합된 혼합 유체를 형성하여 착화합물을 형성하고, 혼합 유체의 흡광도 변화를 모니터링한다.

公开(公告)号：KR1020050037332A

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：KR1020040000235

申请日：2004-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  전상문 ,  도인회 ,  전필권 ,  이상미 ,  임광신 ,  한명옥

IPC: H01L21/306

CPC classification number: C09K13/08 ,  C11D1/008 ,  C11D1/72 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31111

Abstract: 높은 식각 선택비를 갖는 식각 조성물, 이의 제조 방법, 이를 이용한 산화막의 선택적 식각 방법 및 반도체 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 식각 조성물은 불화수소용액 약 0.1∼8 중량％, 불화암모늄 약 10∼25 중량％, 비이온성 고분자 계면활성제 약 0.0001∼3 중량％ 및 나머지 중량％의 순수를 포함한다. 폴리실리콘으로 이루어진 패턴 또는 스토리지 전극을 효과적으로 보호할 수 있는 식각 조성물을 사용하여 습식 식각 공정으로 산화막을 선택적으로 제거하기 때문에, 높은 식각 선택비로 산화막을 제거할 수 있는 동시에 폴리실리콘막이 손상을 입는 것을 방지할 수 있다. 또한, 산화막을 선택적으로 제거하는 습식 식각 공정의 식각 균일성을 크게 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050013880A

公开(公告)日：2005-02-05

申请号：KR1020030052465

申请日：2003-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상오 ,  이헌정 ,  전필권

IPC: H01L21/68

CPC classification number: Y02E40/62

Abstract: PURPOSE: A wafer flat zone aligner is provided to remove particles generated from a rotary roller by forming a vacuum absorption device or a particle removal module at a couple of rotary rollers. CONSTITUTION: A couple of rotary rollers(3) are installed in parallel on a top part of a main body. A driver unit is installed at one side of the main body in order to rotate the rotary roller. A wafer sensing unit is installed at one side of the rotary roller in order to sense a wafer. An absorbing groove(31) is formed in a spiral shape on an outer circumference of the rotary roller. An absorbing hole(32) is formed in a center of the rotary roller in order to be connected to the absorbing groove. A vacuum pump(33) is connected to the absorbing hole in order to generate vacuum absorption power.

Abstract translation: 目的：通过在一对旋转辊上形成真空吸收装置或颗粒去除模块，提供晶片平面区域对准器以去除由旋转辊产生的颗粒。 构成：几个旋转辊（3）平行安装在主体的顶部。 驱动单元安装在主体的一侧以便旋转旋转辊。 晶片感测单元安装在旋转辊的一侧以便感测晶片。 在旋转辊的外圆周上形成有螺旋状的吸收槽31。 在旋转辊的中心形成吸收孔（32），以连接到吸收槽。 真空泵（33）连接到吸收孔，以产生真空吸收力。

公开(公告)号：KR1020040099201A

公开(公告)日：2004-11-26

申请号：KR1020040083689

申请日：2004-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌정 ,  박상오 ,  고용균 ,  전필권

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/68785

Abstract: PURPOSE: Wafer guides used in cleaning and dry processes of a semiconductor substrate is provided to increase dry efficiency of wafers by using an auxiliary wafer guide broader than a main wafer guide or a wafer align unit to uniformly control intervals between the wafers. CONSTITUTION: A support panel is prepared. At least three parallel vertical panels include a central panel that crosses the center of the support panel and is attached to one surface of the support panel. The at least three parallel vertical panels has a vertical body panel(81) and a plurality of protrusions(83) defining a plurality of slots(85) that extend upward from the upper surface of the body panel and hold a plurality of semiconductor wafers(99). An alignment unit controls the real widths of the slots of at least the central panel to make the semiconductor wafers separated from each other by a uniform interval.

Abstract translation: 目的：提供用于半导体衬底的清洁和干燥工艺中的晶片引导件，以通过使用比主晶片引导件或晶片对准单元更宽的辅助晶片引导件来提高晶片的干燥效率，以均匀地控制晶片之间的间隔。 规定：准备了一个支援小组。 至少三个平行的垂直面板包括穿过支撑面板的中心并连接到支撑面板的一个表面的中心面板。 所述至少三个平行的垂直面板具有垂直的主体面板（81）和多个凸起（83），所述多个凸起（83）限定从所述主体面板的上表面向上延伸并保持多个半导体晶片的多个狭槽（85） 99）。 对准单元控制至少中心面板的槽的实际宽度，以使半导体晶片彼此间隔均匀。

公开(公告)号：KR100434485B1

公开(公告)日：2004-06-05

申请号：KR1019990043486

申请日：1999-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문상식 ,  전미숙 ,  전필권 ,  길준잉 ,  박제응 ,  전상문

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/42 ,  G03F7/30

CPC classification number: C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  H01L21/31133

Abstract: A photoresist stripper composition is formed of a mixture of acetone, gamma-butyrolactone, and ester solvent. A photoresist stripping method includes spraying the photoresist stripper composition over a substrate while rotating the substrate at a relatively low speed, so as to strip photoresist from the substrate. The rotation of the substrate is stopped for a short period of time, and thereafter the photoresist stripper composition is again sprayed over the substrate while rotating the substrate at a relatively high speed. Then, the substrate is rinsed with pure water.

Abstract translation: 光刻胶剥离剂组合物由丙酮，γ-丁内酯和酯溶剂的混合物形成。 光致抗蚀剂剥离方法包括将光致抗蚀剂剥离剂组合物喷涂在衬底上，同时以较低的速度旋转衬底，以从衬底剥离光致抗蚀剂。 在短时间内停止基板的旋转，然后将光致抗蚀剂剥离剂组合物再次喷射到基板上，同时以相对高的速度旋转基板。 然后，用纯水冲洗基材。

公开(公告)号：KR200149708Y1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR2019960002927

申请日：1996-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전필권 ,  김진성

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 고안은 반도체 웨이퍼 상에 형성된 막의 두께를 측정하는 막 두께 측정 장치에 관한 것으로, 본 고안의 측정 장치는 레퍼런스 칩의 웨이퍼로부터의 불순물 가스에 의해 오염되는 것을 방지하기 위해 스테이지에 위치한 레퍼런스 칩 주위에 복수개의 분사공을 형성하고, 이 분출공을 통하여 고온의 질소가스가 분출되어 불순물가스가 레퍼런스 칩을 오염시키지 않도록 제거하므로써, 예방 보존 시간을 줄일 수 있어 작업성이 증대되고, 측정 데이타의 신뢰성을 확보할 수 있게 되며, 공정의 안정화를 이룩할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019990011930A

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019970035185

申请日：1997-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 길준잉 ,  전필권 ,  윤민상 ,  윤영환 ,  곽규환 ,  전상문

IPC: H01L21/304

Abstract: 반도체장치의 제조에 사용되는 세정용 조성물 및 이를 이용한 반도체장치의 제조방법에 관한것이다.
본 발명의 세정용 조성물은 0.01 내지 10 중량 %의 HF, 1 내지 10 중량 %의 H
2 O
2 , 0.01 내지 30 중량 %의 IPA(Isopropyl Alcohol) 및 잔량의 H
2 0를 혼합하여 제조한 것이며, 반도체장치의 제조방법은, 반도체기판상의 콘택홀이 형성된 절연막상에 제 1 도전물질을 적층시킨 후 패터닝하여 커패시터의 하부전극을 형성하고, 노출된 하부전극의 표면상에 반구형-실리콘층(Hemi-Spherical Grained - Si; HSG-Si)을 형성하고, 세정용 조성물을 이용하여 하부전극 하부의 절연막의 일부를 언더컷하며 동시에 하부전극의 표면상에 형성되는 산화막을 제거 및 세정하며, 노출된 하부전극의 표면상에 유전체막을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 세정효과가 향상되며, 반구형 실리콘층의 소모가 발생되지 않아 큰 정전용량을 확보할 수 있으며, 공정이 단순화되는 효과가 있다.