반도체 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작방법
    6.
    发明公开
    반도체 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작방법 审中-实审
    半导体存储器系统和半导体存储器件的半导体存储器件的操作方法

    公开(公告)号:KR1020170023254A

    公开(公告)日:2017-03-03

    申请号:KR1020150116758

    申请日:2015-08-19

    Abstract: 본발명은반도체메모리장치에관한것이다. 본발명의반도체메모리장치는, 외부장치로부터제 1 타이밍신호를수신하고, 상기제 1 타이밍신호의펄스폭보다긴 펄스폭으로부터점차감소되는펄스폭을갖는제 2 타이밍신호를출력하도록구성되는타이밍회로와상기제 2 타이밍신호를수신하고, 상기제 2 타이밍신호에동기되어상기외부장치로데이터를출력하는데이터입출력회로를포함한다.

    Abstract translation: 本发明构思的半导体器件包括:定时电路,被配置为从外部设备接收第一脉冲宽度的第一定时信号,并输出第二定时信号,该第二定时信号的脉冲宽度从第二脉冲宽度逐渐减小, 第一定时信号的脉冲宽度和接收第二定时信号的数据输入/输出电路,并且与第二定时信号同步地将数据输出到外部设备。

    반도체 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
    7.
    发明公开
    반도체 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치 审中-实审
    半导体封装和具有该封装的电子器件

    公开(公告)号:KR1020160142574A

    公开(公告)日:2016-12-13

    申请号:KR1020150078472

    申请日:2015-06-03

    Abstract: 반도체패키지는외부단자, 인터페이스칩, 및반도체칩을포함한다. 인터페이스칩은외부단자와본딩(bonding)되는외부인터페이스패드, 복수의내부인터페이스패드들, 및외부인터페이스패드와복수의내부인터페이스패드들사이에연결되는인터페이스회로를포함한다. 반도체칩은복수의내부인터페이스패드들중의하나에선택적으로본딩되는신호패드를포함한다. 인터페이스회로는, 복수의내부인터페이스패드들중에서신호패드와본딩되는선택패드와외부인터페이스패드사이의연결을활성화시키고, 복수의내부인터페이스패드들중에서신호패드와본딩되지않은비선택패드들과외부인터페이스패드사이의연결을비활성화시킨다.

    Abstract translation: 半导体封装包括外部电极,接口芯片和半导体芯片。 接口芯片包括接合到外部电极的外部接口焊盘,多个内部接口焊盘以及耦合在外部接口焊盘和多个内部接口焊盘之间的接口电路。 半导体芯片包括选择性地结合到多个内部接口焊盘之一的信号焊盘。 接口电路激活所选择的焊盘之间的连接,所述焊盘对应于在多个内部接口焊盘之间被结合到信号焊盘的焊盘和外部接口焊盘,并且去激活未选择的焊盘之间的连接,焊盘对应于焊盘 未被接合到多个内部接口焊盘中的信号焊盘和外部接口焊盘。

    집적 회로 및 집적 회로를 포함하는 스토리지 장치
    8.
    发明公开
    집적 회로 및 집적 회로를 포함하는 스토리지 장치 审中-实审
    集成电路和存储设备,包括集成电路

    公开(公告)号:KR1020160090950A

    公开(公告)日:2016-08-02

    申请号:KR1020150010609

    申请日:2015-01-22

    Abstract: 본발명은집적회로에관한것이다. 본발명의집적회로는, 제1 및제2 패드들, 제1 패드와연결되는제1 수신회로및 제1 구동회로, 제2 패드와연결되는제2 수신회로및 제2 구동회로, 그리고제1 수신회로와전기적으로연결되는제1 입력, 제1 구동회로와전기적으로연결되는제1 출력, 제2 구동회로와전기적으로연결되는제2 출력, 그리고제2 수신회로와전기적으로연결되는제2 입력을포함하는루프백회로로구성된다. 정상모드시에, 루프백회로는제1 입력과제2 출력을전기적으로연결하고그리고제2 입력과제1 출력을전기적으로연결한다. 테스트모드시에, 루프백회로는제1 입력과제1 출력을전기적으로연결한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种支持改进测试方法的集成电路。 根据本发明,集成电路包括:第一和第二焊盘; 第一接收电路和连接到第一焊盘的第一驱动电路; 第二接收电路和连接到第二焊盘的第二驱动电路; 以及环回电路,包括电连接到第一接收电路的第一输入端,电连接到第一驱动电路的第一输出端,​​电连接到第二驱动电路的第二输出端和与第二接收电路电连接的第二输入端。 环回电路电连接第一输入和第二输出,并以正常模式电连接第一输出和第二输入。 回路电路在测试模式下电连接第一输入和第一输出。

    레이턴시 제어 회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치
    9.
    发明公开
    레이턴시 제어 회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 无效
    具有相同的控制电路和半导体存储器件

    公开(公告)号:KR1020130092299A

    公开(公告)日:2013-08-20

    申请号:KR1020120013948

    申请日:2012-02-10

    Abstract: PURPOSE: A latency control circuit and a semiconductor memory device including the same achieve column address strobe (CAS) latency suitable to a high frequency operation and having a big value by simplifying the configuration of a multiplexer for multiplexing a sampling clock signal. CONSTITUTION: A multiplexer (120) performs multiplexing for multiple sampling clock signals and generates multiple sampling control signals in response to CAS latency. A transfer control signal generating circuit (170) generates multiple transfer control signals having different phases based on an output clock signal. A latency control signal generating circuit (130) generates a delayed reading information signal in response to a CAS latency signal and an internal clock signal and generates a latency control signal based on the delayed reading information signal in response to the sampling control signals and the transfer control signals.

    Abstract translation: 目的:一种等待时间控制电路和半导体存储器件,其包括通过简化用于多路复用采样时钟信号的多路复用器的配置来实现适用于高频操作并具有大的值的列地址选通(CAS)延迟。 构成:多路复用器(120)对多个采样时钟信号执行多路复用,并根据CAS延迟产生多个采样控制信号。 传输控制信号发生电路(170)基于输出时钟信号产生具有不同相位的多个传输控制信号。 等待时间控制信号发生电路(130)响应于CAS等待时间信号和内部时钟信号产生延迟的读取信息信号,并且响应于采样控制信号和传送而产生基于延迟读取信息信号的等待时间控制信号 控制信号。

    반도체 집적회로
    10.
    发明授权
    반도체 집적회로 失效
    半导体集成电路

    公开(公告)号:KR100691351B1

    公开(公告)日:2007-03-12

    申请号:KR1020050067409

    申请日:2005-07-25

    Inventor: 임정돈

    CPC classification number: H03K19/01721

    Abstract: 송신회로와 수신회로 사이에 긴 배선(routing)이 있는 경우 전력소모를 줄일 수 있는 반도체 집적회로가 개시되어 있다. 송신회로는 내부회로, 제 1 분압회로, 제 2 분압회로, 지연회로, 제 1 스위칭 회로, 및 제 2 스위칭 회로를 구비한다. 제 1 분압회로는 제 1 전원전압과 내부회로 사이에 결합되어 있고, 제 2 분압회로는 제 2 전원전압과 내부회로 사이에 결합되어 있다. 지연회로는 내부회로의 출력신호를 소정시간 지연시키고 스위칭 제어신호를 발생시킨다. 제 1 스위칭 회로는 제 1 전원전압과 내부회로 사이에 결합되어 있고 스위칭 제어신호에 응답하여 스위칭한다. 제 2 스위칭 회로는 제 2 전원전압과 내부회로 사이에 결합되어 있고 스위칭 제어신호에 응답하여 스위칭한다. 따라서, 반도체 집적회로는 출력전압의 스윙 범위를 줄임으로써 전력소모를 줄일 수 있고 신호의 전송속도를 높일 수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种在发送电路和接收电路之间存在较长布线时能够降低功耗的半导体集成电路。 发送电路包括内部电路,第一分压电路,第二分压电路,延迟电路,第一开关电路和第二开关电路。 第一部分电路可以将第一电源电压之间耦合到内部电路,第二分压电路被耦合在所述第二电源电压提供给内部电路之间。 延迟电路将内部电路的输出信号延迟预定时间并产生开关控制信号。 第一开关电路耦合在第一电源电压和内部电路之间,并且响应于开关控制信号而开关。 第二开关电路耦合在第二电源电压和内部电路之间,并响应于开关控制信号而开关。 因此,半导体集成电路可以通过减小输出电压的摆动范围来降低功耗和信号的传输速度。

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