公开(公告)号：KR1020060032454A

公开(公告)日：2006-04-17

申请号：KR1020040081406

申请日：2004-10-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  타카시노구치 ,  김도영 ,  권장연

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: A method of fabricating a poly crystalline silicon thin film transistor (TFT) is provided. The method includes the operations of forming a poly crystalline silicon having a source, a drain, and a channel region between the source and the drain on a substrate in a predetermined pattern; forming an insulating layer on the poly crystalline silicon; forming a silicon-based heat absorption material layer on the insulating layer; exposing the source and the drain by patterning the insulating layer and the heat absorption material layer and forming a gate and a gate insulating layer corresponding to the channel region; injecting impurities into the source, the drain, and the gate; and heat processing the gate insulating layer and the heat absorption material layer by applying thermal energy to the heat absorption material layer. In the heat treatment, the gate material absorbs some of the heat and passes the remaining heat. The heat treatment of the gate insulating layer under the gate can be performed efficiently.

公开(公告)号：KR101778223B1

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：KR1020080090007

申请日：2008-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  류명관 ,  유병욱 ,  이상윤 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/78618

Abstract: 박막트랜지스터가개시된다. 개시된박막트랜지스터는, 채널과소스및 드레인사이에형성된중간층을포함함으로써, 박막트랜지스터에서발생할수 있는드레인영역의높은오프전류를감소시켜안정된구동이가능한박막트랜지스터를제공한다.

公开(公告)号：KR101623961B1

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：KR1020100029352

申请日：2010-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  이창승 ,  이재철 ,  이상윤 ,  권장연 ,  이광희 ,  손경석

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는채널층, 소오스, 드레인및 게이트를덮는것으로높이방향으로성분이달라지는보호층(passivation layer)을포함할수 있다. 상기보호층은순차로적층된실리콘산화물층, 실리콘질산화물층및 실리콘질화물층을포함하는다층구조를가질수 있다. 또는상기보호층은순차로적층된고온산화물층및 질화물층을포함하는다층구조를가질수 있다. 상기채널층은산화물반도체를포함할수 있다.

Abstract translation: 公开了晶体管，其制造方法以及包括晶体管的电子器件。 所公开的晶体管可以包括覆盖沟道层，源极，漏极和栅极的钝化层，其组分在高度方向上变化。 保护层可以具有包括顺序堆叠的氧化硅层，氮氧化硅层和氮化硅层的多层结构。 或者保护层可以具有包括顺序堆叠的高温氧化物层和氮化物层的多层结构。 沟道层可以包括氧化物半导体。

公开(公告)号：KR101512818B1

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：KR1020080099608

申请日：2008-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손경석 ,  김태상 ,  권장연 ,  정지심 ,  이상윤 ,  류명관 ,  박경배 ,  유병욱

IPC: H01L29/786

Abstract: 개시된산화물반도체트랜지스터는산화물반도체로이루어진채널층과제1 게이트사이에형성되는제1 게이트절연막; 및채널층과제2 게이트사이에형성되는제2 게이트절연막;을포함하며, 상기제1 게이트절연막및 제2 게이트절연막은서로다른물질로이루어진다.

公开(公告)号：KR101413655B1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：KR1020070123809

申请日：2007-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태상 ,  이상윤 ,  류명관 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631

Abstract: 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관해 개시된다. 채널 층과 소스 전극 및 드레인 전극이 형성한 후 채널 층의 표면을 습식 산화제로 처리하여 채널 층 표면의 캐리어를 감소시킨다. 이러한 채널 층의 표면 산화처리에 따르면 자연적으로 발생하거나 공정 중에 발생한 채널 층 표면의 과잉 캐리어를 효과적으로 조절할 수 있다.
산화물, 반도체, 트랜지스터, 습식, 산화, 캐리어, 감소

公开(公告)号：KR101377596B1

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：KR1020060049993

申请日：2006-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권장연 ,  이상윤 ,  김종만 ,  박경배 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/78645

Abstract: 플렉시블 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 플렉시블 기판 상에 형성되어 있고 소오스 및 드레인 영역과 채널영역을 포함하는 폴리 실리콘층 및 상기 폴리 실리콘층의 상기 채널영역 상에 형성된 게이트 적층물을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 적층물은 소정 간격으로 이격된 제1 및 제2 게이트 적층물(듀얼 게이트)을 포함하고, 상기 폴리 실리콘층의 상기 제1 및 제2 게이트 적층물사이로 노출된 영역은 오프 셋(offset) 영역인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR101186294B1

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：KR1020060090147

申请日：2006-09-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  김경엽 ,  김종만 ,  권장연 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285

Abstract: 간단하고 용이한 제조공정에 의해 전자의 이동도 및 전기적 특성이 우수한 반도체층을 제조할 수 있는 측면 결정화된 반도체층의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 측면 결정화된 반도체층의 제조방법은 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 상에 레이저광을 조사하는 단계, 다수의 프리즘 어레이를 갖는 프리즘 쉬트를 이용하여 상기 조사된 레이저광을 분할하여 상기 반도체층으로 진행시킴으로써, 상기 반도체층 상에 레이저광이 조사되는 제1 영역과, 조사되지 않는 제2 영역을 교번으로 반복형성하여, 상기 제1 영역을 완전 용융시키는 단계 및 상기 제2 영역을 씨드로 이용하여 상기 제1 영역의 측면 결정화를 유도하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101177275B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020060043463

申请日：2006-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  김종만 ,  권장연 ,  정지심

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667

Abstract: 실리콘 박막의 불순물 제거 방법에 관해 개시된다. 기판에 증착된 실리콘 박막에 마이크로 웨이브를 가하여, 실리콘 박막 중의 존재하는 H
2 , Ar, He, Xe, O
2 등의 불순물의 공명을 유도하여 불순물을 실리콘 박막으로부터 제거한다. 마이크로 웨이브의 파장은 제거 대상 원소의 고유 진동 주파수에 대응한다. 이러한 마이크로 웨이브에 의해 유도되는 불순물 원소의 공명에 따르면 실리콘으로부터 불순물을 매우 효과적으로 제거하여 양질의 실리콘 박막을 얻을 수 있고, 특히 저온 실리콘 제조에 매우 적합하다.
실리콘, 불순물, 탈가스, 탈수소, 공명, 공진, 마이크로 웨이브

公开(公告)号：KR101138869B1

公开(公告)日：2012-05-14

申请号：KR1020060133094

申请日：2006-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  한정석 ,  이상윤 ,  김종만 ,  권장연 ,  박경배

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262

Abstract: 적은 공정수와 간단한 공정으로 쉽게 제조될 수 있도록 그 제조공정이 개선된 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자의 제조방법은, 기판의 동일 평면 상에 배치되는 제1 비정질 영역과 제2 비정질 영역을 포함하는 비정질 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 제1 비정질 영역 상에 소수성의 자기조립 단분자막을 형성하는 단계, 상기 제2 비정질 영역 및 자기조립 단분자막 상에 니켈입자들이 분산된 수용액을 도포하되, 이들 사이의 친수성(hydrophilicity) 차이를 이용하여 상기 자기조립 단분자막 보다 상기 제2 비정질 영역 상에 상대적으로 더 많은 양의 니켈입자들을 분포시키는 단계, 어닐링 공정을 통해 상기 자기조립 단분자막을 증발시키고 동시에 상기 니켈입자들을 매개로 하는 금속유도 결정화를 수행함으로써, 상기 제1 및 제2 비정질 영역을 결정화하여 제1 및 제2 결정화 영역을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 결정화 영역을 패터닝하여 제1 및 제2 채널영역을 형성하는 단계 및 상기 제1 및 제2 채널영역 위에 제1 및 제2 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100106208A

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：KR1020100014739

申请日：2010-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 정지심 ,  김태상 ,  이광희 ,  손경석

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/26 ,  H01L29/06 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: An oxide semiconductor and a thin film transistor comprising the same are provided to obtain the advantage of a-Si and poly-Si by providing Hf-In-Zn oxide semiconductor with an optimum composition. CONSTITUTION: A gate electrode(13) is formed on one side of a substrate(11). A gate isolation layer(14) is formed on the substrate and the gate electrode. An oxide layer(12) is formed on the surface of substrate through a thermal oxidation process. A channel(15) formed of the Hf-In-Zn oxide is formed on the gate isolation layer corresponding to the gate. A source(16a) and a drain(16b) are formed on both sides of the channel and are formed on the insulating layer. The oxide semiconductor comprises Hf, and In and Zn.

Abstract translation: 目的：提供一种氧化物半导体和包括该氧化物半导体的薄膜晶体管，以通过提供具有最佳组成的Hf-In-Zn氧化物半导体来获得a-Si和多晶硅的优点。 构成：在基板（11）的一侧上形成栅电极（13）。 栅极隔离层（14）形成在衬底和栅电极上。 通过热氧化工艺在衬底的表面上形成氧化物层（12）。 在与栅极对应的栅极隔离层上形成由Hf-In-Zn氧化物形成的沟道（15）。 源极（16a）和漏极（16b）形成在沟道的两侧并形成在绝缘层上。 氧化物半导体包括Hf，In和Zn。