公开(公告)号：KR100630680B1

公开(公告)日：2006-10-02

申请号：KR1020040018748

申请日：2004-03-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정희 ,  채수두 ,  전상훈

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7883 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/792

Abstract: 본 발명은 게이트 유전체층의 두께를 변화시킨 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 제 1불순물 영역 및 제 2불순물 영역을 포함하는 반도체 기판 및 상기 반도체 기판 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하는 반도체 메모리 소자에 있어서, 상기 제 1불순물 영역 및 상기 제 2불순물 영역과 접촉하며, 상기 기판 상에 형성된 터널링 산화층; 상기 터널링 산화층 상에 형성된 전하 저장층; 상기 전하 저장층 상에 형성되며, 그 상면에 하나 이상의 단차를 포함하여 비대칭 구조로 형성된 블로킹 산화층; 및 상기 블로킹 산화층 상에 형성된 게이트 전극층;을 포함하는 비대칭 게이트 구조를 지닌 비휘발성 메모리 소자를 제공하여 저전력으로 높은 효율을 지닌 전자 트랩이 가능한 반도체 메모리 소자를 구형할 수 있다. .

公开(公告)号：KR1020060091649A

公开(公告)日：2006-08-21

申请号：KR1020050012914

申请日：2005-02-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김주형 ,  한정희 ,  김정우 ,  민요셉 ,  김문경 ,  정연석

IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28282

Abstract: 반도체 기판 상에 형성된 터널 절연막과, 터널 절연막 상에 형성된 스토리지 노드와, 스토리지 노드 상에 형성된 블로킹 절연막, 및 블로킹 절연막 상에 형성된 제어 게이트 전극을 포함하는 비휘발성 메모리 소자가 개시된다. 스토리지 노드는 트랩 밀도가 서로 다른 적어도 2 이상의 트랩막들을 포함하고, 블로킹 절연막은 실리콘 산화막보다 높은 유전율을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020060083583A

公开(公告)日：2006-07-21

申请号：KR1020050004455

申请日：2005-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전상훈 ,  최성규 ,  김정우 ,  황현상 ,  한정희 ,  최상무 ,  박성호

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/516

Abstract: A semiconductor memory device a first dopant area and a second dopant area, the first dopant area and the second dopant area disposed in a semiconductor substrate, an insulating layer disposed in contact with the first dopant area and the second dopant area, the insulating layer including a material selected from the group consisting of Hf, Zr, Y, and Ln, and a gate electrode layer disposed on the insulating layer.