Abstract:
본 발명은 반도체장치 제조공정 후 공정챔버에서 발생된 분석가스에 포함된 불순물에 대해서 정성 및 정량분석할 수 있는 반도체장치 제조용 불순물 분석장치에 관한 것이다. 본 발명은, 제어부의 제어에 의해서 설정된 시간동안 개폐동작을 수행하며, 분석가스가 공급되는 개폐수단, 상기 개폐수단과 연결되어 공급되는 상기 분석가스의 압력을 조절하는 오러피스 및 상기 오러피스와 연결되어 공급되는 분석가스에 포함된 불순물을 정성 및 정량분석하는 잔류가스분석기-사중극자질량분석기를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 따라서, 공정챔버 내부의 반응부산물이 불순물 분석장치 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있고, 특정시간, 특정공정환경 아래에서 분석공정을 광범위하게 수행할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 반도체장치 제조공정 후 공정챔버에서 발생된 분석가스에 포함된 불순물에 대해서 정성 및 정량분석할 수 있는 반도체장치 제조용 불순물 분석장치에 관한 것이다. 본 발명은, 제어부의 제어에 의해서 설정된 시간동안 개폐동작을 수행하며, 분석가스가 공급되는 개폐수단, 상기 개폐수단과 연결되어 공급되는 상기 분석가스의 압력을 조절하는 오러피스 및 상기 오러피스와 연결되어 공급되는 분석가스에 포함된 불순물을 정성 및 정량분석하는 잔류가스분석기-사중극자질량분석기를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 따라서, 공정챔버 내부의 반응부산물이 불순물 분석장치 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있고, 특정시간, 특정공정환경 아래에서 분석공정을 광범위하게 수행할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 고안은 장비의 제어 및 검색을 하는 감시시스템에 주로 사용되는 포터블 컴퓨터에 관한 것으로, 도난 및 정보유출을 방지할 수 있는 포터블 컴퓨터용 잠금장치에 관한 것이다. 종래의 사용중인 포터블 컴퓨터는 운반, 휴대가 용이한 이점이 있는 반면에 아무런 보호장치 및 장비 없이 사용되고 있기 때문에, 도난 당하거나 저장되어 있는 고부가 가치의 데이터가 유출될 수 있는 문제를 항상 가지고 있다. 본 고안은 상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 정보 유출 방지 및 보관시 안전성을 갖도록 한 잠금장치를 장착 하므로서, 분실 및 도난당하거나 저장되어 있는 고부가 가치의 데이터가 유출될 수 있는 문제를 사전에 예방할 수 있도록 한 것이다.
Abstract:
본 발명은 반도체소자 제조공정에 사용되는 가스 및 가스공급용 기구를 용이하게 분석할 수 있는 반도체 공정용 가스 분석장치에 관한 것이다. 본 발명은, 서로 상이한 순수가스를 공급하는 복수의 순수가스공급원, 상기 복수의 순수가스공급원과 각각 연결되는 복수의 정화장치 및 상기 정화장치와 각각 연결되고, 상기 순수가스공급원에서 방출되는 순수가스와 동일한 특정농도의 표준가스를 방출하여 상기 정화장치를 통과한 순수가스를 희석시켜 상기 순수가스에 대한 기지농도를 갖는 표준가스의 불순물 농도를 측정하기 위한 분석설비에 공급하는 복수의 표준가스공급원을 구비하여 이루어진다. 따라서, 분석공정을 용이하게 진행할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
저압기상증착 설비의 수직형 증착로(furnace)와 수직형 증착로로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급시스템을 용이하게 연결되도록 하는 가요성 스테인레스관에 파티클이 데포(depo)된 후, 데포된 파티클이 가요성 스테인레스관으로부터 분리됨으로써 반응가스와 함께 수직형 증착로로 유입된 파티클에 의한 공정 불량이 발생하는 것을 방지한 파티클 유입 방지 장치를 갖는 LP CVD 설비가 개시되고 있다. 본 발명에 의하면, 웨이퍼를 적재한 웨이퍼 보드가 로딩되어 웨이퍼에 증착막을 형성하는 증착로와, 증착로 내부에 일정 압력을 형성시켜주는 압력발생부와, 웨이퍼에 원하는 증착막이 형성되도록 증착로에 반응 가스를 공급하는 반응가스 공급시스템을 포함하며, 반응가스 공급 시스템과 증착로 사이에는 가요성 튜브가 설치되어 있고, 가요성 튜브와 증착로 사이에는 가요성 튜브에서 발생하는 파티클을 필터링하는 가요성 튜브 필터부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 반도체 제조공정을 위한 시스템 전체 및 특히 가스공급계의 오염평가를 단시간내에 효율적으로 그리고 정확하게 분석하는 반도체 제조공정용 가스공급계의 오염분석방법에 관한 것으로서, 공정 진행 중의 웨이퍼를 임의 추출하여 검사하고, 그 결과에 따라 불량유형을 분류하고, 웨이퍼의 검사에 의하여 나타난 불량 입자의 유형 및 성분 분석 등을 수행한 다음, 그 결과를 바탕으로 공정 및 설비 상의 불량유형을 분석하고, 그 결과를 바탕으로 가스공급계를 선행적으로 평가한 다음, 상기 가스공급계를 오염시키는 오염입자를 포집하여 분석하고, 처리되지 않은 깨끗한 상태의 웨이퍼의 조각으로 된 시뮬레이션웨이퍼를 준비하여 상기 가스공급계오염입자 분석단계의 분석결과를 바탕으로 상기 분석결과에 나타난 바 대로 다시 상기 시뮬레 이션웨이퍼를 인위적으로 가공된 입자를 사용하여 화학적으로 강제 오염시키고, 이를 평가하여 그 오염정도를 재분석함으로써 역으로 공정 중의 설비나 공정 자체에서의 불량의 원인을 규명하고, 실험결과를 확인하도록 이루어지며, 불량의 재발발생 가능성을 최소화하는 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for dispatching a lot which variably adopts optimum subsequent processing equipment and/or subsequent process condition according to a result of a prior process is provided to dispatch respective lots processed in a preceding process with a subsequent process equipment optimum for improving the quality of the lot based upon a process result of the preceding process regarding the lots, capability of a plurality of subsequent process equipment and/or a systematic analysis result of relativity between characteristics. CONSTITUTION: Measured data of an inspection item regarding the respective second lots processed by the first process equipment before the first lot is accumulated in a computer system(100c). And, measured data of an inspection item regarding the respective second lots processed by one of a plurality of the second process equipment is consecutively accumulated in the computer system. The first process equipment generates a variation with reference to a target value of the inspection item regarding the first lot based upon the accumulated measurement data. The second process equipment compensates for the variation toward the target value of the inspection item. Process capability of the respective second process equipment is estimated. A dispatching priority regarding the plurality of second process equipment of the first lot is determined according to the process capability. The first lot is dispatched by one of the plurality of the second process equipment based upon the dispatching priority.
Abstract:
본 발명은 반도체 장치의 제조 과정에서 발생하는 오염 입자의 측정 장치, 측정 방법 및 분석 방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 오염 입자의 측정 장치는 반도체 장치의 제조에 공급되는 원료 가스의 흐름을 조절하는 래귤레이터, 상기 래귤레이터에 연결되는 제1필터, 상기 제1필터에 연결된 제1공기 밸브, 상기 제1공기 밸브에 연결된 테스트 부분(test component), 상기 테스트 부분에 연결된 유압감소기, 상기 유압감소기에 연결된 입자계수기, 상기 입자계수기에 연결된 제2펌프와 컴퓨터 시스템, 상기 래귤레이터와 제1필터 사이에 연결된 제3공기 밸브, 상기 제3공기 밸브에 연결된 플로우 미터(flow meter), 상기 플로우 미터에 연결되고 상기 유압감쇠기와 입자계수기 사이에 연결된 제2필터, 상기 테스트 부분과 유압감쇠기 사이에 연결된 제2공기 밸브, 상기 제2공기 밸브에 연결된 임펙터, 상기 임펙터에 연결된 제1펌프 및 상기 제2공기 밸브와 임펙터 사이에 연결된 � �3필터를 구비한다. 본 발명에 의하면, 반도체 장치의 제조 과정에서 발생되는 입자의 사용 공정별 또는 시간별 측정이 가능하여 GDS의 관리 기준으로 삼을 수 있으며, 이때, 발생된 입자를 포집하여 구조 및 성분 분석을 함으로써, 입자 오염 문제를 근본적으로 해결 가능하다.