Abstract:
PURPOSE: A latency circuit and a semiconductor device including the same are provided to stably generate a latency signal in regardless of the operation of a high frequency and PVT variation. CONSTITUTION: A latency control block(110) delays a delayed synchronous signal. The latency control block generates a plurality of first control clocks. The latency control block generates a second control clock. The second control clock has a certain margin of a read command. An inside read command generator(120) samples the second control clock. The inside read command generator generates an inside read command. A latency signal generating unit(130) generates a latency signal.
Abstract:
본 발명은 큐잉 설계 방식을 이용한 레이턴시 제어 회로 및 방법에 대하여 개시된다. 레이턴시 제어 회로는, 최대한의 추가 레이턴시(AL) 수와 최대한의 기입 레이턴시 수 중 최고값을 칼럼 사이클 지연 시간(tCCD)으로 나눈 값(n, 나머지는 올림)에 기초하여 결정되는 레지스터들로 구성된다. 레이턴시 제어 회로는, 클럭 신호에 응답하여 외부 커맨드에 의해 증가 신호를 발생하고 내부 커맨드에 의해 감소 신호를 발생하고 증가 신호와 감소 신호에 응답하여 심도 포인트 신호들 중 하나를 활성화시키는 FIFO 제어부를 포함한다. 레지스터들은, 증가 신호에 응답하여 외부 커맨드와 함께 입력된 어드레스를 저장하고 이전 어드레스를 쉬프트시킨다. 레이턴시 제어 회로는 활성화된 심도 포인트 신호에 대응되는 레지스터에 저장된 어드레스를 출력한다. 레이턴시 제어, 추가 레이턴시, 기입 레이턴시, 증가 신호, 감소 신호, 심도 포인트 신호
Abstract:
A circuit for controlling latency by using a queuing design scheme and a method thereof are provided to reduce the number of registers used in controlling the latency, a layout area and power consumption. A circuit for controlling latency by using a queuing design scheme comprises an FIFO controller(310) and a register unit(330). The FIFO controller(310) generates an increased signal by an external command in response to a clock signal, generates a decreased signal by an internal command, and activates one among depth point signals in response to the increased signal and the decreased signal. The register unit(330), comprising registers for shifting previous addresses, stores an address inputted with the external command in response to the increased signal, and outputs addresses stored at the registers in correspondence with the activated depth signal.
Abstract:
위상 보간 스텝의 크기를 선택적으로 변경시키는 DLL이 개시된다. 본 발명에 의한 DLL은 위상 검출기, 제어부, 제1 카운터, 제1 락킹부, 제2 락킹부, 및 보상 지연회로를 구비하는 것을 특징으로 한다. 위상 검출기는 외부 클럭 신호와 기준 클럭 신호의 위상차를 검출하고, 그 검출 신호를 출력한다. 제어부는 검출신호에 응답하여 제1 및 제2 선택 신호들을 출력하고, 검출신호로부터 코스 락킹 동작의 종료 시점을 판단하고, 그 판단 결과에 따라 코스 락킹 종료 신호와 업 다운 신호들을 출력한다. 제1 카운터는 외부 클럭 신호의 사이클 수를 카운팅하고, 그 카운팅 결과에 따라 클럭 정보 신호를 출력한다. 제1 락킹부는 외부 클럭 신호를 제1 설정 시간 단위로 연속적으로 지연시키고, 제1 및 제2 선택 신호들에 응답하여 기수 클럭 신호와 우수 클럭 신호를 출력함으로써 코스 락킹 동작을 수행한다. 제2 락킹부는 기수 클럭 신호와 우수 클럭 신호를 수신하고, 코스 락킹 종료 신호와 업 다운 신호들에 응답하여 제1 화인 락킹 동작을 수행하고, 클럭 정보 신호와 업 다운 신호들에 응답하여 제2 화인 락킹 동작을 수행하여 내부 클럭 신호를 출력한다. 보상 지연회로는 내부 클럭 신호를 제2 설정 시간 동안 지연시켜 기준 클럭 신호를 출력한다. 본 발명에 따른 DLL은 내부 클럭 신호의 지터 성분을 감소시키고 고속으로 락킹 동작을 수행할 수 있는 장점이 있다.
Abstract:
본 발명은 지연동기회로를 개시한다. 지연동기회로는 인버젼 제어회로를 포함한다. 인버젼 제어회로는 수신 클럭신호와 재생 클럭신호의 위상을 비교하여 재생 클럭신호의 인버젼 여부를 판단하여 상기 재생 클럭신호의 듀티 에러마진을 포함한 인버젼 판단신호를 생성하는 인버젼 판단부와, 개시신호에 동기하여 상기 인버젼 판단신호를 래치하여 인버젼 제어신호를 발생하는 출력 래치부를 포함한다. 따라서, 본 발명에서는 재생클럭신호의 듀티 에러에 의한 인버젼 오판단으로 인한 초기 락킹 오류를 방지할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 신호라인 및 파워라인 배치 방법을 공개한다. 그 장치는 상기 워드라인 인에이블 신호라인들과 동일한 방향으로 배치되는 제 1 신호라인들; 및 상기 컬럼 선택 신호라인들과 동일한 방향으로 배치되는 제 2 신호라인들을 구비하고, 상기 컬럼 선택 신호라인들을 서로 다른 층에 지그재그 형태로 분산 배치하고, 상기 2 신호라인들은 상기 서로 다른 층의 하부 층에 배치하고, 상기 워드라인 인에이블 신호라인들과 제 1 신호라인들은 상기 컬럼 선택 신호라인들과 제 2 신호라인들이 배치되지 않는 층에 배치하는 것을 특징으로 한다. 따라서 반도체 메모리 장치가 고집적화 되어 칩 사이즈가 증가되더라도, 반도체 메모리 장치가 고속으로 동작될 수 있도록 한다.
Abstract:
광전송 장치에서 전송품질의 저하나 장치에 이상 발생시 이를 검출하여 서비스 데이터의 안정적인 전송을 하기 위한 방법이 개시된다. 이러한 장치에서의 서비스 데이터의 전송 방법은, 서비스 데이터를 전송하기 전에 서비스 데이터에 대한 에러 보정을 여유 채널을 이용하여 실시한 후 광선로를 통해 상기 서비스 데이터를 전송하는 것을 특징으로 한다.